NTR4003NT3G的詳細(xì)參數(shù)
參數(shù)名稱
參數(shù)值
Source Content uid
NTR4003NT3G
Brand Name
onsemi
是否無鉛
不含鉛
生命周期
Active
Objectid
1647610966
零件包裝代碼
SOT-23 (TO-236) 3 LEAD
針數(shù)
3
制造商包裝代碼
318
Reach Compliance Code
compliant
Country Of Origin
Mainland China
ECCN代碼
EAR99
Factory Lead Time
56 weeks 1 day
風(fēng)險等級
0.78
Samacsys Description
Small Signal MOSFET
Samacsys Manufacturer
onsemi
Samacsys Modified On
2024-09-19 14:45:22
YTEOL
6.5
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓
30 V
最大漏極電流 (ID)
0.5 A
最大漏源導(dǎo)通電阻
2 Ω
FET 技術(shù)
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代碼
TO-236
JESD-30 代碼
R-PDSO-G3
JESD-609代碼
e3
濕度敏感等級
1
元件數(shù)量
1
端子數(shù)量
3
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作溫度
150 °C
封裝主體材料
PLASTIC/EPOXY
封裝形狀
RECTANGULAR
封裝形式
SMALL OUTLINE
峰值回流溫度（攝氏度）
260
極性/信道類型
N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
0.83 W
認(rèn)證狀態(tài)
Not Qualified
表面貼裝
YES
端子面層
Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式
GULL WING
端子位置
DUAL
處于峰值回流溫度下的最長時間
30
晶體管應(yīng)用
SWITCHING
晶體管元件材料
SILICON
NTR4003NT3G場效應(yīng)管的特性與應(yīng)用研究
引言
場效應(yīng)管（Field Effect Transistor, FET）是一種利用電場調(diào)節(jié)半導(dǎo)體材料中載流子濃度的器件，廣泛應(yīng)用于電子電路中。NTR4003NT3G作為一種N溝道增強型場效應(yīng)管，因其出色的電氣特性和適用范圍而受到廣泛關(guān)注。本文將對NTR4003NT3G場效應(yīng)管的工作原理、特性、應(yīng)用及相關(guān)技術(shù)進(jìn)行深入探討。
NTR4003NT3G的基本結(jié)構(gòu)與工作原理
NTR4003NT3G屬于N溝道增強型場效應(yīng)管，其結(jié)構(gòu)主要由源極、漏極、柵極及襯底等部分構(gòu)成。當(dāng)施加在柵極上的電壓達(dá)到閾值時，襯底中的電子濃度會增加，從而在源極和漏極之間形成一個導(dǎo)電通道，使得電流能夠流動。
在實際應(yīng)用中，NTR4003NT3G的工作原理主要基于電場效應(yīng)。通過改變柵極電壓，可以調(diào)節(jié)電子濃度和流動通道的寬度，從而實現(xiàn)對電流的精確控制。與雙極型晶體管（BJT）相比，F(xiàn)ET的輸入阻抗較高，因而能夠有效降低功耗并提高信號完整性。
NTR4003NT3G的關(guān)鍵參數(shù)
在分析NTR4003NT3G的特性時，幾個關(guān)鍵參數(shù)起著至關(guān)重要的作用。這些參數(shù)包括閾值電壓（Vgs(th)）、漏電流（Id）、最大耗散功率（Pd）和增益帶寬積（GBP）等。
1. 閾值電壓（Vgs(th)）：這是使器件開始導(dǎo)通的最低柵源電壓。對NTR4003NT3G而言，其典型值約為2-4V。 2. 漏電流（Id）：在柵極施加一定電壓后，流過漏極的電流。NTR4003NT3G的漏電流可以達(dá)到幾百毫安，這使其在高功率應(yīng)用場合表現(xiàn)得尤為出色。
