TLC2274IDR 的詳細(xì)參數(shù)
參數(shù)名稱
參數(shù)值
Source Content uid
TLC2274IDR
Brand Name
Texas Instruments
是否無鉛
不含鉛
是否Rohs認(rèn)證
符合
生命周期
Active
Objectid
1484265768
零件包裝代碼
SOIC
包裝說明
GREEN, PLASTIC, MS-012AB, SOIC-14
針數(shù)
14
Reach Compliance Code
compliant
Country Of Origin
Malaysia, Mexico, Taiwan
ECCN代碼
EAR99
HTS代碼
8542.33.00.01
Date Of Intro
1989-03-01
風(fēng)險(xiǎn)等級(jí)
0.78
Samacsys Description
Quad Low-Noise Rail-To-Rail Operational Amplifier
Samacsys Manufacturer
Texas Instruments
Samacsys Modified On
2023-03-07 16:10:32
YTEOL
15
放大器類型
OPERATIONAL AMPLIFIER
架構(gòu)
VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置電流 (IIB)
0.0008 µA
25C 時(shí)的最大偏置電流 (IIB)
0.00006 µA
最小共模抑制比
75 dB
標(biāo)稱共模抑制比
75 dB
頻率補(bǔ)償
YES
最大輸入失調(diào)電流 (IIO)
0.00006 µA
最大輸入失調(diào)電壓
2500 µV
JESD-30 代碼
R-PDSO-G14
JESD-609代碼
e4
長(zhǎng)度
8.65 mm
低-偏置
YES
低-失調(diào)
NO
微功率
NO
濕度敏感等級(jí)
1
負(fù)供電電壓上限
-8 V
標(biāo)稱負(fù)供電電壓 (Vsup)
-5 V
功能數(shù)量
4
端子數(shù)量
14
最高工作溫度
125 °C
最低工作溫度
-40 °C
封裝主體材料
PLASTIC/EPOXY
封裝代碼
SOP
封裝等效代碼
SOP14,.25
封裝形狀
RECTANGULAR
封裝形式
SMALL OUTLINE
包裝方法
TR
峰值回流溫度（攝氏度）
260
功率
NO
可編程功率
NO
認(rèn)證狀態(tài)
Not Qualified
座面最大高度
1.75 mm
最小擺率
1.7 V/us
標(biāo)稱壓擺率
3.6 V/us
子類別
Operational Amplifier
最大壓擺率
6 mA
供電電壓上限
8 V
標(biāo)稱供電電壓 (Vsup)
5 V
表面貼裝
YES
技術(shù)
CMOS
溫度等級(jí)
AUTOMOTIVE
端子面層
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
端子形式
GULL WING
端子節(jié)距
1.27 mm
端子位置
DUAL
處于峰值回流溫度下的最長(zhǎng)時(shí)間
30
標(biāo)稱均一增益帶寬
2180 kHz
最小電壓增益
25000
寬帶
NO
寬度
3.9 mm
TLC2274IDR 運(yùn)算放大器的分析
運(yùn)算放大器（Operational Amplifier, Op-Amp）作為一種重要的電子元件，在現(xiàn)代電子電路中扮演著不可或缺的角色。TLC2274IDR 是一種廣泛應(yīng)用于多種領(lǐng)域的運(yùn)算放大器。本文將圍繞 TLC2274IDR 的基本特性、工作原理、應(yīng)用場(chǎng)景以及其在各類電子電路中的作用進(jìn)行詳盡的探討。
1. TLC2274IDR 的基本特性
TLC2274IDR 是 Texas Instruments 公司出品的 CMOS 型運(yùn)算放大器，具有高精度和低功耗的特點(diǎn)。該器件采用四個(gè)運(yùn)算放大器在一個(gè)封裝中，常見的封裝類型為 SOIC和TSSOP，封裝尺寸較小，適合表面貼裝技術(shù)（SMT）。TLC2274IDR 的一些重要參數(shù)包括：輸入失調(diào)電壓低至 200 μV，輸入偏置電流 1 pA，增益帶寬積 1 MHz，工作電壓范圍為 ±2 V 到 ±15 V。這樣的性能使得 TLC2274IDR 在信號(hào)處理和傳感器應(yīng)用中極具優(yōu)勢(shì)。
