IRFP260MPBF的詳細參數
參數名稱
參數值
是否無鉛
不含鉛
是否Rohs認證
符合
生命周期
Transferred
Objectid
2108387514
零件包裝代碼
TO-247AC
包裝說明
LEAD FREE, PLASTIC PACKAGE-3
針數
3
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代碼
EAR99
風險等級
8.18
其他特性
AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
雪崩能效等級（Eas）
560 mJ
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓
200 V
最大漏極電流 (ID)
50 A
最大漏源導通電阻
0.04 Ω
FET 技術
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代碼
TO-247AC
JESD-30 代碼
R-PSFM-T3
JESD-609代碼
e3
元件數量
1
端子數量
3
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作溫度
175 °C
封裝主體材料
PLASTIC/EPOXY
封裝形狀
RECTANGULAR
封裝形式
FLANGE MOUNT
峰值回流溫度（攝氏度）
NOT SPECIFIED
極性/信道類型
N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)
300 W
最大脈沖漏極電流 (IDM)
200 A
認證狀態(tài)
Not Qualified
表面貼裝
NO
端子面層
Matte Tin (Sn) - with Nickel (Ni) barrier
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
SINGLE
處于峰值回流溫度下的最長時間
NOT SPECIFIED
晶體管應用
SWITCHING
晶體管元件材料
SILICON
IRFP260MPBF 場效應管的特性及應用
引言
在現(xiàn)代電子技術的發(fā)展中，場效應管（Field-Effect Transistor, FET）以其優(yōu)異的性能和廣泛的應用前景，成為了電子元器件中不可或缺的一部分。在眾多類型的場效應管中，IRFP260MPBF因其在功率控制和轉換電源中的突出表現(xiàn)而受到廣泛關注。本文將對IRFP260MPBF的基本特性、工作原理及其在各類電子設備中的應用進行深入探討。
IRFP260MPBF的基本特性
IRFP260MPBF是一種N溝道功率場效應管，其主要特點包括高壓、大電流及低導通電阻等。它的額定漏極源極電壓可達高達60V，最大漏極電流可達50A，而其典型的導通電阻（RDS(on)）約為0.04Ω，顯示出極低的功耗特性。這使得IRFP260MPBF在高效能轉換應用中表現(xiàn)出色，特別是在開關電源、逆變器及電機驅動等場合。
該場效應管采用TO-220封裝，方便散熱和安裝。這種封裝形式被廣泛應用于大功率電子設備中，其散熱性強，有助于延長元器件的使用壽命。此外，IRFP260MPBF的門極閾值電壓相對較低，通常在2到4V之間，這為其驅動電路的設計提供了便利。
工作原理
IRFP260MPBF的工作原理基于場效應管的基本特性。在未加任何門極電壓時，源極與漏極之間的通路相當于一個斷開的開關。當為其施加適當的門極電壓后，場效應管內部的電場將使得半導體通道形成，允許電流從漏極流向源極，這時候場效應管進入飽和狀態(tài)。通過調節(jié)門極電壓的大小，可以精確控制源極與漏極之間的電流，進而實現(xiàn)對負載的精確控制。
在實際應用中，利用PWM（脈寬調制）技術，可以更高效地控制IRFP260MPBF的工作狀態(tài)。PWM技術通過調節(jié)開關的開閉時間，使得輸出功率可以靈活調節(jié)，這在電源管理和電機控制中尤為重要。
IRFP260MPBF的應用領域
1. 開關電源
開關電源是一種通過高頻切換來調節(jié)輸出電壓的電源型式，常用于計算機、家電等設備中。IRFP260MPBF由于其高效率與低導通電阻，被廣泛應用于開關電源的開關管中。通過合理配置驅動電路，IRFP260MPBF能夠在高頻切換下保持優(yōu)良的轉換效率，降低功耗。
2. 逆變器