3. 最大耗散功率（Pd）：該參數(shù)表示場效應(yīng)管在工作時所能承受的最大功率輸出。NTR4003NT3G的耗散功率一般可支持較高的應(yīng)用場合，適合驅(qū)動高負(fù)載。
4. 增益帶寬積（GBP）：這是描述器件增益與頻帶寬度之間關(guān)系的重要參數(shù)。NTR4003NT3G的增益帶寬積通常較高，因此適合高頻信號放大和處理。
NTR4003NT3G的應(yīng)用領(lǐng)域
NTR4003NT3G因其優(yōu)越的電氣特性，廣泛應(yīng)用于多個領(lǐng)域。以下是幾個主要的應(yīng)用實例：
1. 開關(guān)電源
在開關(guān)電源設(shè)計中，NTR4003NT3G憑借其快速的開關(guān)特性和低功耗，廣泛用于DC-DC轉(zhuǎn)換器以及AC-DC適配器中。能夠有效提高轉(zhuǎn)換效率，減小設(shè)備體積，使得電子產(chǎn)品更加緊湊。
2. 驅(qū)動電路
在電機(jī)驅(qū)動或LED驅(qū)動電路中，NTR4003NT3G同樣表現(xiàn)出色。通過其良好的控制特性，在要求快速響應(yīng)和高切換頻率的環(huán)境中，能夠有效控制負(fù)載的開啟和關(guān)閉，提升系統(tǒng)的整體性能。
3. 放大器電路
由于其高輸入阻抗和低輸出阻抗，NTR4003NT3G被廣泛應(yīng)用于音頻放大器及射頻放大器中。能夠放大微弱信號，同時減少對后續(xù)電路的負(fù)擔(dān)。
4. 自動化控制
在工業(yè)自動化和智能控制系統(tǒng)中，NTR4003NT3G可用作開關(guān)器件，控制各類執(zhí)行元件，如繼電器和電磁閥。其高抗干擾能力和可靠的工作表現(xiàn)，確保了自動化系統(tǒng)的穩(wěn)定性與安全性。
NTR4003NT3G的優(yōu)勢與挑戰(zhàn)
NTR4003NT3G作為一種優(yōu)秀的場效應(yīng)管，擁有多個競爭優(yōu)勢。例如，其高效能使得能源轉(zhuǎn)化具備更高的效率，降低了整體功耗。此外，其耐高溫、抗輻射特性也使其在惡劣環(huán)境中仍能穩(wěn)定工作。
然而，隨著電子技術(shù)的不斷發(fā)展，NTR4003NT3G也面臨著諸多挑戰(zhàn)。市場對更高效能、更小尺寸的器件需求日益增長，因此技術(shù)不斷創(chuàng)新也是該領(lǐng)域可持續(xù)發(fā)展的關(guān)鍵。同時，在高頻應(yīng)用場合，由于寄生參數(shù)的影響，對器件設(shè)計和布局提出了更高的要求。
結(jié)論
綜上所述，NTR4003NT3G作為一種高性能的N溝道增強型場效應(yīng)管，憑借其獨特的電氣特性和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域，將在未來的電子技術(shù)發(fā)展中占據(jù)重要地位。隨著科技的不斷進(jìn)步，其設(shè)計和應(yīng)用將進(jìn)一步擴(kuò)展，為各種電子產(chǎn)品和系統(tǒng)提供更為高效和可靠的解決方案。
NTR4003NT3G
ON(安森美)
SN7407N
TI(德州儀器)
SN74LVC573APWR
TI(德州儀器)
SQJ454EP-T1_GE3
Vishay(威世)
STA8089GTR
ST(意法)
150060VS75000
Wurth(伍爾特)
ADUM6028-5BRIZ
ADI(亞德諾)
BAR43AFILM
ST(意法)
FDS9958
ON(安森美)
FS32K118LAT0MLFR
NXP(恩智浦)
GD25Q40CTIGR
GD(兆易創(chuàng)新)
LXES11DAA2-135
MURATA(村田)
NC7WV17P6X
Fairchild(飛兆/仙童)
NCK2910AHN/10203
NXP(恩智浦)
TLC549CDR
TI(德州儀器)
10CL016YE144C8G
ALTERA(阿爾特拉)
ADS1271IBPW
TI(德州儀器)
CAT93C66VI-GT3
Catalyst Semiconductor
DSPIC33FJ64GS606-I/PT
Microchip(微芯)
HI-6010CT
Holt Integrated Circuits Inc.
