IRF4905PBF的詳細參數(shù)
參數(shù)名稱
參數(shù)值
是否無鉛
不含鉛
是否Rohs認證
符合
生命周期
Transferred
Objectid
1993105486
零件包裝代碼
TO-220AB
包裝說明
LEAD FREE PACKAGE-3
針數(shù)
3
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代碼
EAR99
HTS代碼
8541.29.00.95
風險等級
7.19
其他特性
AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
雪崩能效等級（Eas）
930 mJ
外殼連接
DRAIN
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓
55 V
最大漏極電流 (ID)
74 A
最大漏源導通電阻
0.02 Ω
FET 技術
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代碼
TO-220AB
JESD-30 代碼
R-PSFM-T3
JESD-609代碼
e3
元件數(shù)量
1
端子數(shù)量
3
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作溫度
175 °C
封裝主體材料
PLASTIC/EPOXY
封裝形狀
RECTANGULAR
封裝形式
FLANGE MOUNT
峰值回流溫度（攝氏度）
250
極性/信道類型
P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
150 W
最大脈沖漏極電流 (IDM)
260 A
認證狀態(tài)
Not Qualified
表面貼裝
NO
端子面層
MATTE TIN OVER NICKEL
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
SINGLE
處于峰值回流溫度下的最長時間
30
晶體管應用
SWITCHING
晶體管元件材料
SILICON
IRF4905PBF 場效應管的特性與應用研究
場效應管（Field Effect Transistor, FET）是一種利用電場效應控制電流的半導體器件，具有高輸入阻抗和低功耗等特點，其中增強型型場效應管（Enhancement Mode FET）更為常見。IRF4905PBF場效應管是一種P溝道功率MOSFET，因其在高效能電源管理和信號放大等領域的廣泛應用而備受關注。本文將詳細探討IRF4905PBF的結構特性、工作原理、主要參數(shù)、應用領域以及最新的研究趨勢。
1. IRF4905PBF的結構與工作原理
IRF4905PBF作為一種P溝道MOSFET，其主要結構由源極、漏極和柵極三部分組成。源極通常連接正電源，漏極則連接負載，而柵極通過施加電壓來控制源極和漏極之間的電流流動。在無柵極電壓時，P型半導體區(qū)域內(nèi)的電流幾乎為零。隨著柵極電壓的增大，將會在P型材料中形成一個反向電場，進而形成一個導電通道，允許電流通過。
IRF4905PBF的一個顯著特點是其具有較高的開關速度和增益，這使得其在瞬時信號處理時的響應能力和能量效率表現(xiàn)優(yōu)秀。其工作原理可以通過下述幾個方面進行細致分析：
- 柵極電壓調(diào)制：通過調(diào)節(jié)柵極施加的電壓，IRF4905PBF可以在導電（開啟狀態(tài)）和非導電（關閉狀態(tài)）之間迅速切換。
- 電流控制：IRF4905PBF對電流的控制主要依賴于柵極電壓的大小，通常在柵極電壓達到一定閾值時，源極與漏極之間的電流會穩(wěn)步增加。
- 飽和區(qū)與線性區(qū)：在一定范圍內(nèi)，IRF4905PBF的輸出特性表現(xiàn)出明顯的線性關系，而在更高的柵極電壓下，設備進入飽和狀態(tài)，此時流過的電流幾乎不再隨柵極電壓的變化而變化。
2. 主要參數(shù)分析
IRF4905PBF的主要參數(shù)對于其應用的選擇至關重要。以下為該場效應管的一些基本參數(shù)概述：
- 最大漏極源極電壓（VDS）：IRF4905PBF的最大VDS為55V，這使得它能夠在許多高壓應用中使用。
- 連續(xù)漏極電流（ID）：該器件的最大ID可達74A，非常適合充電和驅(qū)動電機等高電流應用。
- 門極閾值電壓（VGS(th)）：VGS(th)通常在-2V至-4V之間，表明IRF4905PBF在相對較低的柵極電壓下即可導通，從而適應許多低電平驅(qū)動電路。
- 開啟電阻（RDS(on)）：IRF4905PBF在開啟時的基礎電阻較低，通常為0.048Ω，降低了導通損耗，增強了其能量效率。
- 開關時間：此器件具有極短的開關時間（上升時間和下降時間均在納秒級），適合高頻操作場合。
3. 應用領域
IRF4905PBF因其優(yōu)越的電氣特性廣泛用于多個領域。典型的應用包括：
- 電源管理：在開關電源、線性穩(wěn)壓器中作為開關元件，可以實現(xiàn)高效的功率轉(zhuǎn)換。
- 電機驅(qū)動：在直流電機和步進電機控制中，IRF4905PBF可以有效控制電機的工作狀態(tài)，實現(xiàn)高效能的驅(qū)動。