2. 工作原理
TLC2274IDR 采用 CMOS 技術(shù)，具有優(yōu)良的開關(guān)速度和低功耗特性。與傳統(tǒng)的雙極型運(yùn)算放大器相比，CMOS 運(yùn)算放大器在靜態(tài)功耗方面更具優(yōu)勢(shì)，尤其在低頻應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。運(yùn)算放大器的基本工作原理是通過差分輸入端對(duì)信號(hào)進(jìn)行放大。輸入端的兩個(gè)端口分別是反相輸入（V-）和非反相輸入（V+），運(yùn)算放大器輸出端（Vout）則是對(duì)這兩個(gè)端口電壓差的放大結(jié)果。
在實(shí)際應(yīng)用中，運(yùn)算放大器基本上是一個(gè)增益電路，其增益 G 可以通過外部反饋電阻進(jìn)行設(shè)定。比如在反相放大器配置中，輸出電壓 Vout 與輸入電壓 Vin 之間的關(guān)系可以通過公式表達(dá)為： \[ V_{out} = -\left( \frac{R_f}{R_{in}} \right) \cdot V_{in} \] 其中，Rf 是反饋電阻，Rin 是輸入電阻。通過調(diào)整 Rf 和 Rin 的值，可以實(shí)現(xiàn)不同的增益需求。
3. 應(yīng)用場(chǎng)景
TLC2274IDR 的低功耗特性和高精度使得其在多個(gè)應(yīng)用場(chǎng)景中廣泛采用。首先，在傳感器接口電路中，TLC2274IDR 可用作信號(hào)放大器來增強(qiáng)微弱信號(hào)，以便于后續(xù)處理。例如，在溫度傳感器、光傳感器和氣體傳感器中，該運(yùn)算放大器可以有效地提高信號(hào)的靈敏度和準(zhǔn)確性。
其次，在音頻設(shè)備中，TLC2274IDR 也常被用于音頻信號(hào)的放大和濾波。它可以作為增益電路集成到音頻前端，從而提升音樂信號(hào)的質(zhì)量。此外，在音頻均衡器設(shè)計(jì)中，TLC2274IDR 的可調(diào)增益特性使其成為音頻處理鏈中的重要組成部分。
此外，在醫(yī)療設(shè)備方面，TLC2274IDR 常被應(yīng)用于生物信號(hào)的采集與處理，例如心電圖（ECG）和腦電圖（EEG）檢測(cè)設(shè)備中。其高輸入阻抗和低偏置電流特性非常適合用于這些高阻抗信號(hào)源的處理。
4. 性能優(yōu)勢(shì)
TLC2274IDR 除了具備基本的運(yùn)算放大器功能外，其在性能上還有多項(xiàng)領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。首先是低功耗特性，這使得它適用于對(duì)電源管理要求較為嚴(yán)格的便攜式設(shè)備。在移動(dòng)設(shè)備和無線傳感器網(wǎng)絡(luò)的應(yīng)用中，TLC2274IDR 的效能提升了整體系統(tǒng)的電池壽命。
其次，TLC2274IDR 具有寬工作電壓范圍，這使得它可以在不同的電源條件下靈活工作。當(dāng)應(yīng)用于 5V 或 12V 電源時(shí)，它依然能夠穩(wěn)定工作，且在極端條件下也表現(xiàn)優(yōu)異。這種靈活性為設(shè)計(jì)師在選擇電源時(shí)提供了更多選擇。
而且，TLC2274IDR 的高增益帶寬積和快速響應(yīng)時(shí)間使其能夠在高速信號(hào)處理中的應(yīng)用中，能夠快速跟蹤輸入信號(hào)的變化。這意味著在要求快速響應(yīng)的應(yīng)用中，TLC2274IDR 可以有效減少延遲，提升系統(tǒng)的整體性能。
5. 電路設(shè)計(jì)中的注意事項(xiàng)
盡管 TLC2274IDR 具備多項(xiàng)優(yōu)良特性，但在實(shí)際電路設(shè)計(jì)中仍需考慮若干因素。首先是對(duì)外部元件的選擇和布局。為了降低噪聲和提高穩(wěn)定性，必須仔細(xì)選擇反饋電阻和輸入電阻，同時(shí)確保盡可能短的信號(hào)路徑。這能有效減小由電磁干擾引起的信號(hào)失真。
