bychip可替代_IRF5803TRPBF導讀
市面上常有的一般為N溝道和P溝道，詳情參考右側圖片(P溝道耗盡型MOS管)。而P溝道常見的為低壓mos管。
因此PMOS管的閾值電壓是負值。如果GATE相對于BACKGATE反向偏置，空穴被吸引到表面，channel形成了。
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bychip可替代
MOS管全名為：金屬 (Metal)—氧化物 (Oxide)—半導體 (Semiconductor)場效應晶體管。
P型襯底在 MOS管內部是和 源級（S）相連。
夾斷區(qū)在輸出特性最下面靠近橫坐標的部分，表示MOS管不能導電，處在截止狀態(tài)。電流ID為0，管子不工作。
在P型襯底和兩個N型半導體 之間加一層 二氧化硅（SiO?）絕緣膜，然后通過多晶硅引出引腳組成柵極（G）。
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IRFR9120NTRPBF
AO4616、AO4724、AO4828、AO6601、AO6800、AO6800、AO7800、AOD240、AOD240、AOD403。
APM4828KC-TRL、BSH103、BSH114、BSL302SN、BSP250、CEM4953、CES2312、CEU4311、CJ8810、CMD12N10。
FDMC8878、FDN304PZ-NL、FDN340P-NL、FDS4559-NL、FDS4953-NL、FDS6875-NL、FDS8926A-NL、FDS8926A-NL、FDS9933-NL、FDS9936A-NL。
金屬柵極被置于氧化物層之上，而這層氧化物又被放置在半導體材料的表面上。
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如果GATE電壓超過了閾值電壓，在GATE電介質下就出現(xiàn)了channel。Drain和backgate之間的PN結反向偏置，所以只有很小的電流從drain流向backgate。
因此Source和drain的身份就靠器件的偏置來決定了。在對稱的MOS管中，對source和drain的標注有一點任意性。定義上，載流子流出source，流入drain。
文章來源：www.bychip.cn
