IR3584MTRPBF 的詳細參數(shù)
參數(shù)名稱
參數(shù)值
是否無鉛
不含鉛
是否Rohs認證
符合
生命周期
Not Recommended
Objectid
7258586889
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代碼
EAR99
HTS代碼
8542.39.00.01
Factory Lead Time
20 weeks
風險等級
6.17
Samacsys Manufacturer
Infineon
Samacsys Modified On
2022-03-08 20:10:55
YTEOL
3
模擬集成電路 - 其他類型
DUAL SWITCHING CONTROLLER
控制技術
PULSE WIDTH MODULATION
標稱輸入電壓
3.3 V
JESD-30 代碼
S-XQCC-N40
濕度敏感等級
2
功能數(shù)量
1
端子數(shù)量
40
最高工作溫度
85 °C
最低工作溫度
-40 °C
封裝主體材料
UNSPECIFIED
封裝形狀
SQUARE
封裝形式
CHIP CARRIER
峰值回流溫度（攝氏度）
NOT SPECIFIED
標稱供電電壓 (Vsup)
3.3 V
表面貼裝
YES
切換器配置
BUCK
最大切換頻率
2000 kHz
溫度等級
INDUSTRIAL
端子形式
NO LEAD
端子位置
QUAD
處于峰值回流溫度下的最長時間
NOT SPECIFIED
IR3584MTRPBF 電源芯片分析
引言
在現(xiàn)代電子設備的設計和實施中，電源管理愈發(fā)重要，其性能直接關系到設備的效率、穩(wěn)定性與可靠性。電源管理芯片（Power Management ICs, PMICs）作為集成電路的一個重要分支，承擔著將電源傳輸過程中的各類管理任務。市場上有多種電源管理芯片，其中IR3584MTRPBF是一種廣泛應用于高性能電源管理的集成電路。本文將對IR3584MTRPBF電源芯片的特性、功能以及其在應用中的重要性進行詳細分析。
IR3584MTRPBF的基本特性
IR3584MTRPBF是一款專為DC-DC轉換設計的集成電源管理芯片。其具備高效能與靈活性，主要應用于需要高功率密度的系統(tǒng)，尤其適用于計算機、通信設備和消費電子類產(chǎn)品。該芯片的工作電壓范圍一般在4.5V至18V之間，能夠支持多種輸入電壓要求。此外，IR3584MTRPBF采用高效率的PWM控制技術，能夠實現(xiàn)高達95%的轉換效率。
該芯片的一個顯著特點是它的雙通道輸出能力，能夠在同一芯片內(nèi)部實現(xiàn)多個電壓通道的獨立調節(jié)。這種設計使得IR3584MTRPBF非常適合多供電電壓系統(tǒng)，能夠為不同的部件提供所需的穩(wěn)定電壓輸出。
工作原理
IR3584MTRPBF的工作原理基于PWM（脈寬調制）調制技術。PWM控制法通過改變輸出信號的占空比，來調節(jié)輸出電壓和功率。芯片內(nèi)部集成了反饋環(huán)路，通過監(jiān)測輸出電壓，將實際輸出電壓與設定值進行比較，進而調整占空比以保持輸出電壓的穩(wěn)定。這種閉環(huán)控制系統(tǒng)的設計確保了高精度的輸出電壓，避免了因負載變化而導致的電壓波動。
另外，IR3584MTRPBF還配備了多種保護機制，包括過壓保護、過流保護和熱關斷等功能，這些功能同樣是其穩(wěn)定性能的重要保障。芯片能夠實時監(jiān)測工作狀態(tài)，當檢測到異常情況時，能夠快速采取反應措施，防止設備損壞。
應用領域
IR3584MTRPBF廣泛應用于多個領域，其高效率和高集成度使其在電源管理需求日益增長的情況下，成為了設計工程師的熱門選擇。具體應用領域包括但不限于以下幾個方面：
1. 計算機系統(tǒng)：在計算機主板和高性能圖形卡中，IR3584MTRPBF能夠為CPU、GPU和其他重要組件提供精確的運算電壓，保證設備在高負載時的穩(wěn)定性。
2. 通信設備：現(xiàn)代通信設備通常需要多路供電，該芯片的雙通道設計能有效滿足這一需求，確保信號處理和數(shù)據(jù)傳輸?shù)姆�(wěn)定。
