IRF9530NPBF的詳細(xì)參數(shù)
參數(shù)名稱(chēng)
參數(shù)值
Source Content uid
IRF9530NPBF
是否Rohs認(rèn)證
符合
生命周期
Active
Objectid
8006008841
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代碼
EAR99
Factory Lead Time
16 weeks 3 days
風(fēng)險(xiǎn)等級(jí)
0.58
Samacsys Description
MOSFET MOSFT PCh -100V -14A 200mOhm 38.7nC
Samacsys Manufacturer
Infineon
Samacsys Modified On
2023-03-07 16:10:32
YTEOL
5.05
其他特性
AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY
雪崩能效等級(jí)（Eas）
250 mJ
外殼連接
DRAIN
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓
100 V
最大漏極電流 (ID)
14 A
最大漏源導(dǎo)通電阻
0.2 Ω
FET 技術(shù)
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代碼
TO-220AB
JESD-30 代碼
R-PSFM-T3
JESD-609代碼
e3
元件數(shù)量
1
端子數(shù)量
3
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作溫度
175 °C
最低工作溫度
-55 °C
封裝主體材料
PLASTIC/EPOXY
封裝形狀
RECTANGULAR
封裝形式
FLANGE MOUNT
峰值回流溫度（攝氏度）
260
極性/信道類(lèi)型
P-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
79 W
最大脈沖漏極電流 (IDM)
56 A
認(rèn)證狀態(tài)
Not Qualified
表面貼裝
NO
端子面層
Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
SINGLE
處于峰值回流溫度下的最長(zhǎng)時(shí)間
10
晶體管應(yīng)用
SWITCHING
晶體管元件材料
SILICON
IRF9530NPBF 場(chǎng)效應(yīng)管的特性與應(yīng)用
引言
場(chǎng)效應(yīng)管（Field Effect Transistor, FET）是一種利用電場(chǎng)效應(yīng)控制電流流動(dòng)的半導(dǎo)體元件。在現(xiàn)代電子電路中，場(chǎng)效應(yīng)管因其高輸入阻抗、低功耗以及良好的開(kāi)關(guān)特性而得到了廣泛應(yīng)用。本文將重點(diǎn)介紹IRF9530NPBF場(chǎng)效應(yīng)管的基本特性、結(jié)構(gòu)、工作原理以及其在各種應(yīng)用中的具體發(fā)揮。
IRF9530NPBF的基本特性
IRF9530NPBF是一種N溝道功率MOSFET，專(zhuān)門(mén)設(shè)計(jì)用于高效率的開(kāi)關(guān)和放大應(yīng)用。它的主要技術(shù)參數(shù)包括最高工作電壓、持續(xù)漏電流、輸電阻抗以及開(kāi)關(guān)速度。這種器件能夠承受高達(dá)55伏的電壓和最高的持續(xù)漏電流為49安培，適合于多種需要高電流和高電壓的場(chǎng)合，如電源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)等。
在熱特性方面，IRF9530NPBF的最大功耗可達(dá)94瓦，結(jié)合其優(yōu)異的散熱設(shè)計(jì)使其在高功率應(yīng)用中表現(xiàn)出色。這一特性使得它在許多高溫環(huán)境中也能夠正常工作，而不易發(fā)生損壞。
此外，IRF9530NPBF的開(kāi)關(guān)速度非常快，這使得它在高頻開(kāi)關(guān)轉(zhuǎn)換中能夠有效降低功耗和實(shí)現(xiàn)高效能。這一特性使其成為許多現(xiàn)代開(kāi)關(guān)電源和 DC-DC 轉(zhuǎn)換器的理想選擇。
