TL494CDR2G的詳細(xì)參數(shù)
參數(shù)名稱
參數(shù)值
Source Content uid
TL494CDR2G
Brand Name
onsemi
是否無鉛
不含鉛
生命周期
Active
Objectid
2055430600
零件包裝代碼
SOIC 16 LEAD
包裝說明
SO-16
針數(shù)
16
制造商包裝代碼
751B-05
Reach Compliance Code
compliant
Country Of Origin
Philippines
ECCN代碼
EAR99
HTS代碼
8542.39.00.01
Factory Lead Time
13 weeks
風(fēng)險等級
0.4
Samacsys Description
TL494CDR2G, PWM Controller 200 kHz 7 ??? 40 V 16-Pin SOIC
Samacsys Manufacturer
onsemi
Samacsys Modified On
2024-09-19 14:45:22
YTEOL
6.6
模擬集成電路 - 其他類型
SWITCHING CONTROLLER
控制模式
VOLTAGE-MODE
控制技術(shù)
PULSE WIDTH MODULATION
最大輸入電壓
40 V
最小輸入電壓
7 V
標(biāo)稱輸入電壓
15 V
JESD-30 代碼
R-PDSO-G16
JESD-609代碼
e3
長度
9.9 mm
濕度敏感等級
1
功能數(shù)量
1
端子數(shù)量
16
最高工作溫度
70 °C
最低工作溫度
最大輸出電流
0.5 A
封裝主體材料
PLASTIC/EPOXY
封裝代碼
SOP
封裝等效代碼
SOP16,.25
封裝形狀
RECTANGULAR
封裝形式
SMALL OUTLINE
峰值回流溫度（攝氏度）
260
認(rèn)證狀態(tài)
Not Qualified
座面最大高度
1.75 mm
表面貼裝
YES
切換器配置
PUSH-PULL
最大切換頻率
200 kHz
技術(shù)
BIPOLAR
溫度等級
COMMERCIAL
端子面層
MATTE TIN
端子形式
GULL WING
端子節(jié)距
1.27 mm
端子位置
DUAL
處于峰值回流溫度下的最長時間
30
寬度
3.9 mm
TL494CDR2G電源芯片的性能與應(yīng)用研究
摘要
TL494CDR2G是一款廣泛應(yīng)用于電源管理領(lǐng)域的集成電路芯片。其主要功能是在各種電源轉(zhuǎn)換器中提供控制信號，確保輸出電壓的穩(wěn)定性和高效性。本文主要探討TL494CDR2G芯片的工作原理、特性、設(shè)計應(yīng)用以及在不同電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)中的具體應(yīng)用。
引言
在現(xiàn)代電子設(shè)備中，電源管理是一個關(guān)鍵的設(shè)計要素。隨著科技的快速發(fā)展，對電源的效率、穩(wěn)定性及可靠性要求越來越高。TL494CDR2G是一款高性能的脈寬調(diào)制（PWM）控制器，其出色的電源管理能力使其在各種應(yīng)用場合獲得了廣泛的認(rèn)可。從消費電子到工業(yè)設(shè)備，TL494CDR2G展現(xiàn)了良好的適應(yīng)性。
TL494CDR2G的工作原理
TL494CDR2G芯片采用電壓反饋控制，通過調(diào)整輸出信號的脈寬來實現(xiàn)對負(fù)載電壓的調(diào)節(jié)。芯片內(nèi)部集成了比較器、電壓參考源、PWM調(diào)制器和驅(qū)動器，是一個高度集成的電源管理解決方案。
