bychip可替代IRF5803TRPBF導(dǎo)讀
什么是場(chǎng)效應(yīng)管？場(chǎng)效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(xiě)(FET)）簡(jiǎn)稱場(chǎng)效應(yīng)管。由于它僅靠半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子導(dǎo)電，又稱單極型晶體管。它是利用控制輸入回路的電場(chǎng)效應(yīng)來(lái)控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件。
市面上常有的一般為N溝道和P溝道，詳情參考右側(cè)圖片(P溝道耗盡型MOS管)。而P溝道常見(jiàn)的為低壓mos管。
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bychip可替代
VGS(最大柵源電壓) 柵極能夠承受的最大電壓，柵極是MOS管最薄弱的地方，設(shè)計(jì)的時(shí)候得注意一下，加載柵極的電壓不能超過(guò)這個(gè)最大電壓。
在P型半導(dǎo)體中，空穴為多子，自由電子為少子，主要靠空穴導(dǎo)電。 摻入的雜質(zhì)越多，多子（空穴）的濃度就越高。P型半導(dǎo)體又稱空穴型半導(dǎo)體，是以帶正電的空穴導(dǎo)電為主的半導(dǎo)體。
MOS管全名為：金屬 (Metal)—氧化物 (Oxide)—半導(dǎo)體 (Semiconductor)場(chǎng)效應(yīng)晶體管。
注：MOS管輸出特性的恒流區(qū)（飽和區(qū)），相當(dāng)于三極管的放大區(qū)。VGS≥VGS(th)，且VDS>VGS-VGS(th)，MOS管進(jìn)入恒流區(qū)：恒流區(qū)在輸出特性曲線中間的位置，電流ID基本不隨VDS變化，ID的大小主要決定于電壓VGS，所以叫做恒流區(qū)，也叫飽和區(qū)，當(dāng)MOS用來(lái)做放大電路時(shí)就是工作在恒流區(qū)（飽和區(qū)）。
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IRF540NSTRPBF
FDMC8878、FDN304PZ-NL、FDN340P-NL、FDS4559-NL、FDS4953-NL、FDS6875-NL、FDS8926A-NL、FDS8926A-NL、FDS9933-NL、FDS9936A-NL。
現(xiàn)在的小功率MOS管導(dǎo)通電阻一般在幾十毫歐左右，幾毫歐的也有。 MOS管 導(dǎo)通后都有導(dǎo)通電阻存在，這樣電流就會(huì)在這個(gè)電阻上消耗能量，這部分消耗的能量叫做導(dǎo)通損耗。RDS(on)(漏源電阻) 導(dǎo)通時(shí)漏源間的最大阻抗，它決定了MOSFET導(dǎo)通時(shí)的消耗功率。這個(gè)值要盡可能的小，因?yàn)橐坏┳柚灯�，就�?huì)使得功耗變大。選擇導(dǎo)通電阻小的MOS管會(huì)減小導(dǎo)通損耗。
MOS管（Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor）是一種常用的半導(dǎo)體器件，廣泛應(yīng)用于各種電子設(shè)備中。MOS管是一種場(chǎng)效應(yīng)管，其主要作用是在電路中實(shí)現(xiàn)信號(hào)放大、開(kāi)關(guān)控制等功能。
在 MOS管中，半導(dǎo)體材料通常是硅。MOS管的基本原理是利用一個(gè)金屬柵極、氧化物和半導(dǎo)體組成的結(jié)構(gòu)來(lái)控制導(dǎo)體的電阻。
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由電子組成的電流從source通過(guò)channel流到drain�？偟膩�(lái)說(shuō)，只有在gate 對(duì)source電壓V 超過(guò)閾值電壓Vt時(shí)，才會(huì)有drain電流。這個(gè)channel就像一薄層短接drain和source的N型硅。
Channel形成時(shí)的電壓被稱為閾值電壓Vt。摻雜極性的反轉(zhuǎn)被稱為inversion，反轉(zhuǎn)的硅層叫做channel。隨著GATE電壓的持續(xù)不斷升高，越來(lái)越多的電子在表面積累，channel變成了強(qiáng)反轉(zhuǎn)。
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