結(jié)構(gòu)與工作原理
場(chǎng)效應(yīng)管的工作原理基于電場(chǎng)效應(yīng)。對(duì)于IRF9530NPBF這種N溝道MOSFET，當(dāng)在柵極施加正電壓時(shí)，將在源極和漏極之間形成導(dǎo)電通道，使得載流子（電子）能夠自由流動(dòng)，從而實(shí)現(xiàn)導(dǎo)通狀態(tài)。而當(dāng)柵極電壓為零或?yàn)樨?fù)時(shí)，通道中的電子將被排斥，MOSFET進(jìn)入截止?fàn)顟B(tài)。
IRF9530NPBF的結(jié)構(gòu)通常由源極、漏極和柵極三部分組成。源極連接到負(fù)極，漏極用于連接電路的負(fù)載，而柵極則用于控制器件的開(kāi)關(guān)。通過(guò)柵極施加的電壓決定了MOSFET的工作狀態(tài)，而這種控制方式也使得MOSFET具備高輸入阻抗的特點(diǎn)。
MOSFET的制造工藝主要涉及半導(dǎo)體材料的摻雜、光刻、氧化等步驟。IRF9530NPBF一般采用硅(Si)作為基材，特殊的摻雜方法使得其具備良好的導(dǎo)電性能與高的擊穿電壓。經(jīng)過(guò)精密加工的MOSFET通過(guò)封裝以適應(yīng)不同的應(yīng)用需求。
應(yīng)用領(lǐng)域
IRF9530NPBF廣泛應(yīng)用于各類(lèi)電子電路，尤其是在電源管理、汽車(chē)電子以及電機(jī)驅(qū)動(dòng)等領(lǐng)域。在電源管理領(lǐng)域，許多開(kāi)關(guān)電源因其需要高效轉(zhuǎn)換并兼顧體積和重量，選擇了IRF9530NPBF作為關(guān)鍵組件。在汽車(chē)電子中，IRF9530NPBF能夠承受較高的電流與電壓，因此被用于車(chē)載電源的保護(hù)開(kāi)關(guān)元件。
在電機(jī)驅(qū)動(dòng)方面，該MOSFET能夠針對(duì)步進(jìn)電機(jī)、直流電機(jī)或無(wú)刷直流電機(jī)提供高效的驅(qū)動(dòng)解決方案。通過(guò)PWM（脈寬調(diào)制）控制，該元件能夠?qū)崿F(xiàn)電機(jī)的精確控制，從而提高整體系統(tǒng)的效率和性能。在許多應(yīng)用中，IRF9530NPBF的高開(kāi)關(guān)頻率和快速導(dǎo)通能力使其能夠有效抑制電機(jī)啟動(dòng)與停機(jī)過(guò)程中的瞬態(tài)電流，保障電路的安全穩(wěn)定運(yùn)作。
另一個(gè)重要的應(yīng)用領(lǐng)域是太陽(yáng)能逆變器。隨著可再生能源技術(shù)的發(fā)展，許多太陽(yáng)能系統(tǒng)在轉(zhuǎn)換過(guò)程中需要高效的電源轉(zhuǎn)換器，而IRF9530NPBF以其高效的電流控制特性在逆變器設(shè)計(jì)中十分常見(jiàn)。它確保了在逆變過(guò)程中能量的最大化利用，從而提高了系統(tǒng)的總體能效。
在行業(yè)內(nèi)，IRF9530NPBF也常與其他元件如二極管、電容等組合，形成各種電源電路和保護(hù)電路。工程師們?cè)谠O(shè)計(jì)電路時(shí)，通常會(huì)參照其數(shù)據(jù)手冊(cè)提供的特性曲線，精準(zhǔn)地評(píng)估其適合的工作環(huán)境與條件。
結(jié)論（暫略）
在學(xué)習(xí)與使用IRF9530NPBF這一場(chǎng)效應(yīng)管時(shí)，設(shè)計(jì)者需要充分理解其特性與應(yīng)用，才能夠在實(shí)際電路中最大程度發(fā)揮其潛力。在未來(lái)隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，可以預(yù)見(jiàn)到IRF9530NPBF甚至?xí)诟鼜V泛的領(lǐng)域中找到應(yīng)用，助力電子產(chǎn)業(yè)的不斷創(chuàng)新與進(jìn)步。
IRF9530NPBF
Infineon（英飛凌）
MSP430F47187IPZR
TI(德州儀器)
ABA-54563-TR1G
Avago(安華高)
BMI270
Bosch(博世)
TPA2013D1RGPR
TI(德州儀器)
LPC1763FBD100
NXP(恩智浦)
MPC555LFMZP40
NXP(恩智浦)
EMIF02-SPK02F2
Microchip(微芯)
SN74LVC16T245ZQLR
TI(德州儀器)
STW88N65M5
