NIV1161MTTAG的詳細(xì)參數(shù)
參數(shù)名稱
參數(shù)值
Source Content uid
NIV1161MTTAG
Brand Name
onsemi
是否無(wú)鉛
不含鉛
生命周期
Active
Objectid
8137760141
零件包裝代碼
WDFN-6
包裝說(shuō)明
WDFN-6
制造商包裝代碼
511CB
Reach Compliance Code
compliant
HTS代碼
8542.39.00.01
Factory Lead Time
19 weeks
風(fēng)險(xiǎn)等級(jí)
7.44
Samacsys Description
ON Semiconductor NIV1161MTTAG, 2 Channel Protector, 6-Pin WDFN
Samacsys Manufacturer
onsemi
Samacsys Modified On
2024-09-19 14:45:22
JESD-30 代碼
S-PDSO-N6
JESD-609代碼
e3
長(zhǎng)度
2 mm
濕度敏感等級(jí)
1
功能數(shù)量
1
端子數(shù)量
6
最高工作溫度
150 °C
最低工作溫度
-55 °C
封裝主體材料
PLASTIC/EPOXY
封裝代碼
HVSON
封裝形狀
SQUARE
封裝形式
SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
峰值回流溫度（攝氏度）
260
座面最大高度
0.8 mm
表面貼裝
YES
電信集成電路類型
SURGE PROTECTION CIRCUIT
溫度等級(jí)
MILITARY
端子面層
Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式
NO LEAD
端子節(jié)距
0.65 mm
端子位置
DUAL
處于峰值回流溫度下的最長(zhǎng)時(shí)間
30
寬度
2 mm
靜電保護(hù)裝置的研究與應(yīng)用
在現(xiàn)代電子設(shè)備越來(lái)越普及的今天，靜電放電（ESD）所造成的損害已成為嚴(yán)重威脅電子器件性能和可靠性的主要因素之一。靜電保護(hù)裝置的設(shè)計(jì)與應(yīng)用，因而成為電子工程領(lǐng)域的重要課題。靜電保護(hù)裝置不僅能夠有效防止靜電對(duì)設(shè)備造成的損害，還能提升設(shè)備的整體性能和使用壽命。本文將探討靜電保護(hù)裝置的基本原理、類型、設(shè)計(jì)要求及其在實(shí)際應(yīng)用中的重要性。
靜電放電的基本原理
靜電放電是指由于物體之間的靜電荷積累過(guò)多而產(chǎn)生的迅速電流流動(dòng)現(xiàn)象。電荷的積累通常發(fā)生在物體表面，當(dāng)這些物體之間存在一定的距離或絕緣層時(shí)，電荷將無(wú)法有效中和。當(dāng)電場(chǎng)強(qiáng)度達(dá)到一定程度時(shí)，就會(huì)出現(xiàn)瞬時(shí)放電現(xiàn)象。這種瞬時(shí)高電壓的放電不僅會(huì)對(duì)電子元件造成直接的電擊損傷，還可能伴隨電磁干擾，導(dǎo)致電路性能下降甚至失效。
靜電放電的發(fā)生通常與環(huán)境條件、材料性質(zhì)、操作方式等因素密切相關(guān)。在干燥條件下，空氣的絕緣性能增強(qiáng)，電荷更容易積聚。而在潮濕環(huán)境中，靜電的釋放則可能因?yàn)榭諝獾膶?dǎo)電性增加而得到控制。因此，針對(duì)不同的應(yīng)用場(chǎng)景，靜電保護(hù)裝置的設(shè)計(jì)需要考慮這些環(huán)境因素。
靜電保護(hù)裝置的類型
靜電保護(hù)裝置可以根據(jù)其工作原理和應(yīng)用方法進(jìn)行分類。常見(jiàn)的靜電保護(hù)裝置包括以下幾種類型：
1. 壓敏電阻（MOV）：壓敏電阻是一種非線性電阻器，當(dāng)施加外部電壓超過(guò)其閾值時(shí)，內(nèi)部電阻會(huì)急劇降低，從而導(dǎo)通電流，保護(hù)電路不受過(guò)電壓的損害。MOV廣泛應(yīng)用于電源線和信號(hào)線的靜電保護(hù)。
2. 靜電放電二極管（ESD Diode）：靜電放電二極管是一種專門設(shè)計(jì)的二極管，其作用是在靜電放電事件發(fā)生時(shí)快速導(dǎo)通，將過(guò)量電流引入接地，從而保護(hù)敏感電路。這類裝置通常具有非�？斓捻憫�(yīng)時(shí)間，能夠有效地抑制瞬態(tài)過(guò)電壓。
LM358
TI(德州儀器)
STM32F407VET6
ST(意法)
STM32F103C8T6
ST(意法)
STM32F103RCT6
ST(意法)