逆變器的主要功能是將直流電源轉化為交流電供給負載。IRFP260MPBF在逆變器中，尤其是在光伏發(fā)電和風能發(fā)電系統(tǒng)中，有著重要作用。在這些應用中，要求逆變器具備高效率和穩(wěn)定性，IRFP260MPBF恰好的滿足了這一需求，其低導通損耗使得逆變器在轉換過程中能夠保持較高的總效率。
3. 電機驅動
在電機驅動領域，IRFP260MPBF被廣泛運用于各種電動機的控制方案中，尤其是無刷直流電機驅動。由于在啟動和加速過程中，對電流的瞬時需求較高，IRFP260MPBF憑借其大電流承載能力和快速開關特性，能夠實現(xiàn)高效的電機控制。這在工業(yè)自動化、機器人技術及電動車輛等領域具備重要意義。
4. 電源管理
電源管理解決方案中，IRFP260MPBF同樣發(fā)揮了舉足輕重的作用。許多現(xiàn)代電子設備對于電源的要求越發(fā)精細，如何在保證性能的同時降低能耗已經成為設計的重要課題。IRFP260MPBF的高效開關特性和低功耗特性為電源管理設計提供了新的思路，使得設備在待機模式下仍然能夠達到較好的省電效果。
材料與制造工藝
IRFP260MPBF的制造過程涉及高級半導體材料的使用和多種微電子技術。常見的基材材料為硅（Si），而在某些特殊應用中，可能使用碳化硅（SiC）或氮化鎵（GaN）等新型材料以進一步提升器件性能。這些材料的選擇直接影響到場效應管的導通電阻、開關速度及散熱能力，因此，對于生產廠商來說，選擇合適的材料及優(yōu)化制造工藝至關重要。
此外，隨著微電子技術的進步，生產工藝的不斷改良，有助于提高器件的良品率和穩(wěn)定性�，F(xiàn)代的生產線采用全自動化的測試和組裝，確保每一顆IRFP260MPBF都能在嚴格的質量標準下生產出來，提升了整體的生產效率。
未來發(fā)展趨勢
隨著科技的不斷進步，IRFP260MPBF及類似場效應管將在未來的電子行業(yè)中繼續(xù)展現(xiàn)出良好的發(fā)展前景。尤其在可再生能源、智能電網及電動汽車等新能源領域，IRFP260MPBF將扮演越來越重要的角色。同時，伴隨著新材料技術的不斷成熟，未來可能出現(xiàn)更多高性能的場效應管，滿足更高的功率和頻率需求。
在設計和應用過程中，對IRFP260MPBF特性的充分了解，以及對其在不同工況下表現(xiàn)的準確預測，將是工程師們需要重點關注的領域。通過對元件在特定應用中實際表現(xiàn)的研究，可以推動更高效、更智能的電子產品的開發(fā)，實現(xiàn)技術的不斷演進。
IRFP260MPBF
IR(國際整流器)
TL082CDT
ST(意法)
ADS7953SBDBTR
TI(德州儀器)
L9333MD
ST(意法)
LP5907QMFX-3.3Q1
TI(德州儀器)
TPS75733KTTR
TI(德州儀器)
AD7606C-18BSTZ
ADI(亞德諾)
EP2C+
Mini-Circuits
MCP6541T-I/LT
Microchip(微芯)
PCA9555APW
NXP(恩智浦)
SN65LVDS31DR
TI(德州儀器)
THVD1520DR
TI(德州儀器)
ZXCT1107SA-7
Diodes(美臺)
W29N02GVSIAA
WINBOND(華邦)
24LC1025-I/SM
MIC(昌福)
CJ431
CJ(江蘇長電/長晶)
PBSS4140T
Nexperia(安世)
STM32L152VCT6
ST(意法)
ATMEGA162V-8AU
Microchip(微芯)
EG2131
Egmicro(屹晶微)
IRFH7440TRPBF
Infineon(英飛凌)
M25P16-VMW6TG
ST(意法)
STM32L452RET6
ST(意法)
XCKU085-2FLVA1517E
XILINX(賽靈思)
GD32F450ZKT6
GD(兆易創(chuàng)新)
PCA9548ABS
NXP(恩智浦)
PZTA42T1G
ON(安森美)
IRFP4310ZPBF
IR(國際整流器)
LPC4088FBD208
NXP(恩智浦)
RTL8309M-CG
REALTEK(瑞昱)
ADS8331IPW
TI(德州儀器)
AT8236
杭州中科微
LM293DR2G
ON(安森美)
STM8S001J3M3
ST(意法)
THGBMDG5D1LBAIL
TOSHIBA(東芝)
BMP180
Bosch(博世)
MC9S12DG128MPVE
Freescale(飛思卡爾)
TCPT1300X01
Vishay(威世)
VN1160TR-E
SMT
990-9413.1B
TI(德州儀器)
PDIUSBD12PW
NXP(恩智浦)
TIP41CG
