bychip可替代IRF4905PBF導(dǎo)讀
基礎(chǔ)知識(shí)中 MOS 部分遲遲未整理，實(shí)際分享的電路中大部分常用電路都用到了MOS管， 今天勢(shì)必要來(lái)一篇文章，徹底掌握mos管！。
一般是金屬(metal)—氧化物(oxide)—半導(dǎo)體(semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管，或者稱(chēng)是金屬—絕緣體(insulator)—半導(dǎo)體。什么是MOS管？這種基本的名詞解釋還是得用官方的話(huà)語(yǔ)說(shuō)明一下： MOS，是MOSFET的縮寫(xiě)。MOSFET 金屬-氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，簡(jiǎn)稱(chēng)金氧半場(chǎng)效晶體管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET）。
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bychip可替代
VGS(th)(開(kāi)啟電壓) 當(dāng)外加?xùn)艠O控制電壓 VGS 超過(guò) VGS(th) 時(shí)，漏區(qū)和源區(qū)的表面反型層形成了連接的溝道。此參數(shù)一般會(huì)隨結(jié)溫度的上升而有所降低。應(yīng)用中，常將漏極短接條件下 ID 等于 1 毫安時(shí)的柵極電壓稱(chēng)為開(kāi)啟電壓。
以P型半導(dǎo)體為襯底，在一個(gè) 低摻雜容度 的 P 型半導(dǎo)體上，通過(guò)擴(kuò)散技術(shù)做出來(lái)2塊 高摻雜容度 的 N 型半導(dǎo)體，引出去分別作為 源級(jí)（S） 和 漏極（D）。
PMOS的導(dǎo)通電阻大，發(fā)熱大，相對(duì)NMOS來(lái)說(shuō)不易通過(guò)大電流。我們通過(guò)原理分析可以得知，NMOS 是電子的移動(dòng)，PMOS那就是空穴的移動(dòng)，空穴的遷移率比電子低，尺寸與電壓相等的條件下，PMOS的跨導(dǎo)小于 NMOS，形成空穴溝道比電子溝道更難。PMOS價(jià)格貴，廠商少，型號(hào)少。（相對(duì)而言，其實(shí)MOS管發(fā)展到現(xiàn)在，普通的應(yīng)用 PMOS 和 NMOS 都有大量可方便選擇的型號(hào)）。 PMOS的閾值電壓教N(yùn)MOS高，因此需要更高的驅(qū)動(dòng)電壓，充放電時(shí)間長(zhǎng)，開(kāi)關(guān)速度更低。所以導(dǎo)致現(xiàn)在的格局：NMOS價(jià)格便宜，廠商多，型號(hào)多。
MOS管全名為：金屬 (Metal)—氧化物 (Oxide)—半導(dǎo)體 (Semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
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IRF9335TRPBF
AP2310GN、AP2310N、AP2625GY、AP4407GM、AP4575GM、AP6906GH-HF、AP85U03GH-HF、AP9575AGH、AP9575GM、APM1403ASC-TRL。
現(xiàn)在的小功率MOS管導(dǎo)通電阻一般在幾十毫歐左右，幾毫歐的也有。 MOS管 導(dǎo)通后都有導(dǎo)通電阻存在，這樣電流就會(huì)在這個(gè)電阻上消耗能量，這部分消耗的能量叫做導(dǎo)通損耗。RDS(on)(漏源電阻) 導(dǎo)通時(shí)漏源間的最大阻抗，它決定了MOSFET導(dǎo)通時(shí)的消耗功率。這個(gè)值要盡可能的小，因?yàn)橐坏┳柚灯螅蜁?huì)使得功耗變大。選擇導(dǎo)通電阻小的MOS管會(huì)減小導(dǎo)通損耗。
2SK2415-Z-E1-AZ、2SK3065、2SK3105-T1B-A、2SK3484-Z-E1-AZ、2SK4033、AM2308N-T1-PF、AM2394NE、AM30N10-70D-T1-PF、AM4424N-T1-PF、AM4599C-T1-PF。
CSD17579Q3A、DMC2038LVT-7-F、DMG1012T、DMN3024LSD-13、DMP3020LSS-13、DMP3099L-7、DTU40P06、FDC5661N、FDC6306P、FDG6321C。
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如果GATE電壓超過(guò)了閾值電壓，在GATE電介質(zhì)下就出現(xiàn)了channel。Drain和backgate之間的PN結(jié)反向偏置，所以只有很小的電流從drain流向backgate。
穿過(guò)GATE DIELECTRIC的電場(chǎng)加強(qiáng)了，有更多的電子從襯底被拉了上來(lái)。當(dāng)MOS電容的GATE相對(duì)于BACKGATE正偏置時(shí)發(fā)生的情況。同時(shí)，空穴被排斥出表面。
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