SN74HC14ANSR 的詳細(xì)參數(shù)
封裝參數(shù)
屬性
參數(shù)值
Package
SOIC-14-208mil
Mounting Type
表面貼裝型
技術(shù)參數(shù)
屬性
參數(shù)值
TOP(°C)
-40℃~+85℃
TOP max(°C)
+85℃
Series
74HC
VDD Range(V)
2V ~ 6V
Features
施密特觸發(fā)器
Inputs
6
Iq(A)
2µA
Circuits
6
IHight,Low(A)
5.2mA，5.2mA
Logic Type
反相器
Tpd(s)
19ns @ 6V，50pF
合規(guī)參數(shù)
屬性
參數(shù)值
Reach
受影響
RoHS
符合
RoHS狀態(tài)
合規(guī)
Pb-free
是
MSL
1(無限)
交易參數(shù)
屬性
參數(shù)值
Factory Packing Type
卷帶（TR）
Factory Packing Quantity
2000
HTS
8542.39.0001
ECCN
EAR99
Lifecycle
量產(chǎn)
Lifecycle Risk
低
Weight(g)
1克(g)
SN74HC14ANSR: 施密特觸發(fā)器的特性及應(yīng)用研究
引言
在電子電路設(shè)計(jì)中，施密特觸發(fā)器以其獨(dú)特的輸入特性和抗干擾能力，被廣泛應(yīng)用于信號處理、波形整形等領(lǐng)域。SN74HC14ANSR作為一種高性能的施密特觸發(fā)器型號，具有較高的工作速度和廣泛的電壓范圍，其在數(shù)字電路中的角色日益重要。本文將深入探討SN74HC14ANSR的特性、工作原理、應(yīng)用以及在實(shí)際電路設(shè)計(jì)中的設(shè)計(jì)考慮。
SN74HC14ANSR是Texas Instruments公司生產(chǎn)品牌的一款施密特觸發(fā)器。作為74系列邏輯家族的一部分，該器件通過施密特觸發(fā)特性有效地將慢變的輸入信號轉(zhuǎn)化為快速而明確的數(shù)字輸出，從而減少信號抖動(dòng)和噪聲影響。其主要特點(diǎn)包括廣泛的電源電壓范圍、較低的功耗以及相對較高的開關(guān)速度。SN74HC14ANSR一般在TTL電壓標(biāo)準(zhǔn)下工作，從2V至6V，適合各種數(shù)字電路的需求。
工作原理
施密特觸發(fā)器的核心在于其具有兩種不同的閾值電壓，這種特性使得其能夠在輸入信號的上升和下降過程中提供穩(wěn)定的觸發(fā)信號。SN74HC14ANSR的輸入結(jié)構(gòu)包含一個(gè)正反饋環(huán)路，利用這一個(gè)特性，在輸入信號處于某個(gè)閾值范圍時(shí)，輸出狀態(tài)會發(fā)生切換。當(dāng)輸入電壓超過一個(gè)高閾值時(shí)，輸出由低狀態(tài)轉(zhuǎn)為高狀態(tài)；而當(dāng)輸入電壓低于一個(gè)低閾值時(shí)，輸出又會從高狀態(tài)轉(zhuǎn)為低狀態(tài)。這種特性有效地消除了由于輸入信號的輕微波動(dòng)引起的誤觸發(fā)，提高了信號的可靠性。
電氣特性
SN74HC14ANSR的電氣特性非常優(yōu)越。其典型工作電流約為4mA，適合低功耗應(yīng)用。同時(shí)，該器件的開關(guān)時(shí)間小于15ns，這在很多高速數(shù)字電路設(shè)計(jì)中至關(guān)重要。此外，其輸入偏置電流極小，通常在幾微安的范圍內(nèi)，可以有效降低外部電路的功耗。輸出高電平電流最大值達(dá)到6mA，而輸出低電平電流最大值為-6mA，滿足了大部分驅(qū)動(dòng)需求。這些特性使得SN74HC14ANSR在各種高速數(shù)字應(yīng)用中有著廣泛的適用性。
應(yīng)用領(lǐng)域
SN74HC14ANSR廣泛應(yīng)用于多種工程領(lǐng)域。其在開關(guān)電源設(shè)計(jì)、微控制器I/O接口、信號恢復(fù)、零交叉檢測器、異步信號整形等方面表現(xiàn)出色。尤其在條件較惡劣、信號易受干擾的環(huán)境中，施密特觸發(fā)器能夠有效提高系統(tǒng)的抗干擾能力。例如，在用于處理來自傳感器的模擬信號時(shí)，施密特觸發(fā)器可以將慢變化的信號轉(zhuǎn)換為可靠的數(shù)字信號，從而確保后續(xù)數(shù)字電路能夠穩(wěn)定工作。
