IRFZ46NPBF 的詳細(xì)參數(shù)
參數(shù)名稱(chēng)
參數(shù)值
Source Content uid
IRFZ46NPBF
是否Rohs認(rèn)證
符合
生命周期
Not Recommended
Objectid
8006013495
包裝說(shuō)明
TO-220AB, 3 PIN
Reach Compliance Code
not_compliant
ECCN代碼
EAR99
HTS代碼
8541.29.00.95
Factory Lead Time
19 weeks
風(fēng)險(xiǎn)等級(jí)
6.9
Samacsys Description
Infineon IRFZ46NPBF N-channel MOSFET, 53 A, 55 V HEXFET, 3-Pin TO-220AB
Samacsys Manufacturer
Infineon
Samacsys Modified On
2023-03-07 16:10:32
YTEOL
3
其他特性
AVALANCHE RATED, HIGH RELIABILITY, ULTRA-LOW RESISTANCE
雪崩能效等級(jí)（Eas）
152 mJ
外殼連接
DRAIN
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源擊穿電壓
55 V
最大漏極電流 (ID)
39 A
最大漏源導(dǎo)通電阻
0.0165 Ω
FET 技術(shù)
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代碼
TO-220AB
JESD-30 代碼
R-PSFM-T3
JESD-609代碼
e3
元件數(shù)量
1
端子數(shù)量
3
工作模式
ENHANCEMENT MODE
最高工作溫度
175 °C
最低工作溫度
-55 °C
封裝主體材料
PLASTIC/EPOXY
封裝形狀
RECTANGULAR
封裝形式
FLANGE MOUNT
峰值回流溫度（攝氏度）
260
極性/信道類(lèi)型
N-CHANNEL
功耗環(huán)境最大值
88 W
最大功率耗散 (Abs)
107 W
最大脈沖漏極電流 (IDM)
180 A
認(rèn)證狀態(tài)
Not Qualified
表面貼裝
NO
端子面層
Tin (Sn)
端子形式
THROUGH-HOLE
端子位置
SINGLE
處于峰值回流溫度下的最長(zhǎng)時(shí)間
10
晶體管應(yīng)用
SWITCHING
晶體管元件材料
SILICON
IRFZ46NPBF 場(chǎng)效應(yīng)管的特性與應(yīng)用
場(chǎng)效應(yīng)管（Field Effect Transistor, FET）作為一種重要的電子元件，因其在電流控制、信號(hào)放大和開(kāi)關(guān)應(yīng)用中的優(yōu)越性能，得到了廣泛的關(guān)注和應(yīng)用。其中，IRFZ46NPBF是一款經(jīng)典的N溝道增強(qiáng)型場(chǎng)效應(yīng)管，以其高效的性能和可靠性，在工業(yè)、消費(fèi)電子以及汽車(chē)電子等領(lǐng)域占據(jù)了一席之地。
1. IRFZ46NPBF的基本參數(shù)
IRFZ46NPBF具有較為優(yōu)越的技術(shù)參數(shù)，使其在相關(guān)應(yīng)用中表現(xiàn)出色。其額定漏極-源極電壓（V_DS）高達(dá)55V，最大漏極電流（I_D）則可達(dá)到49A。這一設(shè)計(jì)使得其在高功率應(yīng)用中能夠表現(xiàn)出良好的穩(wěn)定性。此外，該器件的最大功耗（P_D）為94W，充分滿(mǎn)足了多種應(yīng)用場(chǎng)景的需要。
值得一提的是，IRFZ46NPBF的柵極-源極閾值電壓（V_GS(th)）在2V至4V之間，這意味著其在較低的柵極電壓下即可導(dǎo)通，使其適用于低電壓驅(qū)動(dòng)的電路。此外，器件的柵極電容量（C_iss）為2200pF，體二極管的反向恢復(fù)時(shí)間短，亦為其在快速開(kāi)關(guān)應(yīng)用中增添了優(yōu)勢(shì)。這些參數(shù)使得IRFZ46NPBF能夠高效且穩(wěn)定地執(zhí)行各種電子功能。
2. 器件的物理特性
IRFZ46NPBF采用了增強(qiáng)型結(jié)構(gòu)，這種設(shè)計(jì)使得其在控制電流時(shí)，只需施加一定的電壓，就能在源極和漏極之間形成導(dǎo)電通路。其內(nèi)部結(jié)構(gòu)，包括源極、漏極和柵極之間的絕緣層，均采用高質(zhì)量材料，有效提高了器件的工作效率。
此外，采用MOSFET技術(shù)的IRFZ46NPBF具備高輸入阻抗，因而在電路設(shè)計(jì)中可減少對(duì)驅(qū)動(dòng)電路的負(fù)擔(dān)。在電子電路中，低輸入功耗和高頻率性能是至關(guān)重要的，而IRFZ46NPBF恰好均衡了這兩者的需求，無(wú)論是在開(kāi)關(guān)電源、直流-直流轉(zhuǎn)換器還是其它電力電子應(yīng)用中，均能展現(xiàn)其技術(shù)優(yōu)勢(shì)。