K4FBE3D4HM-MGCJ
SAMSUNG(三星)
LTC1261CS8-4
LINEAR(凌特)
LTR-553ALS-01
LITEON(臺灣光寶)
MBRA120ET3G
ON(安森美)
MC68HC11F1CFN3
Freescale(飛思卡爾)
NCP160AFCS180T2G
ON(安森美)
NIS5132MN1TXG
ON(安森美)
PIC24FJ128GB210-I/PT
Microchip(微芯)
REF195FSZ
ADI(亞德諾)
TPS2051BDGN
TI(德州儀器)
TPS3710QDSERQ1
TI(德州儀器)
XC17256EPD8I
XILINX(賽靈思)
09032966825
HARTING(浩亭)
AD5280BRUZ20
ADI(亞德諾)
ATMEGA64-16AI
Atmel(愛特梅爾)
BTA16-800BRG
ST(意法)
EL0631(TA)
Everlight(億光)
FGH30S130P
ON(安森美)
IP175C-LF
IC PLUS(九陽電子)
KSZ8775CLXIC
Microchip(微芯)
MB85RS512TPNF-G-JNERE1
Fujitsu(富士通)
MK22FX512AVLH12
NXP(恩智浦)
NCP1351BDR2G
ON(安森美)
NT5CB128M16FP-DI
Nanya Technology
PD55025S-E
ST(意法)
PT2399
PTC(臺灣普誠)
SI7655ADN-T1-GE3
Vishay(威世)
STC8G1K08-38I-SOP16
STC(宏晶)
XA7A50T-1CSG325Q
XILINX(賽靈思)
XC3S1400A-4FTG256I
XILINX(賽靈思)
ATF1502ASV-15AU44
Atmel(愛特梅爾)
EN2390QI
ALTERA(阿爾特拉)
GL850G-OHY37
GENESYS(創(chuàng)惟)
H5TC4G63EFR-PBA
SK(海力士)
HT7463B
HOLTEK(合泰)
IM06DGR
TE(泰科)
LT8390EFE#PBF
ADI(亞德諾)
PIC10F204T-I/OT
Microchip(微芯)
RDC803001A
Alps Electric
STM32L052K8T6
ST(意法)
TPS54140DGQ
TI(德州儀器)
5CEFA2F23I7N
ALTERA(阿爾特拉)
5CGXFC3B6F23I7N
ALTERA(阿爾特拉)
AD7788ARMZ
ADI(亞德諾)
ADP5071AREZ
ADI(亞德諾)
AFT09MS007NT1
Freescale(飛思卡爾)
CMX618Q3
CML Innovative Technologies（CML-IT）
CX32L003F8P6T
CX(承興)
KSZ8041FTL
Microchip(微芯)
LM22676MR-ADJ
TI(德州儀器)
LMV321B-TR
3PEAK(思瑞浦)
LTV-817S-TA1
LITEON(臺灣光寶)
MIC4420YM-TR
Micrel(麥瑞)
NCV890200PDR2G
ON(安森美)
QS3VH257QG8
IDT(Renesas收購)
TLV274IPWR
TI(德州儀器)
TP2272-SR
3PEAK(思瑞浦)
TPS2391DGKR
TI(德州儀器)
ACM2012E-900-2P-T00
TDK(東電化)
ADUM2400ARWZ
ADI(亞德諾)
BFCN-2275+
Mini-Circuits
C8051F133-GQR
SILICON LABS(芯科)
CKSR50-NP
LEM
CSNP661
Honeywell(霍尼韋爾)
DSEC30-06A
IXYS(艾賽斯)
FDMS2572
ON(安森美)
ICE2QR2280Z
Infineon(英飛凌)
IRFB7537PBF
IR(國際整流器)
K9GAG08U0E-SCB0
SAMSUNG(三星)
LM2576-5.0
MIC(昌福)
LMV358B-SR
3PEAK(思瑞浦)
MAATSS0018TR-3000
MACOM
NCV8501DADJR2G
ON(安森美)
RT8120AZSP
RICHTEK(臺灣立锜)
S34ML02G200BHI000
SPANSION(飛索)
TDA4VM88TGBALFRQ1
TI(德州儀器)
ZMCT103C
A-1JB
Amphenol(安費諾)
AD8418AWBRMZ
ADI(亞德諾)
AK2307LV
AKM(旭化成)
AON7934
AOS(萬代)
CS8420-CSZ
CirrusLogic(凌云邏輯)
MP2313GJ-Z
MPS(美國芯源)
SN74AUP1G79DBVR
TI(德州儀器)
TC4426ACOA713
Microchip(微芯)
W25N01GWZEIG
WINBOND(華邦)
2174803-2
TE(泰科)
25LC040AT-I/SN
Microchip(微芯)
74HC175D
NXP(恩智浦)
AD9520-3BCPZ
ADI(亞德諾)
ADA4805-2ARMZ
ADI(亞德諾)
ADR444ARZ
ADI(亞德諾)
ADUM2402BRWZ
ADI(亞德諾)
DP83640TVVX
TI(德州儀器)
FDG6331L
ON(安森美)
FDMC86102
Fairchild(飛兆/仙童)
FJP13009H2TU
ON(安森美)