設(shè)計(jì)考慮
在設(shè)計(jì)中使用SN74HC14ANSR時(shí)，需要考慮到多個(gè)因素。第一，輸入信號的特性需符合SN74HC14ANSR的工作范圍，包括電壓幅度和頻率等。使用不當(dāng)?shù)妮斎胄盘柨赡軐?dǎo)致器件不能正常工作，或者在某些情況下會引發(fā)邏輯錯(cuò)誤。第二，器件的電源電壓至關(guān)重要，過高或過低的電源電壓都可能造成器件損壞或性能下降。因此，在電路設(shè)計(jì)時(shí)需嚴(yán)格遵循其規(guī)格書中的推薦電源電壓范圍。
此外，考慮到信號的實(shí)時(shí)性，布線時(shí)應(yīng)盡量縮短信號路徑以降低延遲，并減少信號反射和串?dāng)_的可能性。對于在過于嘈雜的環(huán)境工作時(shí)，應(yīng)考慮在輸入端添加適當(dāng)?shù)臑V波電路，以進(jìn)一步清除噪聲。在進(jìn)行負(fù)載計(jì)算時(shí)，應(yīng)注意確保SN74HC14ANSR的輸出端承載的負(fù)載電流不超過其額定值，以免引發(fā)過熱和元件失效。
在應(yīng)用SN74HC14ANSR于復(fù)雜系統(tǒng)時(shí)，還需考慮多通道工作時(shí)的時(shí)序問題。為了實(shí)現(xiàn)多輸入的靈活控制，各通道的工作狀態(tài)應(yīng)經(jīng)過合理安排，避免因?yàn)闀r(shí)序耦合造成的錯(cuò)誤觸發(fā)。對于一些高頻應(yīng)用，還需要考慮輸出的快速響應(yīng)時(shí)間，以及如何設(shè)計(jì)反饋環(huán)路以實(shí)現(xiàn)最優(yōu)化的性能。
結(jié)語
施密特觸發(fā)器在數(shù)字電路中無處不在，其重要性與日俱增。通過對SN74HC14ANSR的特性及其應(yīng)用的詳細(xì)分析，可以看出其在現(xiàn)代數(shù)字電路中的多重角色及價(jià)值。從信號轉(zhuǎn)換到波形整形，施密特觸發(fā)器的全面應(yīng)用為電子設(shè)計(jì)提供了越來越多的可能。
SN74HC14NSR
TI(德州儀器)
RTL8019AS
REALTEK(瑞昱)
TPS26625DRCR
TI(德州儀器)
10M04SCU169I7G
ALTERA(阿爾特拉)
IRS21867STRPBF
Infineon(英飛凌)
TPS61020DRCR
TI(德州儀器)
XC95288XL-10TQG144C
XILINX(賽靈思)
EP1C6T144C8N
ALTERA(阿爾特拉)
IS61WV51216BLL-10TLI
ISSI(美國芯成)
IPD35N10S3L-26
Infineon(英飛凌)
BC847
NXP(恩智浦)
VN7050ASTR
ST(意法)
BAT60JFILM
ST(意法)
PIC18F26K20-I/SS
Microchip(微芯)
STPS3150U
ST(意法)
CSD95492QVM
TI(德州儀器)
TAJD107K016RNJ
AVX(京瓷)
TM1650
TM(天微)
FAN7631SJX
ON(安森美)
FIN1001M5X
ON(安森美)
AD9361BBCZ-REEL
ADI(亞德諾)
PIC12F510-I/SN
Micro Commercial Components
BCM5221A4KPTG
Broadcom(博通)
LM317D2TR4G
ON(安森美)
EP2C35F672I8N
ALTERA(阿爾特拉)
MB85RS1MTPNF-G-JNERE1
Fujitsu(富士通)
ATXMEGA64D3-AU
Atmel(愛特梅爾)
VOM1271T
Vishay(威世)
XC6SLX16-2CSG324I
XILINX(賽靈思)
NRVBA340T3G
ON(安森美)
STM32F100C6T6B
ST(意法)
TPS54678RTER
TI(德州儀器)
CP2108-B03-GMR
SILICON LABS(芯科)
SN74HC541NSR
TI(德州儀器)
TDA2822M
UTC(友順)
XCKU060-2FFVA1156E
XILINX(賽靈思)
FQP50N06
ON(安森美)
ST3232CDR
