TPD7S019-15DBQR的詳細參數(shù)
參數(shù)名稱
參數(shù)值
Source Content uid
TPD7S019-15DBQR
Brand Name
Texas Instruments
是否無鉛
不含鉛
是否Rohs認證
符合
生命周期
Active
Objectid
1464701797
零件包裝代碼
SOIC
包裝說明
SSOP-16
針數(shù)
16
Reach Compliance Code
compliant
Country Of Origin
Malaysia, Mexico
ECCN代碼
EAR99
HTS代碼
8542.39.00.01
風險等級
7.5
Samacsys Description
7-CHANNEL INTEGRATED ESD SOLUTION FOR VGA PORT WITH INTEGRATED LEVEL SHIFTER AND MATCHING IMPEDANCE
Samacsys Manufacturer
Texas Instruments
Samacsys Modified On
2024-11-15 13:35:08
YTEOL
15
商用集成電路類型
CONSUMER CIRCUIT
JESD-30 代碼
R-PDSO-G16
JESD-609代碼
e4
長度
4.9 mm
濕度敏感等級
1
功能數(shù)量
1
端子數(shù)量
16
最高工作溫度
85 °C
最低工作溫度
-40 °C
封裝主體材料
PLASTIC/EPOXY
封裝代碼
SSOP
封裝等效代碼
SSOP16,.25
封裝形狀
RECTANGULAR
封裝形式
SMALL OUTLINE, SHRINK PITCH
峰值回流溫度（攝氏度）
260
認證狀態(tài)
Not Qualified
座面最大高度
1.75 mm
最大壓擺率
2 mA
最大供電電壓 (Vsup)
5.5 V
最小供電電壓 (Vsup)
表面貼裝
YES
溫度等級
INDUSTRIAL
端子面層
NICKEL PALLADIUM GOLD
端子形式
GULL WING
端子節(jié)距
0.635 mm
端子位置
DUAL
處于峰值回流溫度下的最長時間
30
寬度
3.9 mm
TPD7S019-15DBQR 靜電保護裝置的應用與特性研究
引言
隨著微電子技術(shù)的飛速發(fā)展，各類電子設備的功能日益增強，尤其是在通信、消費電子和汽車電子等領(lǐng)域，集成電路(IC)的集成度不斷提高。這一趨勢雖然推動了電子設備的普及和技術(shù)的進步，但同時也使得這些設備對各種外部干擾，特別是靜電放電(ESD)的敏感性顯著增強。靜電放電不僅可能引起集成電路的即時故障，還可能導致長期的性能退化。因此，保護元件的研發(fā)和應用顯得尤為重要。在眾多的靜電保護裝置中，TPD7S019-15DBQR作為一種高效的靜電保護器件，其應用日益廣泛。
靜電放電的影響
靜電放電是指在兩個帶有不同電荷的物體之間瞬間釋放電能的過程。在電子設備中，靜電放電的發(fā)生可能導致電子元件短路、數(shù)據(jù)丟失或永久性損壞。根據(jù)國際電工委員會（IEC）發(fā)布的相關(guān)標準，靜電放電可以分為接觸放電和空氣放電兩種方式。在日常環(huán)境中，接觸放電的發(fā)生通常由于人接觸了帶電的物體后，瞬間將電荷導入設備內(nèi)部，導致設備受損。空氣放電則通常是由于靜電荷在空氣中積累到一定程度后造成的放電，而這種放電的電流和能量比接觸放電更為劇烈。
TPD7S019-15DBQR 的技術(shù)參數(shù)
TPD7S019-15DBQR是一款以鉭電容和專用靜電保護二極管為核心的靜電保護裝置。其主要技術(shù)參數(shù)包括：
- 工作電壓：最大工作電壓可達5V，適合絕大多數(shù)低壓電子設備 - 保護電流：可承受最大放電電流達到±8kV，確保在極端條件下也能正常工作 - 封裝類型：采用超小型的SOT-23封裝，有效節(jié)省PCB空間 - 工作溫度范圍：適應的工作溫度為-40°C至+125°C，保證了在不同環(huán)境下的正常運行
應用領(lǐng)域
TPD7S019-15DBQR廣泛應用于各種便攜式電子設備，如智能手機、平板電腦和可穿戴設備等。由于這些設備通常需要與外部環(huán)境頻繁交互，導致其受到靜電干擾的風險增加，因此在設計其電路時，加入靜電保護裝置顯得尤為重要。此外，該器件還被廣泛應用于汽車電子系統(tǒng)，如車載導航、車載娛樂系統(tǒng)等，以確保在惡劣環(huán)境下設備的安全性和穩(wěn)定性。