- 逆變器：在光伏發(fā)電和風能發(fā)電系統(tǒng)中的逆變器應用中，用于將直流電源轉(zhuǎn)換為交流電源，增強系統(tǒng)的工作效率。
- LED驅(qū)動：在LED照明中的恒流驅(qū)動電路中，IRF4905PBF可用于精確控制LED的工作電流，提高燈具的工作壽命和亮度穩(wěn)定性。
4. 最新研究趨勢
隨著電子設備向著更高效、更小型化的方向發(fā)展，IRF4905PBF及其相關領域的研究也在不斷深化。以下是一些當前的重要研究趨勢：
- 熱管理技術：隨著功率密度的提高，MOSFET在工作過程中產(chǎn)生的熱量也越來越多。研究者們正積極探索更高效的熱管理解決方案，以提升器件的熱穩(wěn)定性和長期可靠性。
- 新材料應用：為了進一步提升MOSFET的性能，研究者們正在嘗試使用氮化鎵（GaN）等新型寬帶隙材料，期望通過材料特性的提升來改善開關特性和耐壓能力。
- 集成電路技術：將IRF4905PBF與其他器件集成，形成更為復雜的功率管理模塊，能夠進一步簡化電路設計，提升系統(tǒng)的集成度和可靠性。
- 智能控制技術：結合現(xiàn)代控制理論與技術，對MOSFET的驅(qū)動控制進行優(yōu)化，以提高系統(tǒng)的自適應能力和響應速度。
通過對IRF4905PBF場效應管的深入研究，可以發(fā)現(xiàn)，其在電子設備中的重要性日益增強。無論是在傳統(tǒng)應用還是前沿科技領域，IRF4905PBF都表現(xiàn)出良好的應用潛力和發(fā)展前景。隨著技術的進步，其性能也將不斷提升，應用范圍將更加廣泛，進一步推動電子行業(yè)的發(fā)展。
IRF4905PBF
Infineon（英飛凌）
LM393DR
TI(德州儀器)
OP07CDR
TI(德州儀器)
TMS320C6678ACYPA
TI(德州儀器)
FS32K144HFT0MLLT
NXP(恩智浦)
RTL8111H-CG
REALTEK(瑞昱)
ATXMEGA256A3U-AU
Atmel(愛特梅爾)
STM32F767IGT6
ST(意法)
XC7K325T-2FFG676I
XILINX(賽靈思)
UC2844BD1R2G
ST(意法)
ADM3251EARWZ
ADI(亞德諾)
TXB0108PWR
TI(德州儀器)
MK64FN1M0VLQ12
NXP(恩智浦)
FS32K144HFT0MLHT
NXP(恩智浦)
EP4CE6E22C8N
ALTERA(阿爾特拉)
LM358DT
XINBOLE(芯伯樂)
STM32F030CCT6
TI(德州儀器)
REF3030AIDBZR
Burr-Brown(TI)
AT24C256C-SSHL-T
Microchip(微芯)
STM32F429BIT6
ST(意法)
CC430F5137IRGZR
TI(德州儀器)
TJA1042T/3/1
TI(德州儀器)
KLMBG2JETD-B041
SAMSUNG(三星)
LM3481QMMX/NOPB
NS(國半)
MAX3485ESA
UMW(友臺半導體)
AMC1200BDWVR
TI(德州儀器)
LM324DR
ST(意法)
TMS320VC33PGE150
TI(德州儀器)
DS3231SN
Maxim(美信)
MIC2017YM6-TR
Microchip(微芯)
STM32F407IGT6
ST(意法)
ATMEGA48PA-AU
Microchip(微芯)
MK64FN1M0VLL12
Freescale(飛思卡爾)
XCF32PVOG48C
XILINX(賽靈思)
AD7616BSTZ
ADI(亞德諾)
EPM240T100C5N
ALTERA(阿爾特拉)
STM32F405VGT6
ST(意法)
STM32L431RCT6
ST(意法)
PCF8563T/5
NXP(恩智浦)
88E1512-A0-NNP2I000
Marvell(美滿)
MPU-6050
TDK(東電化)
XC2C256-7CPG132I
XILINX(賽靈思)
BSS138LT1G
NXP(恩智浦)
STM32F427ZIT6
ST(意法)
ATXMEGA128A1U-AU
Microchip(微芯)
TPS70933DBVR
TI(德州儀器)
MPXAZ6115AP
Freescale(飛思卡爾)
AD822ARZ
ADI(亞德諾)
ADM3053BRWZ
ADI(亞德諾)
IRF3205PBF
IR(國際整流器)
MURA110T3G
ON(安森美)
MC7448THX1267ND
Freescale(飛思卡爾)
TMS5704357BZWTQQ1
TI(德州儀器)
ACS712ELCTR-05B-T
ALLEGRO(美國埃戈羅)
TPS92630QPWPRQ1
TI(德州儀器)
GD32F303RCT6
GD(兆易創(chuàng)新)
10M04DAF256C8G
ALTERA(阿爾特拉)
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XILINX(賽靈思)
LAN8720A-CP-TR
Microchip(微芯)
XTR115UA/2K5
Burr-Brown(TI)
PGA204BU
TI(德州儀器)