TMS320F28335PGFA
TI(德州儀器)
STM32F405RGT6
ST(意法)
BTS50085-1TMA
Infineon(英飛凌)
STM32H743VIT6
ST(意法)
ULN2803ADWR
TI(德州儀器)
STM32F407VGT6
TI(德州儀器)
STM8S003F3P6TR
ST(意法)
STM8S003F3P6
ST(意法)
STM32F030C8T6
TI(德州儀器)
KSZ8999I
MIC(昌福)
STM32F407ZGT6
ST(意法)
AD9361BBCZ
ADI(亞德諾)
STM32F103VCT6
TI(德州儀器)
MCF5282CVM66
NXP(恩智浦)
ATMEGA328P-AU
Microchip(微芯)
ADS1248IPWR
Burr-Brown(TI)
STM32F103VET6
ST(意法)
LM3481QMM
TI(德州儀器)
LM3481MM
NS(國(guó)半)
STM32F407ZET6
TI(德州儀器)
W5500
WINBOND(華邦)
ATMEGA2560-16AU
Atmel(愛(ài)特梅爾)
VNH5180ATR-E
ST(意法)
ATMEGA128A-AU
Atmel(愛(ài)特梅爾)
TPS5430DDAR
TI(德州儀器)
STM32F103ZET6
ST(意法)
AD7606BSTZ
ADI(亞德諾)
STM32F429IGT6
ST(意法)
STM32F103CBT6
TI(德州儀器)
KLM8G1GETF-B041
SAMSUNG(三星)
FT232RL
FTDI(飛特帝亞)
LPC1768FBD100
NXP(恩智浦)
STM32F030K6T6
TI(德州儀器)
STM32F103RET6
ST(意法)
MBR0520LT1G
ON(安森美)
STM32H743ZIT6
ST(意法)
ULN2003ADR
TI(德州儀器)
STM32H750VBT6
ST(意法)
BSP75N
Infineon(英飛凌)
ISL8204MIRZ
Renesas(瑞薩)
TPS51200DRCR
TI(德州儀器)
TMS320F28034PNT
TI(德州儀器)
LM358DR
ON(安森美)
MCIMX6Y2CVM08AB
NXP(恩智浦)
MCIMX6Q5EYM10AD
Freescale(飛思卡爾)
W25Q128JVSIQ
WINBOND(華邦)
ATMEGA8A-AU
Atmel(愛(ài)特梅爾)
GD32F103C8T6
ST(意法)
XCF04SVOG20C
XILINX(賽靈思)
MK70FN1M0VMJ15
Freescale(飛思卡爾)
ISO1050DUBR
Burr-Brown(TI)
ATMEGA32A-AU
Atmel(愛(ài)特梅爾)
STM32H743IIT6
ST(意法)
XC6SLX75-3CSG484I
XILINX(賽靈思)
ADM2587EBRWZ
ADI(亞德諾)
SN75ALS181NSR
TI(德州儀器)
GD32F103RCT6
GD(兆易創(chuàng)新)
USBLC6-2SC6
ST(意法)
NRF52832-QFAA-R
NORDIC
TPS74501PQWDRVRQ1
TI(德州儀器)
ATMEGA64A-AU
Atmel(愛(ài)特梅爾)
AMS1117-3.3
AMS(艾邁斯)
LAN8720AI-CP-TR
smsc
XC7K325T-2FFG900I
XILINX(賽靈思)
MCIMX6Q6AVT10AD
NXP(恩智浦)
SN65HVD230DR
TI(德州儀器)
TXS0108EPWR
TI(德州儀器)
74HC595D
ON(安森美)
BCM89811B1AWMLG
Broadcom(博通)
SN75176BDR
NXP(恩智浦)
N76E003AT20
Nuvoton(新唐)
STM32F103RBT6
ST(意法)
FS32K144HFT0VLLT
NXP(恩智浦)
MK66FN2M0VLQ18
Freescale(飛思卡爾)
STM32F427VGT6
ST(意法)
LM358DR2G
TI(德州儀器)
NCP1654BD65R2G
ON(安森美)
ADM2582EBRWZ
ADI(亞德諾)
ADUM1201ARZ
ADI(亞德諾)
MURS160T3G
ON(安森美)
STM8L052C6T6
ST(意法)
BSC030N08NS5
Infineon(英飛凌)
MCHC11F1CFNE4
NXP(恩智浦)
TPS1H100BQPWPRQ1
TI(德州儀器)
EPCQ64ASI16N
ALTERA(阿爾特拉)
VNS3NV04DPTR-E
ST(意法)
SN74HC595DR
TI(德州儀器)
O3853QDCARQ1
TI(德州儀器)
TJA1050T/CM
NXP(恩智浦)
ATMEGA16A-AU
Microchip(微芯)
STM32F030F4P6
TI(德州儀器)
LIS3DHTR