工作原理
TPD7S019-15DBQR的工作原理主要基于其內(nèi)部的二極管結(jié)構(gòu)。當外界電壓超過其額定值時，內(nèi)部二極管會瞬間導通，從而將多余的電流引入地線，保護后端的敏感器件不受電壓瞬變的影響。通過這種方式，該裝置能夠迅速響應外部靜電放電事件，將電壓抑制在安全水平之內(nèi)，從而確保器件與電路的穩(wěn)定性。
性能優(yōu)勢
TPD7S019-15DBQR相較于傳統(tǒng)的靜電保護元件，具有以下幾方面的顯著優(yōu)勢：
1. 響應速度快：該器件能在極短的時間內(nèi)完成對靜電放電的反應，有效降低損壞風險。 2. 低電容特性：其較低的輸入電容值使得TPD7S019-15DBQR能夠與高速信號線共同工作而不會引起顯著的信號衰減。 3. 小型化設計：超小型的封裝設計使其在對PCB尺寸要求高的應用中顯得尤為重要，有助于簡化電路布局。 4. 廣泛的兼容性：付優(yōu)秀的電流承載能力和工作溫度范圍，使得該器件能夠適應不同廠商的多種應用需求。
環(huán)境與可靠性考慮
在實際應用中，TPD7S019-15DBQR的可靠性也得到了充分的考量。針對其材料的耐久性以及在極端環(huán)境下的表現(xiàn)，廠家進行了大量的可靠性測試，確保能夠滿足各種嚴苛條件下的使用需求。此外，TPD7S019-15DBQR還符合RoHS等環(huán)保標準，為其在市場上的推廣提供了保障。
未來的發(fā)展趨勢
隨著電子設備的智能化和多樣化，市場對靜電保護組件的需求也在不斷增加。在未來，TPD7S019-15DBQR等靜電保護裝置無疑會繼續(xù)朝著更高的集成度、更小的體積和更強的保護能力發(fā)展。研究者們也將會探索新的材料和結(jié)構(gòu)，以進一步提升靜電保護設備的性能，從而更好地適應快速變化的電子市場需求。這些發(fā)展將使得未來的電子產(chǎn)品能夠在更復雜和多變的環(huán)境中提供更高的安全性和可靠性，推動整個電子產(chǎn)業(yè)的進步和發(fā)展。
TPD7S019-15DBQR不僅僅是一款靜電保護裝置，更是推動電子設備可靠性提升的重要技術(shù)基礎，其在應用領(lǐng)域的深入拓展將為消費者和產(chǎn)業(yè)界提供更堅實的保護屏障。
TPD7S019-15DBQR
TI(德州儀器)
10CL055YF484I7G
ALTERA(阿爾特拉)
AT32F437ZGT7
IRFP264PBF
Vishay(威世)
LSF0102DQER
TI(德州儀器)
SRP4020TA-2R2M
Bourns(伯恩斯)
AD5754BREZ
ADI(亞德諾)
AT28C64B-15SU
Atmel(愛特梅爾)
ATMEGA8515-16MU
Microchip(微芯)
NRVTSA3100ET3G
ON(安森美)
STMPS2171STR
ST(意法)
UCC21520AQDWRQ1
TI(德州儀器)
25AA256-I/P
Microchip(微芯)
AP6502SP-13
Diodes(美臺)
GD32E230F8P6TR
GD(兆易創(chuàng)新)
MMBFJ112
Fairchild(飛兆/仙童)
TM4C123GH6PMT7
TI(德州儀器)
XCV400-4HQ240I
XILINX(賽靈思)
AD7705BNZ
ADI(亞德諾)
CH7517A-BFI
CHRONTEL(昆泰)
LM317LCDR
TI(德州儀器)
MT28EW256ABA1LPC-0SIT
micron(鎂光)
OP07CPZ
ADI(亞德諾)
TPS79301DBVRQ1
TI(德州儀器)
BTS442E2
Infineon(英飛凌)
PIC16F1503-I/ST
Microchip(微芯)
S29GL128S90TFI010
SPANSION(飛索)
S3C2440AL-40
SAMSUNG(三星)
STM32F103VEH6
ST(意法)
TSUMV59XUS-Z1
MSTAR(晨星)
XC6204B332MR
TOREX(特瑞仕)
74LVC1G14GV
NXP(恩智浦)
ATTINY26-16SU
Microchip(微芯)
MFRC63003HNE
NXP(恩智浦)
TL431CPK
TI(德州儀器)
TMS320F28075PZPS
TI(德州儀器)
TPS62560DRVR
TI(德州儀器)