其次，輸入信號(hào)的幅度和頻率范圍也是設(shè)計(jì)中需要重點(diǎn)關(guān)注的方面。TLC2274IDR 在某些頻率下可能會(huì)出現(xiàn)增益下降，如果輸入信號(hào)超過其工作頻率，則可能導(dǎo)致失真。此外，需要根據(jù)應(yīng)用場(chǎng)景的不同，選擇合適的供電電壓，以確保運(yùn)算放大器在其線性工作區(qū)間內(nèi)運(yùn)行。
此外，在處理敏感信號(hào)時(shí)，合理的濾波設(shè)計(jì)也必不可少。通過設(shè)計(jì)合適的低通濾波器和去耦電容，可以有效減少高頻噪聲對(duì)信號(hào)的影響，從而提升整個(gè)系統(tǒng)的性能。
TLC2274IDR
TI(德州儀器)
INA103KU
Burr-Brown(TI)
MT41J64M16JT-15E:G
MIC(昌福)
XC7A50T-2CSG324I
XILINX(賽靈思)
ITS4141N
Infineon(英飛凌)
LCMXO2-256HC-4SG32I
Lattice(萊迪斯)
TPS7B7050QPWPRQ1
TI(德州儀器)
5CEFA4F23I7N
ALTERA(阿爾特拉)
TQP3M9038
Qorvo(威訊聯(lián)合)
LIS3DSHTR
ST(意法)
QMA6100P
W25Q32BVSSIG
WINBOND(華邦)
AMIS42770ICAW1RG
ON(安森美)
PCF85063AT/AAZ
NXP(恩智浦)
ADL5902ACPZ-R7
ADI(亞德諾)
MF-SMDF050-2
Bourns(伯恩斯)
SN74LVC2G08DCTR
TI(德州儀器)
MC33178DMR2G
ON(安森美)
NCV8406ASTT3G
ON(安森美)
PIC16F676T-I/SL
Microchip(微芯)
NFE61PT472C1H9L
MURATA(村田)
BAT46W-7-F
Opto Diode Corporation
NCE6005AS
NCE Power(新潔能)
NTA7002NT1G
ON(安森美)
EPF10K50RI240-4
ALTERA(阿爾特拉)
HCPL-0710-500E
Avago(安華高)
NE556DR
TI(德州儀器)
PIC16F74-I/PT
MIC(昌福)
TS321IDBVR
TI(德州儀器)
UCC3818ADR
TI(德州儀器)
MP34DT05TR-A
ST(意法)
SIR426DP-T1-GE3
Vishay(威世)
MCP1640T-I/CHY
Microchip(微芯)
PS9117A-F3-AX
NEC
EP2C35F484I8N
ALTERA(阿爾特拉)
INA2128UA
Burr-Brown(TI)
S912ZVML12F3WKH
NXP(恩智浦)
STM8L152M8T6
ST(意法)
AD9656BCPZ-125
ADI(亞德諾)
LMR16010PDDAR
TI(德州儀器)
STM32F030CCT6TR
ST(意法)
ZED-F9P-01B-01
U-BLOX(優(yōu)北羅)
LM2595DSADJR4G
ON(安森美)
S9013
中性
AD843AQ
ADI(亞德諾)
NDS9948
ON(安森美)
TBU-CA065-100-WH
Bourns(伯恩斯)
AD7768-4BSTZ
ADI(亞德諾)
MC9S08AC60CPUE
Freescale(飛思卡爾)
MOC3063SR2M
Freescale(飛思卡爾)
TMS320C6747DZKB3
TI(德州儀器)
BSC035N10NS5
Infineon(英飛凌)
FAN8811TMPX
Fairchild(飛兆/仙童)
OPA2335AIDGKR
Burr-Brown(TI)
SAK-TC1766-192F80HLBD
Infineon(英飛凌)
TPA626-VR-S
3PEAK(思瑞浦)
CC2510F32RHHR
TI(德州儀器)
PN7150B0HN/C11002
NXP(恩智浦)
ADM4851ARZ-REEL7
ADI(亞德諾)
MS560702BA03-50
TE(泰科)
P6SMB6.8CA
Vishay(威世)
S1D13517F00A100
EPCOS(愛普科斯)
A3959SLBTR-T
ALLEGRO(美國(guó)埃戈羅)
AD820ANZ
ADI(亞德諾)
FDN302P