在工作過程中，TL494CDR2G根據(jù)輸出電壓與設(shè)定值的比較結(jié)果生成控制信號，通過控制外部開關(guān)元件（如MOSFET）的開關(guān)狀態(tài)來調(diào)節(jié)輸出電壓。當(dāng)負(fù)載變化導(dǎo)致輸出電壓上升時，比較器檢測到這一變化，反饋信號傳遞至PWM調(diào)制器，進(jìn)而減小輸出脈寬，降低輸出電壓。相反，當(dāng)負(fù)載減少時，輸出電壓降低，PWM調(diào)制器則增大脈寬以提升輸出電壓。
TL494CDR2G的特性
1. 寬輸入電壓范圍：TL494CDR2G具有寬廣的輸入電壓范圍，通常在8V～40V之間，可以適應(yīng)多種不同電源需求。
2. 高效能PWM控制：該芯片采用模塊化設(shè)計，支持頻率可調(diào)，允許設(shè)計師根據(jù)應(yīng)用需求靈活設(shè)定操作頻率，通常在20kHz到100kHz之間。
3. 雙輸出穩(wěn)定性：TL494CDR2G的設(shè)計允許兩路輸出，適用于多種電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，例如正激式變換器和反激式變換器。
4. 內(nèi)部過壓和過流保護(hù)：芯片內(nèi)置多種保護(hù)機制，避免因過壓或過流情況導(dǎo)致電路損壞，從而提升了整體系統(tǒng)的可靠性。
5. 良好的溫度穩(wěn)定性：TL494CDR2G在不同溫度條件下表現(xiàn)出優(yōu)良的穩(wěn)定性，確保電路在多變的環(huán)境中保持功能的可靠性。
TL494CDR2G的應(yīng)用領(lǐng)域
在消費電子產(chǎn)品中，TL494CDR2G被廣泛應(yīng)用于開關(guān)電源（SMPS），如手機充電器、電視機電源模塊等。這些應(yīng)用要求電源在不同負(fù)載下維持穩(wěn)定輸出，TL494CDR2G的脈寬調(diào)制控制能力正好滿足了這一需求。
在工業(yè)設(shè)備中，TL494CDR2G常被用于電機驅(qū)動和電源分配系統(tǒng)。電機驅(qū)動中，芯片的PWM調(diào)制控制能力可用于調(diào)節(jié)電機的速度和扭矩，而在電源分配系統(tǒng)中，其雙輸出設(shè)計能夠為多個負(fù)載提供合適的電源。
此外，TL494CDR2G還被應(yīng)用于汽車電子和醫(yī)療設(shè)備等領(lǐng)域。在汽車電子中，隨著電動車技術(shù)的發(fā)展，電源管理方案變得尤為重要，而TL494CDR2G的高效、穩(wěn)定特性使其在此類應(yīng)用中占據(jù)一席之地。在醫(yī)療設(shè)備中，電源的可靠性直接關(guān)系到設(shè)備的安全性，TL494CDR2G的過壓和過流保護(hù)特性可以有效保障系統(tǒng)的安全運行。
TL494CDR2G在電源設(shè)計中的應(yīng)用
在具體的電源設(shè)計中，利用TL494CDR2G可以實現(xiàn)多種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)。以下是幾種常見應(yīng)用場景的分析：
1. 反激式變換器設(shè)計：反激式變換器常用于低功率應(yīng)用中，如適配器和充電器。在此設(shè)計中，TL494CDR2G可用于提供同步整流，減少反向泄漏損耗，提升效率。設(shè)計師可以通過調(diào)整反饋電路的增益來實現(xiàn)更精確的輸出電壓控制。
2. 正激式變換器設(shè)計：正激式變換器適合于中高功率場合。在該設(shè)計中，TL494CDR2G的雙輸出可用于驅(qū)動主開關(guān)和同步整流開關(guān)，以實現(xiàn)高效的電源轉(zhuǎn)換，提高功率密度。
3. 電機控制電源：在電機控制系統(tǒng)中，TL494CDR2G能通過PWM信號有效調(diào)節(jié)電機的運行狀態(tài)。通過對輸出脈寬的精確控制，可以實現(xiàn)電機的平穩(wěn)加速和減速，從而延長設(shè)備壽命。
4. 模塊化電源供應(yīng)：TL494CDR2G也可用于生成穩(wěn)定的模塊化電源，為網(wǎng)絡(luò)設(shè)備、存儲裝置等提供均勻的電源需求。在此應(yīng)用中，該芯片的高輸入電壓兼容性和雙輸出特性使其在設(shè)計中具有靈活性。