3. 工作原理與應(yīng)用領(lǐng)域
在典型的N溝道增強(qiáng)型FET中，載流子為電子。工作時(shí)，當(dāng)柵極施加正電壓時(shí)，柵極和源極之間會(huì)形成一個(gè)電場(chǎng)，此電場(chǎng)導(dǎo)致半導(dǎo)體表面形成導(dǎo)電通道，允許電子從源極流向漏極。通過(guò)調(diào)節(jié)柵極電壓，可以精確控制漏極電流的大小。
IRFZ46NPBF在現(xiàn)代電子設(shè)備中發(fā)揮著重要作用。在電源管理應(yīng)用中，比如開(kāi)關(guān)電源和逆變器中，能夠高效地調(diào)節(jié)電能，減少能量損失。在汽車(chē)電子方面，其可以作為動(dòng)力管理單元中的開(kāi)關(guān)元件，保證電池的高效利用和車(chē)輛的穩(wěn)定性。此外，其在電動(dòng)機(jī)驅(qū)動(dòng)器、家電控制、LED驅(qū)動(dòng)電路等應(yīng)用中，均可見(jiàn)到其身影。
4. 性能評(píng)估方法
對(duì)IRFZ46NPBF的性能評(píng)估通常采用瞬態(tài)特性測(cè)試、靜態(tài)特性測(cè)試以及熱特性評(píng)估等多種手段。在瞬態(tài)特性測(cè)試中，通過(guò)監(jiān)測(cè)其紋波電流、開(kāi)關(guān)速度等指標(biāo)，評(píng)估其在快速變化負(fù)載下的表現(xiàn)。而對(duì)于靜態(tài)特性評(píng)估，主要關(guān)注漏電流、閾值電壓等參數(shù)，以判斷其穩(wěn)定性和可靠性。
熱特性方面，IRFZ46NPBF可在不同的工作溫度下進(jìn)行測(cè)試，通過(guò)分析其在高溫下的性能變化，了解其在極端環(huán)境下的適應(yīng)性。這些評(píng)估方法不僅為產(chǎn)品的可靠性設(shè)計(jì)提供了數(shù)據(jù)支持，也為后續(xù)器件的改進(jìn)和優(yōu)化奠定了基礎(chǔ)。
5. 設(shè)計(jì)注意事項(xiàng)
在應(yīng)用IRFZ46NPBF時(shí)，設(shè)計(jì)者需考慮到多方面因素，以確保器件能夠在安全范圍內(nèi)高效工作。首先，要根據(jù)其額定電壓和電流選擇合適的電源，并對(duì)電源電壓進(jìn)行適時(shí)監(jiān)控，避免超出設(shè)備的額定范圍。其次，合理布局電路板，減小寄生電感和電阻，以降低信號(hào)延遲和能量損耗。此外，設(shè)計(jì)適合的散熱系統(tǒng)也是十分重要的。在密閉空間，IRFZ46NPBF可能由于較大的功耗產(chǎn)生大量熱量，散熱設(shè)計(jì)的合理性直接影響器件的壽命和可靠性。
6. 未來(lái)發(fā)展趨勢(shì)
隨著科技的發(fā)展，IRFZ46NPBF等場(chǎng)效應(yīng)管正逐漸向更高效、更小型化的方向發(fā)展。研究者們正在探索新材料的應(yīng)用，如氮化鎵（GaN）和碳化硅（SiC），這些材料因其優(yōu)越的導(dǎo)電性和耐高溫性能，有望成為未來(lái)電力電子器件的主要選擇。此外，智能化電路的普及，也將對(duì)場(chǎng)效應(yīng)管的集成化和多功能化提出更高的要求，從而促使IRFZ46NPBF等器件不斷進(jìn)化與改進(jìn)。
IRFZ46NPBF
Infineon（英飛凌）
IRS2007STRPBF
Infineon(英飛凌)
ISO7220MD
TI(德州儀器)
LT4351IMS#TRPBF
LINEAR(凌特)
M74VHC1GT08DFT1G
ON(安森美)
MAX3070EESD
Maxim(美信)
MM32F0010A1T
mindmotion(靈動(dòng))
MPC8247CVRMIBA
Freescale(飛思卡爾)
MT40A1G8WE-083E:B
micron(鎂光)
NCV4275ADT33RKG
ON(安森美)
PCM5122PWR
TI(德州儀器)
PIC16F882T-I/SS
Microchip(微芯)
SCT2630ASTER
SIHG47N60E-GE3
Vishay(威世)
SMLV56RGB1U1
Rohm(羅姆)
SMS7621-079LF
Skyworks(思佳訊)
STM32F103VGT6TR
ST(意法)
STM8L152C4T6
ST(意法)
SZBZX84C12LT1G
ON(安森美)
TC8020K6-G
Microchip(微芯)
TMS320F28234PGFA
TI(德州儀器)
TPS54302DDCT
TI(德州儀器)
TS5A4595DCKR
TI(德州儀器)
74LVC2G74DP
NXP(恩智浦)
9774025151R
Wurth(伍爾特)
AD1674ARZ
ADI(亞德諾)
