ADG201AKRZ-REEL7_ADG201AKRZ-REEL7導(dǎo)讀
ADI 采用硅技術(shù)的新型高功率開關(guān)為 RF 設(shè)計(jì)人員和系統(tǒng)架構(gòu)師提供了提高其系統(tǒng)復(fù)雜度的靈活性，且不會(huì)讓 RF 前端成為其設(shè)計(jì)瓶頸。
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ADG426BNZ
高度集成的單芯片射頻收發(fā)器解決方案 (例如，ADI 新推出的 ADRV9008/ADRV9009產(chǎn)品系列) 的面市促成了此項(xiàng)成就。在此類系統(tǒng)的 RF 前端部分仍然需要實(shí)現(xiàn)類似的集成，意在降低功耗 (以改善熱管理) 和縮減尺寸(以降低成本)，從而容納更多的 MIMO 通道。
AD8226ARZ-R7 LTC3642IDD#TRPBF AD2S1210BSTZ AD5593RBCBZ-RL7 LT8640SEV#PBF 。
ADI的IMU應(yīng)用與產(chǎn)品線也非常廣泛，自2007年推出了首款I(lǐng)MU產(chǎn)品以來，經(jīng)過十多年的創(chuàng)新發(fā)展，其IMU產(chǎn)品在性能持續(xù)提升的同時(shí)，尺寸也越來越小。
然而，隨著并行收發(fā)器通道數(shù)目的增加，外圍電路的復(fù)雜性和功耗也相應(yīng)升高。MIMO 架構(gòu)允許放寬對(duì)放大器和開關(guān)等構(gòu)建模塊的 RF 功率要求。
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ADG201ASRZ-EP-RL7
ADG408BRZ-REEL7 LTC3780EG#TRPBF ADG1206YRUZ-REEL7 AD8512ARMZ-REEL LT3990EMSE#TRPBF 。
N型MOS管應(yīng)用的場景更多，相比于比P型MOS管，其優(yōu)點(diǎn)如下 1、開關(guān)速度更快 2、耐壓更高 3、通過的電流更大下面是N型MOS管的一個(gè)簡單的引用電路，當(dāng)G端通入高電平，MOS管D、S間導(dǎo)通，此時(shí)MOS管導(dǎo)通，電機(jī)的電流得以通過，電機(jī)轉(zhuǎn)動(dòng)。。當(dāng)G端為低電平的時(shí)候，D、S間無法導(dǎo)通，電機(jī)也就無法運(yùn)行。
ADE7763ARSZRL AD8672ARMZ AD7674ASTZ ADG1208YRZ-REEL7 ADRF5020BCCZN-R7 。
它們依靠單 5 V 電源供電運(yùn)行，偏置電流小于 1 mA，并且不需要外部組件或接口電路。ADI 的新款高功率硅開關(guān)更適合大規(guī)模 MIMO 設(shè)計(jì)。
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”。此外，這些加速度計(jì)具有集成的全靜電自檢(ST)功能和超范圍(OR)指示特性，采用3.3V至5.25V單電源供電，功耗低，還有助于無線傳感產(chǎn)品的設(shè)計(jì)。這些加速度計(jì)的滿量程范圍為±100g(ADXL1001)、±50g(ADXL1002)和±500g(ADXL1004)，在較寬的頻率范圍內(nèi)具有25μg/√Hz至125μg/√Hz的超低噪聲密度。
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