PDTD123EUX 的詳細(xì)參數(shù)
參數(shù)名稱
參數(shù)值
Source Content uid
PDTD123EUX
Brand Name
Nexperia
是否Rohs認(rèn)證
符合
生命周期
Active
Objectid
8271694270
零件包裝代碼
SC-70
包裝說明
SC-70, 3 PIN
針數(shù)
3
制造商包裝代碼
SOT323
Reach Compliance Code
compliant
ECCN代碼
EAR99
Factory Lead Time
6 weeks
風(fēng)險等級
7.64
Samacsys Manufacturer
Nexperia
Samacsys Modified On
2022-06-22 21:39:32
YTEOL
7
其他特性
BUILT IN BIAS RESISTANCE RATIO IS 1
最大集電極電流 (IC)
0.5 A
集電極-發(fā)射極最大電壓
50 V
配置
SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流電流增益 (hFE)
40
JESD-30 代碼
R-PDSO-G3
JESD-609代碼
e3
濕度敏感等級
1
元件數(shù)量
1
端子數(shù)量
3
封裝主體材料
PLASTIC/EPOXY
封裝形狀
RECTANGULAR
封裝形式
SMALL OUTLINE
峰值回流溫度（攝氏度）
260
極性/信道類型
NPN
參考標(biāo)準(zhǔn)
AEC-Q101; IEC-60134
表面貼裝
YES
端子面層
TIN
端子形式
GULL WING
端子位置
DUAL
處于峰值回流溫度下的最長時間
30
晶體管應(yīng)用
SWITCHING
晶體管元件材料
SILICON
標(biāo)稱過渡頻率 (fT)
225 MHz
數(shù)字晶體管的原理與應(yīng)用
在現(xiàn)代電子技術(shù)中，數(shù)字晶體管作為關(guān)鍵的基本元件，廣泛應(yīng)用于各種電子產(chǎn)品中。它們被用于計算機、通信設(shè)備、消費電子產(chǎn)品等領(lǐng)域，承載著數(shù)據(jù)處理與存儲的重任。數(shù)字晶體管的出現(xiàn)，標(biāo)志著電子工程領(lǐng)域的一次革命，它在信息時代的發(fā)展中扮演了不可或缺的角色。
一、數(shù)字晶體管的基本結(jié)構(gòu)與工作原理
數(shù)字晶體管通常是由半導(dǎo)體材料制成的，最常見的類型是硅晶體管。晶體管的基本結(jié)構(gòu)包括發(fā)射極、基極與集電極三個部分。發(fā)射極注入載流子，基極調(diào)制載流子的流動，而集電極用于收集這些載流子。與模擬晶體管相比，數(shù)字晶體管主要用于開關(guān)功能，它的工作狀態(tài)（導(dǎo)通或關(guān)閉）代表二進制的1和0。
數(shù)字晶體管的工作原理可以用“閾值電壓”來解釋。當(dāng)輸入電壓超過一定閾值時，晶體管由關(guān)閉狀態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)，反之亦然。在這一過程中，高速的開關(guān)特性使得數(shù)字晶體管能夠?qū)崿F(xiàn)快速的數(shù)據(jù)處理與傳輸。這種性質(zhì)使得數(shù)字晶體管成為邏輯門、存儲器單元以及微處理器的重要組成部分。
二、數(shù)字晶體管的類型
數(shù)字晶體管有多種類型，其中最為常見的包括雙極型晶體管（BJT）和場效應(yīng)晶體管（FET）。BJT依靠電流控制電流的流動，而FET則依賴于電壓控制電流。各類型的數(shù)字晶體管在性能、功耗、速度等方面有所不同，設(shè)計工程師可以根據(jù)具體應(yīng)用的需求選擇合適的晶體管類型。
1. 雙極型晶體管（BJT）：BJT在數(shù)字電路中廣泛應(yīng)用，主要用于放大和開關(guān)應(yīng)用。由于其較高的輸出電流能力，BJT常被用作驅(qū)動電路。