電路設(shè)計示例
在設(shè)計一個基于TL494CDR2G的電源電路時，有幾個關(guān)鍵因素需要考慮。首先，濾波電路的設(shè)計至關(guān)重要，通常需選擇合適的電容器和電感元件以優(yōu)化系統(tǒng)性能。其次，反饋網(wǎng)絡(luò)的選擇直接影響到系統(tǒng)的響應(yīng)時間和穩(wěn)定性。設(shè)計師需要謹(jǐn)慎選擇反饋電阻值，以獲得理想的閉環(huán)增益。
在具體實例中，一個簡單的反激式電源設(shè)計可以根據(jù)TL494CDR2G的引腳配置設(shè)置PWM控制頻率，調(diào)整反饋電路，以實現(xiàn)所需的輸出電壓和電流配置。此外，配合輸入濾波器和過電壓保護(hù)電路，可以保證電源在實際使用中的穩(wěn)定性和安全性。
未來發(fā)展方向
隨著技術(shù)進(jìn)步，TL494CDR2G的應(yīng)用領(lǐng)域也在不斷擴展。未來，隨著新能源和電動汽車技術(shù)的不斷成熟，對電源管理芯片的需求將進(jìn)一步增加。TL494CDR2G憑借其高效的性能和可調(diào)的功能，有望在這些新興市場中扮演重要角色。同時，改進(jìn)其集成度和智能化水平，將更加符合全球節(jié)能減排的潮流，推動電源管理技術(shù)的發(fā)展。
在設(shè)計與應(yīng)用的過程中，不同的電源拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)、外部元件的選擇與應(yīng)用，以及反饋機制的設(shè)計，將進(jìn)一步影響TL494CDR2G的工作性能。這也為后續(xù)的研究與開發(fā)提供了廣闊的空間，為推動電源管理技術(shù)的進(jìn)步貢獻(xiàn)力量。
TL494CDR
TI(德州儀器)
STM8L051F3P6
ST(意法)
LPC2478FBD208
NXP(恩智浦)
88Q2112-A2-NYD2A000
Marvell(美滿)
TJA1055T/1
NXP(恩智浦)
L6562ADTR
ST(意法)
TPS40210DGQR
TI(德州儀器)
MC56F8345VFGE
NXP(恩智浦)
DRV8432DKDR
TI(德州儀器)
MIMX8MM6CVTKZAA
Freescale(飛思卡爾)
GD32F303RET6
GD(兆易創(chuàng)新)
XTR106UA
Burr-Brown(TI)
STM32F091RCT6
ST(意法)
VN5770AKPTR-E
ST(意法)
HMC677LP5E
ADI(亞德諾)
ALC269Q-VB6-CG
REALTEK(瑞昱)
TPS3808G33DBVR
TI(德州儀器)
SN74LVC2T45DCUR
TI(德州儀器)
MURA160T3G
ON(安森美)
L6234PD
ST(意法)
USB2514BI-AEZG
smsc
LM393DT
Rohm(羅姆)
FS32K144HFT0VLL
NXP(恩智浦)
DS90UB947TRGCRQ1
ST(意法)
NCP3063BDR2G
ON(安森美)
EN5329QI
ALTERA(阿爾特拉)
TMS320DM6435ZWT7
TI(德州儀器)
STM32L031G6U6
ST(意法)
LL4148
Vishay(威世)
TMS320F28377SPTPT
TI(德州儀器)
AMC1200SDUBR
TI(德州儀器)
STM32F446VET6
ST(意法)
MCF5213CAF80
Freescale(飛思卡爾)
MAX3232EUE
Maxim(美信)
MK64FN1M0VMD12
Freescale(飛思卡爾)
STM32F207VGT6
ST(意法)
LM2902DR
ON(安森美)
ATXMEGA256A3BU-AU
Microchip(微芯)
PM-DB2745S
Holt Integrated Circuits Inc.