ST(意法)
VIPER12ADIP-E
ST(意法)
AP2127K-ADJTRG1
Diodes(美臺)
INA217AIDWR
TI(德州儀器)
OPA551FAKTWT
TI(德州儀器)
MC68332ACEH20
NXP(恩智浦)
MX25L25635FZ2I-10G
MXIC(旺宏)
LTM4633IY#PBF
LINEAR(凌特)
VNH9013YTR
ST(意法)
FQD3P50TM
Fairchild(飛兆/仙童)
T30-P-A3
NVIDIA
TJA1051T/1
NXP(恩智浦)
W25Q512JVFIQ
WINBOND(華邦)
PIC16F723A-I/SS
Microchip(微芯)
VL53L1CBV0FY/1
ST(意法)
TPS65261RHBR
TI(德州儀器)
FXLS8962AFR1
NXP(恩智浦)
MX30LF1G18AC-TI
MXIC(旺宏)
TXS0102DQMR
TI(德州儀器)
MC908AZ60ACFUE
Freescale(飛思卡爾)
AGL250V5-FGG144I
Microsemi(美高森美)
APM32E103VET6
RTL8201FI-VC-CG
REALTEK(瑞昱)
PIC18F87K90-I/PT
Microchip(微芯)
BQ51050BRHLR
TI(德州儀器)
AD5554BRSZ
ADI(亞德諾)
AD9240ASZ
ADI(亞德諾)
TLE2141IDR
TI(德州儀器)
TPS51100DGQ
TI(德州儀器)
FUSB302MPX
Freescale(飛思卡爾)
MC78M15CDTRKG
ON(安森美)
GD32F330C8T6
GD(兆易創(chuàng)新)
F280049PZS
TI(德州儀器)
MCIMX6S5DVM10AD
NXP(恩智浦)
TL3472IDR
TI(德州儀器)
EPC1441PC8
ALTERA(阿爾特拉)
LSM303AHTR
ST(意法)
STM32F031F6P6
ST(意法)
S9KEAZ128AMLHR
NXP(恩智浦)
FDC638APZ
Freescale(飛思卡爾)
STF13N60M2
ST(意法)
AFBR-2521CZ
Avago(安華高)
AD7291BCPZ
ADI(亞德諾)
HX5120NL
Pulse(YAGEO)
OP279GSZ
ADI(亞德諾)
OPA189IDR
TI(德州儀器)
AD8629ARMZ
ADI(亞德諾)
ICM-40607-A
TDK InvenSense(應(yīng)美盛)
S912ZVCA19F0MLFR
NXP(恩智浦)
MP3426DL-LF-Z
MPS(美國芯源)
STM32F427VIT7TR
ST(意法)
OP1177ARMZ
ADI(亞德諾)
TJA1043TK
NXP(恩智浦)
ULN2003AD
ST(意法)
MTFC8GAMALBH-IT
micron(鎂光)
STM32F427IIH7
ST(意法)
LM3940IMP-3.3
NS(國半)
88E6321-A0-NAZ2C000
Marvell(美滿)
SY56011RMG
Microchip(微芯)
TJA1028T/5V0/10
NXP(恩智浦)
B88069X5433T203
EPF10K30RI208-4
ALTERA(阿爾特拉)
FIN1027AMX
ON(安森美)
LMC6482IMM
TI(德州儀器)
MCIMX6U8DVM10AC
Freescale(飛思卡爾)
EP2C20F256C7N
ALTERA(阿爾特拉)
NTMFS4C022NT1G
ON(安森美)
AX2000-1CGS624M
Microsemi(美高森美)
MCIMX6Q6AVT10ADR
NXP(恩智浦)
ADM3232EARWZ
ADI(亞德諾)
IRFH5301TRPBF
Infineon(英飛凌)
NT5CC256M16EP-EK
Nanya Technology
SPC5606BK0VLU6
NXP(恩智浦)
MAX3485ESA+
Maxim(美信)
SAK-XC2234L-20F66LR
Infineon(英飛凌)
LP2985IM5X-3.3
NS(國半)
MCF5281CVM80
NXP(恩智浦)
MAX3051ESA
Maxim(美信)
ADUM2401ARWZ
ADI(亞德諾)
SN74LVC373ADW
TI(德州儀器)
HMC213BMS8E
ADI(亞德諾)
TLS810B1EJV50