2. 場效應(yīng)晶體管（FET）：FET又分為多個子類型，如MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）、JFET（結(jié)型場效應(yīng)晶體管）等。MOSFET由于其高輸入阻抗和低功耗特性，成為現(xiàn)代數(shù)字電路的主流選擇。
3. CMOS（互補金屬氧化物半導(dǎo)體）：CMOS技術(shù)結(jié)合了N型和P型MOSFET，從而在電路切換時實現(xiàn)極低的功耗。CMOS電路的普及，使得數(shù)字電路的設(shè)計更加靈活，集成度更高。
三、數(shù)字晶體管的應(yīng)用領(lǐng)域
數(shù)字晶體管的應(yīng)用幾乎覆蓋了所有電子設(shè)備。在計算機領(lǐng)域，微處理器的核心構(gòu)件就是大量的數(shù)字晶體管，通過開關(guān)操作進行復(fù)雜的計算和存儲。在通信領(lǐng)域，數(shù)字晶體管用于調(diào)制解調(diào)器、路由器及無線通信設(shè)備，實現(xiàn)數(shù)據(jù)的高速傳輸與處理。
此外，在消費電子產(chǎn)品中，數(shù)字晶體管也發(fā)揮著關(guān)鍵作用。智能手機、平板電腦和智能電視等設(shè)備中，數(shù)字晶體管的高效能和高集成度，使得這些設(shè)備能夠?qū)崿F(xiàn)多種功能，提升用戶體驗。家居自動化設(shè)備、智能家居系統(tǒng)同樣離不開數(shù)字晶體管，它們在控制電路和傳感器中起著重要的作用。
四、數(shù)字晶體管的性能特征
數(shù)字晶體管的性能特征是設(shè)計電子電路時必須考慮的重要因素。開關(guān)速度、功耗、熱穩(wěn)定性、驅(qū)動能力等都是影響其性能的關(guān)鍵參數(shù)。
1. 開關(guān)速度：數(shù)字晶體管的開關(guān)速度直接影響到電路的工作頻率。高開關(guān)速度意味著電路可以在更短的時間內(nèi)完成數(shù)據(jù)傳輸與處理，適用于高速計算與通信的場合。
2. 功耗：隨著技術(shù)的發(fā)展，降低功耗成為設(shè)計數(shù)字電路的重要趨勢。數(shù)字晶體管的設(shè)計旨在在保證性能的同時，盡可能減少功耗，以延長電池壽命，提高能源利用率。
3. 熱穩(wěn)定性：在高功率應(yīng)用環(huán)境中，數(shù)字晶體管的熱穩(wěn)定性成為關(guān)鍵考慮因素。良好的熱管理能夠保證設(shè)備的穩(wěn)定運行，并延長其使用壽命。
五、數(shù)字晶體管未來的發(fā)展趨勢
隨著科技的不斷進步，數(shù)字晶體管的材料與制造工藝也在不斷演化。新型材料的使用，例如石墨烯和碳納米管，正在引領(lǐng)數(shù)字晶體管性能的提升。與此同時，三維集成電路技術(shù)的出現(xiàn)，使得數(shù)字晶體管能夠在更小的空間內(nèi)實現(xiàn)更高的性能，推動著電子產(chǎn)品向更小型、更高效的方向發(fā)展。
此外，量子計算和光子計算等前沿技術(shù)也將數(shù)字晶體管的應(yīng)用帶入一個新紀(jì)元。這些新技術(shù)對傳統(tǒng)的晶體管構(gòu)造提出了挑戰(zhàn)，可能會促使新型數(shù)字器件的誕生，進而改變整個電子產(chǎn)業(yè)的生態(tài)。
PDTD123EUX
NEXPERIA（安世）
RX8025T-UB
EPSON(愛普生)
CGH40045F
CREE(科銳)
LM62440CPPQRJRRQ1
TI(德州儀器)
TPS7A02185PDQNR
TI(德州儀器)
74HC74PW
Philips(飛利浦)
ATXMEGA384C3-MH
Microchip(微芯)
FSBB15CH120D
ON(安森美)
G2898KD1U
GMT(致新)
HDMIULC6-4SC6
ST(意法)
LM2904VQDRQ1
TI(德州儀器)
MT6323LGA
MediaTek.Inc(聯(lián)發(fā)科)
NJVNJD35N04T4G
ON(安森美)
ST72F324BJ6T6