AFT05MS031GNR1
Freescale(飛思卡爾)
ATMEGA165P-16AU
Atmel(愛(ài)特梅爾)
ES7243E
Everest-semi(順芯)
GCJ32EC71H106KA01L
MURATA(村田)
HD64F3664HV
Renesas(瑞薩)
ISL9R1560P2
ON(安森美)
M21121G-11
Mindspeed
MBRS340T3
ON(安森美)
MP8796GVT-Z
MPS(美國(guó)芯源)
PIC18LF46K22T-I/PT
Microchip(微芯)
R5F102AAASP
Renesas(瑞薩)
R7FA4M2AB3CFM#AA0
Renesas(瑞薩)
TC7W74FU
TOSHIBA(東芝)
TCAN1042HGDRQ1
TI(德州儀器)
TLS205B0EJV50
Infineon(英飛凌)
UCC28C45DGK
TI(德州儀器)
XC7S75-1FGGA676C
XILINX(賽靈思)
XCKU035-2FBVA676E
XILINX(賽靈思)
93AA66A-I/SN
Microchip(微芯)
AD5308ARUZ
ADI(亞德諾)
ADCLK948BCPZ
ADI(亞德諾)
ADF7021BCPZ-RL
ADI(亞德諾)
ADS8505IBDB
Burr-Brown(TI)
ADSP-21488KSWZ-4A
ADI(亞德諾)
AMK-3-452+
Mini-Circuits
AQV258HAX
Panasonic(松下)
ATA663254-GAQW
Microchip(微芯)
BSC0901NS
Infineon(英飛凌)
BZX384-B5V1
NXP(恩智浦)
CJ78M12
CJ(江蘇長(zhǎng)電/長(zhǎng)晶)
EP4CE6F17C8NAD
ALTERA(阿爾特拉)
EY82C627
INTEL(英特爾)
IRFI4212H-117P
Infineon(英飛凌)
LM339M
TI(德州儀器)
LT3690IUFE#TRPBF
ADI(亞德諾)
MSD6190HB-L-Z1
MSTAR(晨星)
MSP430F67791IPZR
TI(德州儀器)
PIC16F73T-I/SS
Microchip(微芯)
QN3109M6N
UBIQ
S9S12GN16BMLC
NXP(恩智浦)
SN74AVCH16T245GR
TI(德州儀器)
STM32L100C6U6
ST(意法)
SY7066QMC
SILERGY(矽力杰)
XC7S6-2FTGB196C
XILINX(賽靈思)
5P49V5901B000NLGI8
Renesas(瑞薩)
AT25SF041B-MAHD-T
ADESTO(領(lǐng)迎)
AT88SC25616C-MJ
Microchip(微芯)
BTS5020-1EKA
Infineon(英飛凌)
DS1721S
Maxim(美信)
ESDALC6V1-5P6
ST(意法)
F81438G
FCP190N65F
Fairchild(飛兆/仙童)
IPN80R4K5P7
Infineon(英飛凌)
IR35412MTRPBF
IR(國(guó)際整流器)
IRF3205S
IR(國(guó)際整流器)
ISL6726AAZ
Intersil(英特矽爾)
L6384ED
ST(意法)
LME49723MAX/NOPB
TI(德州儀器)
LTC3026EDD
LINEAR(凌特)
MAX3057ASA
Maxim(美信)
MC33FS8430G1ES
NXP(恩智浦)
MIMX8MQ5CVAHZAB
NXP(恩智浦)
NRVTS10100EMFST1G
ON(安森美)
OPA2244EA
TI(德州儀器)
PCA9539BS
NXP(恩智浦)
PL2303GL
PROLIFIC(旺玖科技)
RDA6625E
RDA(銳迪科)
STEF4SPUR
ST(意法)
SX9310ICSTRT
Semtech(商升特)
TC4424AVOA
MIC(昌福)
TL431BQDBZT
NXP(恩智浦)
TW9966AT-LC1-GR
Renesas(瑞薩)
UCC28703DBVR
TI(德州儀器)
XCZU67DR-L2FFVE1156I
XILINX(賽靈思)
AA88347A
AGAMEM
ADV7127KRUZ50
ADI(亞德諾)
AS5035
AMS(艾邁斯)
CDCLVP1216RGZ
TI(德州儀器)
DS1822+
Maxim(美信)
EG3033
FCP125N65S3
ON(安森美)
FS32K146UAT0VLHR
NXP(恩智浦)
ICE40HX1K-CB132
Lattice(萊迪斯)
ISO1I813T
Infineon(英飛凌)
IXGM40N60A
IXYS(艾賽斯)
JS28F00AM29EWHA
micron(鎂光)
KSZ9893RNXC
Microchip(微芯)
LPC2134FBD64
NXP(恩智浦)
MAX4896ETP+
Maxim(美信)
MAX9296AGTM/V+
Maxim(美信)
MCIMX6U6AVM08ACR
MX69V28F64MBXLW
MXIC(旺宏)
NE5532
XINBOLE(芯伯樂(lè))