3. 消費電子產(chǎn)品：隨著智能手機和平板電腦等移動設備的普及，IR3584MTRPBF在這些設備中的應用也愈加廣泛。其小型化設計和高效率能夠在滿足性能的同時，延長設備的使用時間。
4. 工業(yè)控制系統(tǒng)：在工業(yè)領域，許多控制系統(tǒng)需要高可靠性的電源解決方案，IR3584MTRPBF的穩(wěn)定性能和多種保護機制使其成為理想選擇。
電源設計中的挑戰(zhàn)
盡管IR3584MTRPBF在電源管理領域具備了多項優(yōu)勢，但在實際應用中仍然面臨一些設計挑戰(zhàn)。首先，散熱問題是電源設計中的重要考慮因素。高功率的運行狀態(tài)可能導致芯片過熱，設計工程師必須合理布局散熱方案，以確保芯片在工作過程中的溫度保持在安全范圍之內(nèi)。
其次，電源電路中的EMI（電磁干擾）問題亦不可忽視。PWM調制過程中的快速電流變化可能會引發(fā)電磁輻射，影響周圍電路的正常工作。因此，采用合適的濾波器和電路設計技巧，以減少EMI的影響，是設計過程中必須重點關注的內(nèi)容。
最后，隨著技術的進步，市場對電源管理芯片的性能要求不斷提高，如何在降低功耗和提升效率的同時，保持系統(tǒng)的穩(wěn)定性和可靠性，是設計人員必須面對的挑戰(zhàn)。
未來發(fā)展趨勢
隨著電子設備向更高效率、更小體積的方向發(fā)展，電源管理芯片的設計理念也在不斷演進。未來的IR3584MTRPBF或許會引入更為先進的技術，比如更為精確的數(shù)字控制技術和自適應調整功能，以應對日益復雜的電源管理需求。此外，隨著材料科學的進步，新型半導體材料的應用也有望提升電源管理芯片的性能。
綜上所述，IR3584MTRPBF電源芯片在現(xiàn)代電子設備中發(fā)揮著重要作用。其高效率、雙通道輸出及各類保護機制，使其成為了電源管理領域的優(yōu)選方案。在隨后的技術發(fā)展中，IR3584MTRPBF有望進一步提升性能，以適應不斷變化的市場需求。
IR3584MTRPBF
Infineon（英飛凌）
ISL62872HRUZ
Intersil(英特矽爾)
K4ZAF325BM-HC14
SAMSUNG(三星)
LPC4357JBD208K
NXP(恩智浦)
MC9S12B128CPVE
Freescale(飛思卡爾)
NCV7513BFTR2G
ON(安森美)
TJA1080ATS/2/T
NXP(恩智浦)
VIPER17LN
ST(意法)
ADAU1961WBCPZ-R7
ADI(亞德諾)
BCM56980B0KFSBG
Broadcom(博通)
L5963Q-V0T
ST(意法)
LT1167CS8
LINEAR(凌特)
M74VHC1GT125DT1G
ON(安森美)
STB28N60M2
ST(意法)
STM6519AUARUB6F
ST(意法)
TC358870XBG
TOSHIBA(東芝)
ZXMS6003GTA
Zetex Semiconductors
5AGXFB1H4F35C5G
ALTERA(阿爾特拉)
BCM63138UKFSBG
Broadcom(博通)
CM4002008
Raspberry Pi
STD18NF25
ST(意法)
TLE4269GM
Infineon(英飛凌)
TLP5754
TOSHIBA(東芝)
TLV2171IDR
TI(德州儀器)
ATMEGA4809-MU
Microchip(微芯)
BCM56450B1IFSBG
Broadcom(博通)
CD74HC4067M
TI(德州儀器)
DF2144AFA20V
Renesas(瑞薩)
LM5060MM
TI(德州儀器)
LMH6702MF
TI(德州儀器)
LMZ23610TZE
TI(德州儀器)
LTC2207IUK
LINEAR(凌特)
M24C16-FMC6TG
ST(意法)
MT53E2G32D4NQ-046WT:A
micron(鎂光)
SAK-TC237LP-32F200S
Infineon(英飛凌)
TIM1314-30L
TOSHIBA(東芝)
AD8436BRQZ
ADI(亞德諾)
CXA4610GC-T9
FT232HQ
FTDI(飛特帝亞)
HCPL2630SDM