LIS3LV02DL
ST(意法)
SN74LVC1T45DBVR
TI(德州儀器)
EP4CE55F23I7N
INTEL(英特爾)
NCP1117ST50T3G
ON(安森美)
MC78M05BDTRKG
ON(安森美)
ST1S14PHR
ST(意法)
STM32H743VGT6
ST(意法)
SN74LVC1G125DBVR
TI(德州儀器)
CH340C
WCH(南京沁恒)
STM32F767IIT6
ST(意法)
STM8S103F3P6
ST(意法)
SY8088AAC
SILERGY(矽力杰)
NSV45090JDT4G
ON(安森美)
ISO7741FQDWWRQ1
TI(德州儀器)
K4E8E324EB-EGCF
SAMSUNG(三星)
SN65HVD72DR
TI(德州儀器)
TPS929120QPWPRQ1
TI(德州儀器)
MT41K256M16HA-125IT:E
micron(鎂光)
PIC16F887-I/PT
MIC(昌福)
HDC1080DMBR
TI(德州儀器)
REF3125AIDBZR
Burr-Brown(TI)
TPS76333DBVR
TI(德州儀器)
BAT54SLT1G
TI(德州儀器)
EPM3064ATC44-10N
ALTERA(阿爾特拉)
LMZ31707RVQR
TI(德州儀器)
TPS55340PWPR
TI(德州儀器)
LP2985-33DBVR
NS(國半)
MC78L05ACDR2G
ON(安森美)
MCP2515-I/ST
Microchip(微芯)
MK60DN512VLL10
NXP(恩智浦)
DRV8870DDAR
ST(意法)
HGT1S10N120BNST
ON(安森美)
NCV4274AST33T3G
ON(安森美)
SN75176BP
XINBOLE(芯伯樂)
LPC1765FBD100
NXP(恩智浦)
PIC32MX795F512L-80I/PF
Microchip(微芯)
SN65HVD1050DR
TI(德州儀器)
SJA1000T/N1
Philips(飛利浦)
MC14013BDR2G
MOT(仁懋)
FT232BL
FTDI(飛特帝亞)
STW13NK100Z
ST(意法)
IRF4905STRLPBF
IR(國際整流器)
N25Q128A13ESE40F
micron(鎂光)
ATXMEGA128A1-AU
Microchip(微芯)
10M02SCU169C8G
INTEL(英特爾)
MMBT3904
Diodes(美臺)
ATMEGA32U4-AU
Atmel(愛特梅爾)
ATXMEGA256A3BU-MH
Atmel(愛特梅爾)
TL072CDR
TI(德州儀器)
UPD720201K8-701-BAC-A
Renesas(瑞薩)
THGBMNG5D1LBAIL
TOSHIBA(東芝)
IPW65R041CFD
Infineon(英飛凌)
ADXL1002BCPZ
ADI(亞德諾)
MCIMX6U5EVM10AD
NXP(恩智浦)
BQ24610RGER
TI(德州儀器)
STM32F103ZGT6
ST(意法)
PCM1808PWR
Burr-Brown(TI)
10M40DAF256I7G
INTEL(英特爾)
TDA8954TH
NXP(恩智浦)
AFBR-S10TR001Z
Avago(安華高)
MCF5329CVM240
Freescale(飛思卡爾)
TJA1050T
NXP(恩智浦)
L7805CV-DG
ST(意法)
EPM1270T144C5N
ALTERA(阿爾特拉)
STM8S105K4T6C
ST(意法)
STM32F746VGT6
ST(意法)
EP5368QI
INTEL(英特爾)