ST(意法)
STW70N60M2
ST(意法)
XC7Z030-2FBG484I
XILINX(賽靈思)
74HC125PW
NXP(恩智浦)
AD5320BRTZ
ADI(亞德諾)
MPX5050DP
MOTOROLA(摩托羅拉)
NCP3066DR2G
ON(安森美)
TP3067WM
TI(德州儀器)
UPD720210K8-BAF-A
Renesas(瑞薩)
88E6083-B0-LGR1C000
Marvell(美滿)
CH340B
WCH(南京沁恒)
EM2140P01QI
ALTERA(阿爾特拉)
EPM7128STI100-10
ALTERA(阿爾特拉)
KSZ9563RNXI
Microchip(微芯)
MIMXRT1024CAG4A
NXP(恩智浦)
STM32F303K8T6
ST(意法)
STM32F756BGT6
ST(意法)
SY8105ADC
SILERGY(矽力杰)
TC4427EOA
TOSHIBA(東芝)
UXN14M9P
Microsemi(美高森美)
IGCM15F60GA
Infineon(英飛凌)
LT8645SEV-2#PBF
ADI(亞德諾)
M0518LD2AE
Nuvoton(新唐)
RC522
China(國產(chǎn))
SN74AHC595PWR
TI(德州儀器)
TLV2370IDBV
TI(德州儀器)
ADUM3400ARWZ
ADI(亞德諾)
AO3407
AOS(萬代)
BLP9G0722-20G
Ampleon
HCPL-063L
Agilent(安捷倫)
HMC423MS8E
Hittite Microwave
LT1014DDW
LINEAR(凌特)
MAX308ESE+T
Maxim(美信)
MT9T001C12STC-DR
ON(安森美)
PMBT4403
Nexperia(安世)
RF430FRL154HCRGER
TI(德州儀器)
TLV8812DGKR
TI(德州儀器)
A6213KLJTR-T
ALLEGRO(美國埃戈羅)
ADG5419BRMZ
ADI(亞德諾)
IGCM20F60GA
LS Research
LTC1144CS8
LINEAR(凌特)
MAX3430ESA
Maxim(美信)
MC78M05CDT
ON(安森美)
SN74AUP2G07DCKR
TI(德州儀器)
TJA1443AT/0Z
NXP(恩智浦)
74AVC8T245PW
NXP(恩智浦)
B0305XT-1WR2
MORNSUN(金升陽)
HGTG12N60A4D
Freescale(飛思卡爾)
HMC625BLP5E
ADI(亞德諾)
LM317LZ
TI(德州儀器)
MK10DX128VLL7
NXP(恩智浦)
HC32L136K8TA
HDSC（華大）
ISD2360SYI
Nuvoton(新唐)
LM1117MP-3.3
TI(德州儀器)
MC56F8006VLC
NXP(恩智浦)
MPQ4470AGL-AEC1-Z
MPS(美國芯源)
SN65HVD3082ED
TI(德州儀器)
TVS0500DRVR
TI(德州儀器)
XC2C128-7CPG132C
XILINX(賽靈思)
XC9536XL-10VQ44C
XILINX(賽靈思)
XCVU9P-2FLGB2104I3991
XILINX(賽靈思)
ADG779BKSZ
ADI(亞德諾)
LFXP2-5E-5MN132I
Lattice(萊迪斯)
LM20BIM7X
TI(德州儀器)
OPA656N
Burr-Brown(TI)
TL432BQDBZRQ1
TI(德州儀器)
VNQ6040STR-E
ST(意法)
A3P125-VQG100
Microchip(微芯)
ADG608BRUZ
ADI(亞德諾)
EP4SGX230FF35C3N
ALTERA(阿爾特拉)
HMC784MS8GE
ADI(亞德諾)
LTC2627CDE
ADI(亞德諾)
PM40028B1-F3EI
Microchip(微芯)
S29GL512P10TFI010
SPANSION(飛索)
SAK-TC233L-32F200FAC
Infineon(英飛凌)
TPA6211A1DGN
TI(德州儀器)
AFE5808AZCF