KLM4G1FE3B-B001
SAMSUNG(三星)
LP5907MFX-3.0
TI(德州儀器)
LT3494EDDB
LINEAR(凌特)
NCS2200SN2T1G
ON(安森美)
S9KEAZN32ACLC
NXP(恩智浦)
STD17NF03LT4
ST(意法)
TPS56428RHLR
TI(德州儀器)
UC2525ADW
TI(德州儀器)
XCZU67DR-2FFVE1156I
AD7265BSUZ
ADI(亞德諾)
AD780AR
ADI(亞德諾)
ADP5052ACPZ
ADI(亞德諾)
ADS8320E
Burr-Brown(TI)
APL5930KAI-TRG
ANPEC(茂達電子)
CS4398-CZZ
CirrusLogic(凌云邏輯)
LAMXO2280E-3FTN256E
Lattice(萊迪斯)
LM3880MF-1AA
NS(國半)
LM5122MH
TI(德州儀器)
LNK304DN
Raspberry Pi
LT8301ES5
LINEAR(凌特)
ADG1608BRUZ
ADI(亞德諾)
ADS1110A0IDBV
TI(德州儀器)
ATMEGA2560
Atmel(愛特梅爾)
DS160PR410RNQ
ISL83086EIUZ
L6388
LM2674MX-5
LM2675MX-3.3
TI(德州儀器)
LMP2022MM
TI(德州儀器)
LMZ14203TZ
TI(德州儀器)
LPC11C14FBD48
NXP(恩智浦)
MAX809REUR
Maxim(美信)
MAX9209EUM
Maxim(美信)
MGA-16316-TR1G
MT41K512M16VRN-107
micron(鎂光)
MT53E1G32D2FW-046IT:B
S9S12G64AWLF
NXP(恩智浦)
SMS4470
SN65LVDS179DGK
TI(德州儀器)
TPL5010DDC
TI(德州儀器)
XC7A200T-2FBG484
TLV1702AIDGKR
TI(德州儀器)
DRV8303DCAR
TI(德州儀器)
LTM2881IY-3#PBF
ADI(亞德諾)
LM1117IMPX-5.0/NOPB
TI(德州儀器)
CSD95372BQ5MC
TI(德州儀器)
MAX3160EAP+T
Maxim(美信)
CC1125RHBR
TI(德州儀器)
MAX3490ESA+T
Maxim(美信)
MAX3232CUE+T
Maxim(美信)
LM5163DDAR
TI(德州儀器)
ADR4525ARZ-R7
ADI(亞德諾)
INA230AIRGTR
TI(德州儀器)
DAC8311IDCKR
TI(德州儀器)
ISO7740DWR
TI(德州儀器)
SPC5645SF1VLU
NXP(恩智浦)
STM32WB55CGU6
ST(意法)
SN75LBC176DR
TI(德州儀器)
TMS320VC5509AGHH
TI(德州儀器)
MM3Z5V6T1G
ON(安森美)
S912ZVMC12F3WKH
Freescale(飛思卡爾)
ADM7172ACPZ-3.3-R7
ADI(亞德諾)
OPA549T
TI(德州儀器)
LT8640SIV#PBF
LINEAR(凌特)
OPA140AIDR
Burr-Brown(TI)
TPS84610RKGR
TI(德州儀器)
BLM18AG601SN1D
MURATA(村田)
IRLML6246TRPBF
IR(國際整流器)
TCAN1042HDR
TI(德州儀器)
DSPIC33EP256MU806-I/PT
Microchip(微芯)
LFCN-630+
Mini-Circuits
TLE9263QX
Infineon(英飛凌)
ZJYS51R5-2PT-01
TDK(東電化)
MMBFJ201
ON(安森美)
MCP23017-E/ML
Microchip(微芯)
ADP-2-20+
Mini-Circuits
ISL3176EIUZ-T
Intersil(英特矽爾)
VNH7070BASTR
ST(意法)
CY8C3866AXI-040
Cypress(賽普拉斯)
LM358PWR
TI(德州儀器)
VNLD5090TR-E
ST(意法)
AD7665ASTZ
ADI(亞德諾)