MBR0540T1G
ON(安森美)
TJA1021T/20/CM
TI(德州儀器)
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ON(安森美)
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TI(德州儀器)
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XILINX(賽靈思)
ADS1115IDGSR
TI(德州儀器)
STM8S003K3T6C
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Burr-Brown(TI)
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Microchip(微芯)
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ST(意法)
STM32F072C8T6
ST(意法)
SN65HVD3082EDR
TI(德州儀器)
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TI(德州儀器)
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Infineon(英飛凌)
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XILINX(賽靈思)
BTS50055-1TMA
Infineon(英飛凌)
L78L05ABUTR
ST(意法)
FS32K144HAT0MLHT
ST(意法)
88E1111-B2-NDC2I000
Marvell(美滿)
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TI(德州儀器)
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XINBOLE(芯伯樂)
STM32F767ZIT6
ST(意法)
STM32F105RCT6
ST(意法)
ATXMEGA128A4U-AU
TI(德州儀器)
NCP1342AMDCDAD1R2G
ON(安森美)
STM32F767BIT6
ST(意法)
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XILINX(賽靈思)
MK10DN512VLL10
Freescale(飛思卡爾)
DS18B20+
XINBOLE(芯伯樂)
MMBT3904LT1G
CJ(江蘇長電/長晶)
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ON(安森美)
LMX2594RHAR
TI(德州儀器)
MCP6002T-I/SN
Microchip(微芯)
STM32F030R8T6
ST(意法)
STM32F103VBT6
ST(意法)
STM8S003F3U6TR
ST(意法)
IRFR5305TRPBF
VBsemi(臺灣微碧)
L7805CV
ST(意法)
TJA1043T/1
NXP(恩智浦)
VN5E010AHTR-E
ST(意法)
LMD18200T
TI(德州儀器)
SN74LVC1G08DBVR
TI(德州儀器)
LM3481MMX/NOPB
NS(國半)
OPA2277UA/2K5
TI(德州儀器)
EP4CE6F17C8N
XILINX(賽靈思)
GD25Q127CSIG
GD(兆易創(chuàng)新)
TMS320F28377DPTPT
TI(德州儀器)
LM1117IMPX-3.3
TI(德州儀器)
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TI(德州儀器)
TPS74801DRCR
TI(德州儀器)
AD9914BCPZ
ADI(亞德諾)
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MOTOROLA(摩托羅拉)
STM32F429ZGT6
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ADS7924IRTER
TI(德州儀器)
ATTINY13A-SSU
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ON(安森美)
AD623ARZ
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XC7A35T-2FGG484I
XILINX(賽靈思)
ULN2803ADW
TI(德州儀器)
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micron(鎂光)
2N7002
LRC(樂山無線電)
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TI(德州儀器)
REF3025AIDBZR
TI(德州儀器)
BAT54S
Diodes(美臺)