TI(德州儀器)
K4B4G1646D-BFMA
SAMSUNG(三星)
LMK04828BISQE
TI(德州儀器)
MC33FS4500CAE
Freescale(飛思卡爾)
MCP6561T-E/LT
Microchip(微芯)
NT5CC256M16DP-DII
Nanya Technology
OP07DRZ
ADI(亞德諾)
5CGXFC4C6F23C7N
ALTERA(阿爾特拉)
ADATE318BCPZ
ADI(亞德諾)
ADM202EARN
ADI(亞德諾)
ADM7150ARDZ-5.0
ADI(亞德諾)
HMC470LP3
ADI(亞德諾)
LM380N
TI(德州儀器)
LMV431AIMF
TI(德州儀器)
UC2856QDWRQ1
TI(德州儀器)
AD8342ACPZ
ADI(亞德諾)
ADA4841-1YRJZ
ADI(亞德諾)
CY7C057V-15BBI
Cypress(賽普拉斯)
HN58C1001FP-15
HIT(日立)
LM2663MX
NS(國半)
LMH3401IRMST
TI(德州儀器)
LP2980AIM5X-3.3
TI(德州儀器)
MT53E256M32D2DS-053
micron(鎂光)
OP27GS
PMI
SI2301CDS
TASUND(泰盛達(dá))
TL3414AIDR
TI(德州儀器)
TPS2051BDBV
TI(德州儀器)
AGLN125V5-VQG100
IXDN604SIA
IXYS(艾賽斯)
L5973AD
ST(意法)
LTC6363IMS8
ADI(亞德諾)
LTM4613EV
LINEAR(凌特)
MT53E1536M32D4DT-046
micron(鎂光)
SR1UARU
ST(意法)
WM8960CGEFL/V
WOLFSON(歐勝)
XCKU3P-2SFVB784I
XILINX(賽靈思)
5AGXFB7K4F40I3N
ALTERA(阿爾特拉)
BTS5090-2EKA
Infineon(英飛凌)
ELQ3H7
Everlight(億光)
LM2674M-5.0
TI(德州儀器)
LT8641IUDC
LINEAR(凌特)
MAX14783EESA
Maxim(美信)
MP1495DJ
MPS(美國芯源)
MSP430F248TPM
TI(德州儀器)
SI53112-A00AGMR
SILICON LABS(芯科)
SPC584B70E7EHC0X
ST(意法)
STGAP1ASTR
ST(意法)
STM706M6F
ST(意法)
74LVX3245QSC
Freescale(飛思卡爾)
AD7730BRUZ
ADI(亞德諾)
DS90UB914QSQ
TI(德州儀器)
EY82C624SR3HM
FS32K144HRT0VLH
NXP(恩智浦)
ISL8120IRZ
Intersil(英特矽爾)
JW5033
Joulwatt(杰華特)
L78L05ABU
ST(意法)
LCMXO2-2000HC-4FTG256I
Lattice(萊迪斯)
LMZ21701SIL
TI(德州儀器)
LNK364DN
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
LT4356HMS-1
LINEAR(凌特)
LTC1844ES5-2.5
LINEAR(凌特)
LTC4412HVIS6
LINEAR(凌特)
MCIMX286DVM4B
Freescale(飛思卡爾)
MP3302DJ
MPS(美國芯源)
MPC8323ECVRAFDC
Freescale(飛思卡爾)
MT53E512M32D2NP-046
OP213ES
ADI(亞德諾)
OPA2156IDGK
RT9466GQW
RICHTEK(臺灣立锜)
SGM8270-2XMS8G
SN62827DMQR
SN751701PSR
TI(德州儀器)
SQD50N10-8M9L
Vishay(威世)
STM32L151UCY6
TLP281(GB
TPS62136RGX
TPS92513HVDGQR
TI(德州儀器)
TPS25910RSAR
TI(德州儀器)
AD420ARZ-32-REEL
ADI(亞德諾)
TLV3492AIDCNR
TI(德州儀器)
