bychip可替代_IRF4905PBF導(dǎo)讀
MOS管分類按溝道分類，場(chǎng)效應(yīng)管分為PMOS管（P溝道型）和NMOS（N溝道型）管。按材料分類，可以分為分為耗盡型和增強(qiáng)型：增強(qiáng)型管：柵極-源極電壓 Vgs 為零時(shí)漏極電流也為零； 耗盡型管：柵極-源極電壓 Vgs 為零時(shí)漏極電流不為零。
了解MOS管的工作原理，能夠讓我們能更好的運(yùn)用MOS管，而不是死記怎么用。MOS管原理本文MOS管的原理說明以 增強(qiáng)型NMOS 為例。為了理解 MOS管的基本原理，首先要知道更基礎(chǔ)的 N 型半導(dǎo)體 和 P 型半導(dǎo)體。
IRF4905PBF" src="http://member.51dzw.com/CompanyFile/202107/2021071011340566566.jpg" />
bychip可替代
注：MOS管輸出特性的恒流區(qū)（飽和區(qū)），相當(dāng)于三極管的放大區(qū)。VGS≥VGS(th)，且VDS>VGS-VGS(th)，MOS管進(jìn)入恒流區(qū)：恒流區(qū)在輸出特性曲線中間的位置，電流ID基本不隨VDS變化，ID的大小主要決定于電壓VGS，所以叫做恒流區(qū)，也叫飽和區(qū)，當(dāng)MOS用來做放大電路時(shí)就是工作在恒流區(qū)（飽和區(qū)）。
我們先來看一下MOS管的輸出特性曲線，MOS管的輸出特性可以分為三個(gè)區(qū)：夾斷區(qū)(截止區(qū))、恒流區(qū)、可變電阻區(qū)。在一定的Vds下，D極電流 Id 的大小是與 G極電壓Vgs有關(guān)的。
MOS管全名為：金屬 (Metal)—氧化物 (Oxide)—半導(dǎo)體 (Semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
VGS(最大柵源電壓) 柵極能夠承受的最大電壓，柵極是MOS管最薄弱的地方，設(shè)計(jì)的時(shí)候得注意一下，加載柵極的電壓不能超過這個(gè)最大電壓。
IRF4905PBF" src="http://member.51dzw.com/CompanyFile/202107/20210710113473287328.jpg" />
IRF7424TRPBF
AO4616、AO4724、AO4828、AO6601、AO6800、AO6800、AO7800、AOD240、AOD240、AOD403。
AM4902N-T1-PF、AO3402、AO3402、AO3414、AO3415、AO3416、AO3419、AO3421E、AO3460、AO4286 。
AOD425A、AOD442、AOD482、AOD484、AOD484、AP2301N、AP2303GN、AP2306GN、AP2307GN、AP2309GN。
MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）是一種常用的半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。MOS管是一種場(chǎng)效應(yīng)管，其主要作用是在電路中實(shí)現(xiàn)信號(hào)放大、開關(guān)控制等功能。
IRF4905PBF" src="http://member.51dzw.com/CompanyFile/202107/2021071011340566566.jpg" />
如果GATE電壓超過了閾值電壓，在GATE電介質(zhì)下就出現(xiàn)了channel。Drain和backgate之間的PN結(jié)反向偏置，所以只有很小的電流從drain流向backgate。
當(dāng)電壓差超過閾值電壓時(shí)，channel就出現(xiàn)了。當(dāng)GATE和BACKGATE之間的電壓差小于閾值電壓時(shí)，不會(huì)形成channel。
文章來源：www.bychip.cn