ST(意法)
DSP56F803BU80E
MOTOROLA(摩托羅拉)
STM32F411CEU6
ST(意法)
STM32G070CBT6
ST(意法)
MAX13487EESA
Maxim(美信)
STM32F427ZGT6
ST(意法)
ATMEGA88PA-AU
Atmel(愛(ài)特梅爾)
ADS1258IRTCR
ADI(亞德諾)
MBRA340T3G
ON(安森美)
TPS54331DR
TI(德州儀器)
NUP2105LT1G
NXP(恩智浦)
STM32G030C8T6
ST(意法)
MAX3232ESE
Maxim(美信)
VNH5019ATR-E
TI(德州儀器)
W25Q64JVSSIQ
WINBOND(華邦)
ADSP-21060LCW-160
ADI(亞德諾)
LPC1788FBD208
NXP(恩智浦)
5CEFA7F23I7N
ALTERA(阿爾特拉)
NTD2955T4G
ON(安森美)
MC34063ADR2G
MOTOROLA(摩托羅拉)
MK70FX512VMJ15
NXP(恩智浦)
NRF52840-QIAA-R
NORDIC
3. 氣體放電管（GDT）：氣體放電管通過(guò)在氣體中形成電弧的方式來(lái)防止靜電放電對(duì)電路的損害。當(dāng)電壓超過(guò)一定值時(shí)，氣體放電管內(nèi)部的氣體會(huì)被電離形成通道，從而實(shí)現(xiàn)放電。氣體放電管一般用于高壓和高能量的保護(hù)應(yīng)用。
4. 電阻-電容（RC）濾波器：RC濾波器在靜電保護(hù)中起到衰減高頻噪聲和瞬態(tài)電壓的作用。通過(guò)設(shè)計(jì)合適的電阻和電容值，可以有效抑制高頻信號(hào)噪聲，將靜電放電的影響降到最低。
靜電保護(hù)裝置的設(shè)計(jì)要求
在設(shè)計(jì)靜電保護(hù)裝置時(shí)，需要遵循一些基本要求，以確保其能夠有效執(zhí)行靜電保護(hù)功能。首先，靜電保護(hù)裝置必須具備快速響應(yīng)能力。放電事件通常是瞬時(shí)的，保護(hù)裝置需要在極短的時(shí)間內(nèi)啟動(dòng)，以保衛(wèi)電路不受損害。
其次，靜電保護(hù)裝置的耐壓值應(yīng)高于設(shè)備正常工作時(shí)的電壓，同時(shí)又要低于設(shè)備的絕限電壓，以避免許多電器的正常工作受到影響。此外，靜電保護(hù)裝置應(yīng)具備良好的溫度和濕度適應(yīng)性，確保在不同環(huán)境條件下均能穩(wěn)定工作。
最后，靜電保護(hù)裝置的安裝和布局也十分關(guān)鍵。合理的電路布局能減少靜電放電路徑，降低電磁干擾。同時(shí)，保護(hù)器件與敏感元件之間的距離要適當(dāng)，以提高保護(hù)效果，延長(zhǎng)電子設(shè)備的使用壽命。
靜電保護(hù)裝置在實(shí)際應(yīng)用中的重要性
在實(shí)際應(yīng)用中，靜電保護(hù)裝置的選擇與應(yīng)用不僅關(guān)乎產(chǎn)品的功能性和耐用性，更直接影響到生產(chǎn)效率和經(jīng)濟(jì)效益。在很多電子行業(yè)，如計(jì)算機(jī)、通信、航空航天、醫(yī)療設(shè)備等，靜電保護(hù)已成為產(chǎn)品設(shè)計(jì)的必備環(huán)節(jié)。若未能有效防范靜電放電，可能導(dǎo)致頻繁的設(shè)備故障和維修，不僅會(huì)造成經(jīng)濟(jì)損失，還可能對(duì)安全產(chǎn)生影響。
尤其在生產(chǎn)和組裝過(guò)程中，靜電的控制顯得尤為重要�，F(xiàn)代電子制造工藝通常涉及大量的靜電敏感元件，因此在設(shè)計(jì)生產(chǎn)線時(shí)，需綜合考慮靜電保護(hù)措施，包括地面和設(shè)備的接地設(shè)計(jì)、靜電消除器的使用等。
此外，靜電保護(hù)還涉及到產(chǎn)品符合性評(píng)估，許多市場(chǎng)規(guī)范及標(biāo)準(zhǔn)（如IEC 61000-4-2）均對(duì)靜電放電的承受能力提出了明確的要求。因此，遵循這些標(biāo)準(zhǔn)進(jìn)行靜電測(cè)試和保護(hù)措施的設(shè)計(jì)，能夠使電子產(chǎn)品在市場(chǎng)中更具競(jìng)爭(zhēng)力，提升產(chǎn)品品質(zhì)與客戶滿意度。
總之，靜電保護(hù)裝置在電子設(shè)備及其應(yīng)用中的重要性不可小覷。在科技不斷進(jìn)步與應(yīng)用場(chǎng)景不斷擴(kuò)展的背景下，靜電保護(hù)的研究與開(kāi)發(fā)將持續(xù)扮演關(guān)鍵角色，為確保電子設(shè)備的穩(wěn)定與可靠運(yùn)作提供強(qiáng)有力的支持。