742792651
Wurth(伍爾特)
AD5165BUJZ100-R7
ADI(亞德諾)
ADHV4702-1BCPZ
ADI(亞德諾)
ASP-105884-01
Samtec
BL01RN1A1D2B
MURATA(村田)
SM6T33A
ST(意法)
STM32F407IGH7
ST(意法)
ADP1710AUJZ-R7
ADI(亞德諾)
BT139-600E
Philips(飛利浦)
CY7C65632-48AXC
Cypress(賽普拉斯)
FE1.1S-BSOP28BCN
HFBR-4503Z
Avago(安華高)
HT7150-1
HOLTEK(合泰)
PIC16F1825T-I/ST
Microchip(微芯)
PIC18F252-I/SO
Microchip(微芯)
REF3225AIDBVR
TI(德州儀器)
SZNUP3105LT3G
ON(安森美)
TPS61093DSKR
TI(德州儀器)
TPS62420QDRCRQ1
TI(德州儀器)
USB2513B-AEZC
Microchip(微芯)
XCZU19EG-2FFVC1760E
XILINX(賽靈思)
AD9744ARUZRL7
ADI(亞德諾)
CSR8670C-ICXT-R
CSR PLC
LPC1778FBD144K
NXP(恩智浦)
MAX98300ETA+T
Maxim(美信)
MSP430G2211IPW14R
TI(德州儀器)
RN8209D
S9014
CJ(江蘇長電/長晶)
24LC64T-I/ST
Microchip(微芯)
ATF1504AS-10JU84
Microchip(微芯)
FOD817SD
ON(安森美)
IRLML2246TRPBF
IR(國際整流器)
LM285DR-1-2
ON(安森美)
ADP122AUJZ-3.3-R7
ADI(亞德諾)
ADV7125KSTZ50
ADI(亞德諾)
CDSOD323-T05C
Bourns(伯恩斯)
LS1046AXN8T1A
NXP(恩智浦)
MIC4422YM
Microchip(微芯)
MOC3052M
ON(安森美)
MP28167GQ-A-Z
MPS(美國芯源)
NCV7691D10R2G
ON(安森美)
SGM7227YUWQ10G/TR
SGMICRO(圣邦微)
TPC116S1-VR
3PEAK(思瑞浦)
ATTINY24A-MU
Atmel(愛特梅爾)
FDB045AN08A0
Fairchild(飛兆/仙童)
PMV48XP
Nexperia(安世)
SM6T12CA
ST(意法)
STM32F205VBT6
ST(意法)
SYM-18H+
Mini-Circuits
TQ2-12V
Panasonic(松下)
CD4504BPWR
TI(德州儀器)
MIC2019A-1YM6-TR
Microchip(微芯)
MIMX8DX5AVLFZAC
NXP(恩智浦)
MKL03Z16VFK4
NXP(恩智浦)
MUR160RLG
ON(安森美)
OPA2241UA
Burr-Brown(TI)
PCA9555DBR
NXP(恩智浦)
PIC18F66J10-I/PT
Microchip(微芯)
74HCT573D
NXP(恩智浦)
ADS7828EB/2K5
TI(德州儀器)
CY8C4125LQI-483
Cypress(賽普拉斯)
DAC6311IDCKR
TI(德州儀器)
DLPC3436CZVB
TI(德州儀器)
MCIMX6Y2DVM05AB
NXP(恩智浦)
MP4423HGQ-Z
MPS(美國芯源)
NBA3N5573MNTXG
ON(安森美)
VN2460N8-G
SUPERTEX(超科)
AS4C32M16SB-7TIN
Alliance Memory
AT91SAM7S256C-AU
Atmel(愛特梅爾)
CDSOT23-SRV05-4
Bourns(伯恩斯)
MC33PF8100EQES
Freescale(飛思卡爾)
SCANSTA112VS
NS(國半)
TPS7A2050PDBVR
TI(德州儀器)
UCC27212AQDDARQ1
TI(德州儀器)
10M50SCE144I7G
ALTERA(阿爾特拉)
74AVC4T245PW
NXP(恩智浦)
ADV7125JSTZ240
ADI(亞德諾)
TMUX1104DGSR
TI(德州儀器)
VN5050JTR-E
ST(意法)
XC2C64A-7VQG100C
XILINX(賽靈思)
ADS8332IBPWR
TI(德州儀器)