ST(意法)
98CX8420A0-BVI4C000
Marvell(美滿)
STW33N60M2
ST(意法)
LM317MDT
NS(國(guó)半)
MK81FN256VDC15
NXP(恩智浦)
R-533.3PA
China(國(guó)產(chǎn))
ST25R3911B-AQWT
ST(意法)
OPA376AIDBVR
TI(德州儀器)
ADS1298IPAGR
TI(德州儀器)
IRF5210STRLPBF
IR(國(guó)際整流器)
DAC7750IPWPR
TI(德州儀器)
AX5243-1-TW30
ON(安森美)
DS90UB954TRGZRQ1
TI(德州儀器)
AT89C55WD-24PU
Atmel(愛(ài)特梅爾)
TL074CDR
TI(德州儀器)
IRFR9120NTRPBF
Vishay(威世)
NRF52832-CIAA-R
NORDIC
MJD112T4G
ON(安森美)
MPXA4115AC6U
NXP(恩智浦)
MK20DX256VLL10
NXP(恩智浦)
MPXA6115A6U
NXP(恩智浦)
ADS1672IPAG
TI(德州儀器)
MAX13487EESA+
Maxim(美信)
AD8603AUJZ
ADI(亞德諾)
NCP3170ADR2G
ON(安森美)
SM712-02HTG
TECH PUBLIC(臺(tái)舟)
BQ76PL455ATPFCRQ1
TI(德州儀器)
AT32UC3A0512-ALUT
Atmel(愛(ài)特梅爾)
STM32F205VGT6
ST(意法)
74HC573D
Philips(飛利浦)
SN74ALVC164245DLR
TI(德州儀器)
FDC6331L
ON(安森美)
PIC32MX460F512L-80I/PT
MIC(昌福)
MUR420RLG
ON(安森美)
XC3S50A-4VQG100C
XILINX(賽靈思)
MPX5999D
Freescale(飛思卡爾)
BQ34Z100PWR-G1
TI(德州儀器)
MVF61NS151CMK50
NXP(恩智浦)
LM239DR
TI(德州儀器)
M24C64-RMN6TP
ST(意法)
MKL02Z32VFG4
NXP(恩智浦)
5CGXFC5C6F23I7N
ALTERA(阿爾特拉)
MT47H64M16NF-25EIT:M
micron(鎂光)
MPXHZ6400AC6T1
NXP(恩智浦)
NRVBS540T3G
ON(安森美)
MPC8347CVVAGDB
NXP(恩智浦)
EP3C16F484C8N
ALTERA(阿爾特拉)
PE4259-63
Peregrine Semiconductor
XCF04SVO20C
XILINX(賽靈思)
XC7A100T-2CSG324I
XILINX(賽靈思)
PIC32MX575F512H-80I/PT
Microchip(微芯)
XC6SLX9-3TQG144I
XILINX(賽靈思)
IPB017N10N5LF
Infineon(英飛凌)
TMS320C6674ACYPA
TI(德州儀器)
TLC272CDR
TI(德州儀器)
MBRS2H100T3G
ON(安森美)
W25Q80DVSSIG
WINBOND(華邦)
MT47H64M16HR-3IT:H
MIC(昌福)
74HC244D
NXP(恩智浦)
M24512-WMN6TP
ST(意法)
STR710FZ2T6
ST(意法)
MC34072VDR2G
ON(安森美)
SISS71DN-T1-GE3
Vishay(威世)
STM32F411RET6
ST(意法)
MURS240T3G
ON(安森美)
MC8640DTVJ1250HE
NXP(恩智浦)
TB6600HG
TOSHIBA(東芝)
AD9515BCPZ
ADI(亞德諾)
MT40A512M16LY-062EIT:E
micron(鎂光)
ADUM1402ARWZ
ADI(亞德諾)
ETC1-1-13
L-com
BCM54811A2KMLG
Broadcom(博通)
LTC2704CGW-16
LINEAR(凌特)
BCM68580XB1IFSBG
Broadcom(博通)
TPS53513RVER
TI(德州儀器)
MP2315GJ-Z
MPS(美國(guó)芯源)
ATMEGA644PA-AU
Microchip(微芯)
OPT3001DNPR
TI(德州儀器)
ISO122P
TI(德州儀器)
ISO7241CDWR
TI(德州儀器)
XCF128XFTG64C
XILINX(賽靈思)
TLK110PTR
TI(德州儀器)
TL431ACDR
ST(意法)
ATMEGA64-16AU
Atmel(愛(ài)特梅爾)