ON(安森美)
VNLD5300TR-E
ST(意法)
DRV8874QPWPRQ1
TI(德州儀器)
MSP430F147IPMR
TI(德州儀器)
MT25QL02GCBB8E12-0AAT
micron(鎂光)
TPS70930DBVR
TI(德州儀器)
XC2C64A-7CPG56I
XILINX(賽靈思)
RTL8189FTV-VQ1-CG
REALTEK(瑞昱)
STM32L451VET6
ST(意法)
IRFB4310ZPBF
IR(國際整流器)
K4A8G165WC-BCWE
SAMSUNG(三星)
TS3011ILT
ST(意法)
ADMV8416ACPZ
ADI(亞德諾)
EP4CGX75CF23I7N
INTEL(英特爾)
FDS86240
Fairchild(飛兆/仙童)
MBRS190T3G
ON(安森美)
PMBT3906
Philips(飛利浦)
W25N02KVZEIR
WINBOND(華邦)
AD5290YRMZ50
ADI(亞德諾)
TPA3110LD2PWPR
TI(德州儀器)
ADF4355BCPZ
ADI(亞德諾)
CY7C1019DV33-10ZSXI
Cypress(賽普拉斯)
MIC4452YM
Microchip(微芯)
PIC12LF1840T-I/SN
Microchip(微芯)
STM32F301C8T6
TI(德州儀器)
GD32E230K8T6
GD(兆易創(chuàng)新)
HR601680
HANRUN(漢仁)
MC33262DR2G
ON(安森美)
MUR3060WTG
ON(安森美)
VNH5200ASTR-E
ST(意法)
MP86941-CGQVT-Z
MPS(美國芯源)
STM1813LWX7F
ST(意法)
W25Q64FWSSIG
WINBOND(華邦)
L80RE-M37
移遠 Quectel
MC78M12BDTRKG
ON(安森美)
NCP1396BDR2G
ON(安森美)
SC28C94A1A
Philips(飛利浦)
NCV8403ADTRKG
ON(安森美)
W5200
WIZnet
AD9832BRUZ
ADI(亞德諾)
BQ25616RTWR
TI(德州儀器)
M51995AP
Renesas(瑞薩)
MCIMX7D2DVM12SD
NXP(恩智浦)
STM32F051C8T7
ST(意法)
W971GG6SB-25
WINBOND(華邦)
AT25160B-MAHL-T
Microchip(微芯)
INA2128U
TI(德州儀器)
NT5AD512M16A4-HR
Nanya Technology
NVGS3443T1G
ON(安森美)
HA12187FP-EL-E
Renesas(瑞薩)
P1021NSE2HFB
Freescale(飛思卡爾)
BALF-NRG-02D3
ST(意法)
M393A4K40EB3-CWE
SAMSUNG(三星)
NCP1075STBT3G
ON(安森美)
SAK-TC233LP-32F200N
Infineon(英飛凌)
SSM3J332R
TOSHIBA(東芝)
5CGXFC5C6F27C7N
INTEL(英特爾)
NCV1413BDR2G
ON(安森美)
AD5542CRZ
ADI(亞德諾)
FT4232HQ
FTDI(飛特帝亞)
VCNL4200
Vishay(威世)
WJLXT971ALE
INTEL(英特爾)
ADM2485BRWZ
ADI(亞德諾)
DSP56F803BU80
MOTOROLA(摩托羅拉)
MT25QL128ABA8ESF-0AAT
micron(鎂光)
ASSR-5211-301E
Avago(安華高)
STM32F427ZIT7
ST(意法)
WG82583V
INTEL(英特爾)
NE555
China(國產)
PCF8563
NXP(恩智浦)
ADS1256IDB
Burr-Brown(TI)
LM5017MR
TI(德州儀器)
LP2992AIM5-5.0
NS(國半)
STM32L451RET6
ST(意法)
LMV7239M5X
NS(國半)
MT46H128M16LFDD-48IT:C
micron(鎂光)
THGBMJG6C1LBAB7
TOSHIBA(東芝)
AD8626ARZ
ADI(亞德諾)
CY7C1481BV33-133AXI
Cypress(賽普拉斯)
IRF540NS
Infineon(英飛凌)
MMPF0100F6AZES
Freescale(飛思卡爾)
OP262GS
ADI(亞德諾)
900-83310-0001-000
NVIDIA
AD8302ARUZ
ADI(亞德諾)