Fairchild(飛兆/仙童)
MAX4231AXT+T
Maxim(美信)
EM2130H01QI
ALTERA(阿爾特拉)
LM62440APPQRJRRQ1
TI(德州儀器)
MB85RC04VPNF-G-JNERE1
Fujitsu(富士通)
SN74AHC125PWR
TI(德州儀器)
MKL17Z256VMP4
Freescale(飛思卡爾)
ST1S03PUR
ST(意法)
VIPER16LN
ST(意法)
XC2S200-5PQG208I
XILINX(賽靈思)
ADSP-21469KBCZ-4
ADI(亞德諾)
HCPL-7800-500E
Avago(安華高)
M28W320FCT70N6E
micron(鎂光)
MPXV7025DP
Freescale(飛思卡爾)
PMBFJ177
Nexperia(安世)
STM8AF6246TCSSSY
ST(意法)
DS90UH948TNKDRQ1
TI(德州儀器)
ATA5021-GAQW
Atmel(愛特梅爾)
MIC2025-1YM
Micrel(麥瑞)
OPA847IDR
TI(德州儀器)
ALM-38140-TR1G
Avago(安華高)
BYV26C-TAP
Vishay(威世)
MP26123DR-LF-Z
MPS(美國(guó)芯源)
PSMN4R8-100BSE
NXP(恩智浦)
ACS722LLCTR-20AU-T
ALLEGRO(美國(guó)埃戈羅)
MT7628AN/A
MediaTek.Inc(聯(lián)發(fā)科)
6TPE220MAZB
Panasonic(松下)
FDMC3612
ON(安森美)
MBRD660CTG
ON(安森美)
NAU8814YG
Nuvoton(新唐)
TCAN1044AVDRQ1
TI(德州儀器)
C4D20120D
CREE(科銳)
TAJE476K035RNJ
AVX(京瓷)
MP1591DN-LF-Z
MPS(美國(guó)芯源)
FAN6300AMY
ON(安森美)
MCP23008-E/SS
MIC(昌福)
SMS24CT1G
ON(安森美)
93LC56BT-I/SN
Microchip(微芯)
AD5504BRUZ
ADI(亞德諾)
NCP5623CMUTBG
ON(安森美)
STM32H723VGH6
ST(意法)
IPW65R019C7
Infineon(英飛凌)
MT48LC4M16A2P-6AIT:J
micron(鎂光)
STM32F107VCT7
ST(意法)
973028
ERNI
TMS320F2812ZAYA
TI(德州儀器)
TPS65053RGER
TI(德州儀器)
UM3232EEUE
Union(英聯(lián))
74HC151D
Philips(飛利浦)
AT89C51ED2-SMSUM
Atmel(愛特梅爾)
IP178GI
IC PLUS(九陽電子)
TRSF3232EIPWR
TI(德州儀器)
FQD8P10TM
Fairchild(飛兆/仙童)
ISL43210IHZ-T
Intersil(英特矽爾)
LSF0102QDCURQ1
TI(德州儀器)
TEF6686HN/V102K
NXP(恩智浦)
TPS7B8133QDGNRQ1
TI(德州儀器)
AR8032-BL1A-R
Qualcomm(高通)
DS3231SN#
Dallas (達(dá)拉斯)
SIM868E
SIMCOM(芯訊通無線)
W78E058DDG
WINBOND(華邦)
AT32F415RCT7
CYUSB3065-BZXI
Cypress(賽普拉斯)
IKCM10H60GA
Infineon(英飛凌)
MAX5969BETB+T
Maxim(美信)
ATTINY25-20SU
Microchip(微芯)
MT9P031I12STM-DR
ON(安森美)
NCV7341D21R2G
ON(安森美)
STM32F779NIH6
ST(意法)
ADG1433YRUZ
ADI(亞德諾)
ADG5206BRUZ
TI(德州儀器)
AM1808EZWT3
TI(德州儀器)
BCM88775A1KFSBG
Broadcom(博通)
INA133U/2K5
TI(德州儀器)
LY68L6400SLIT
Lyontek Inc
OPA2228U
TI(德州儀器)
PIC10F206T-I/OT
Microchip(微芯)
PIC16F15324-I/SL
Microchip(微芯)
ADSP-BF561SBB600
ADI(亞德諾)
