BTS428L2 的詳細(xì)參數(shù)
參數(shù)名稱
參數(shù)值
Source Content uid
BTS428L2
是否無鉛
含鉛
是否Rohs認(rèn)證
符合
生命周期
Active
Objectid
1537631831
零件包裝代碼
TO-252
包裝說明
TO-252, SMSIP5H,.6,67TB
針數(shù)
3
Reach Compliance Code
not_compliant
ECCN代碼
EAR99
HTS代碼
8542.39.00.01
風(fēng)險(xiǎn)等級(jí)
0.71
Samacsys Description
Infineon BTS428L2 Intelligent Power Switch, High Side, 5.8A, 4.75 → 41V 5-Pin, TO-252
Samacsys Manufacturer
Infineon
Samacsys Modified On
2023-03-07 16:10:32
YTEOL
6.98
內(nèi)置保護(hù)
TRANSIENT; OVER CURRENT; OVER VOLTAGE; THERMAL
驅(qū)動(dòng)器位數(shù)
1
接口集成電路類型
BUFFER OR INVERTER BASED PERIPHERAL DRIVER
JESD-30 代碼
R-PSSO-G4
JESD-609代碼
e3
長度
6.5 mm
濕度敏感等級(jí)
1
功能數(shù)量
1
端子數(shù)量
4
輸出電流流向
SINK
最大輸出電流
5.8 A
標(biāo)稱輸出峰值電流
7 A
封裝主體材料
PLASTIC/EPOXY
封裝代碼
TO-252
封裝等效代碼
SMSIP5H,.6,67TB
封裝形狀
RECTANGULAR
封裝形式
SMALL OUTLINE
峰值回流溫度（攝氏度）
NOT SPECIFIED
認(rèn)證狀態(tài)
Not Qualified
篩選級(jí)別
AEC-Q100
座面最大高度
2.5 mm
最大供電電壓
41 V
最小供電電壓
4.75 V
標(biāo)稱供電電壓
12 V
表面貼裝
YES
技術(shù)
MOS
端子面層
Tin (Sn)
端子形式
GULL WING
端子節(jié)距
1.14 mm
端子位置
SINGLE
處于峰值回流溫度下的最長時(shí)間
NOT SPECIFIED
斷開時(shí)間
200 µs
接通時(shí)間
200 µs
寬度
6.22 mm
BTS428L2功率電子開關(guān)的設(shè)計(jì)與應(yīng)用分析
引言
隨著現(xiàn)代電子技術(shù)的迅猛發(fā)展，功率電子開關(guān)在各類電力轉(zhuǎn)換與控制系統(tǒng)中扮演著越來越重要的角色。功率電子開關(guān)的應(yīng)用范圍極廣，包括但不限于電源管理、驅(qū)動(dòng)控制和能量傳輸?shù)阮I(lǐng)域。BTS428L2作為一種高集成度、高功率處理能力的功率電子開關(guān)，憑借其優(yōu)異的性能以及靈活的應(yīng)用特性，正逐漸成為電力電子行業(yè)的重要組成部分。
功率電子開關(guān)的基礎(chǔ)原理
功率電子開關(guān)是以半導(dǎo)體器件為基礎(chǔ)，利用電子控制的方式實(shí)現(xiàn)電力的開關(guān)操作。它的基本工作原理是通過調(diào)節(jié)輸入信號(hào)，對(duì)連接負(fù)載的電流進(jìn)行控制。常見的功率半導(dǎo)體器件包括晶體管、二極管和絕緣柵雙極晶體管（IGBT）等。這些器件具有獨(dú)特的電學(xué)特性，能夠在高電壓和大電流條件下穩(wěn)定工作。
在功率電子系統(tǒng)中，開關(guān)的快速導(dǎo)通和關(guān)斷特性是其性能的關(guān)鍵。這一特性直接影響著系統(tǒng)的能效、熱管理以及動(dòng)態(tài)響應(yīng)能力。通常，功率電子開關(guān)的工作頻率在幾百赫茲到幾千赫茲之間，某些先進(jìn)應(yīng)用中甚至可以達(dá)到兆赫茲級(jí)別。
BTS428L2的技術(shù)特性
BTS428L2是一款非常獨(dú)特的功率開關(guān)，具有多項(xiàng)優(yōu)良的技術(shù)特性。首先，它的額定電流可達(dá)30安培，適合處理多種功率需求的應(yīng)用場(chǎng)景。其次，BTS428L2采用了創(chuàng)新的技術(shù)設(shè)計(jì)，如集成的保護(hù)功能，包括過溫保護(hù)、過載保護(hù)和短路保護(hù)等。這些功能大大提高了系統(tǒng)的可靠性和安全性，確保了在高功率應(yīng)用中，設(shè)備的穩(wěn)定運(yùn)行。
BTS428L2的柵極驅(qū)動(dòng)電壓范圍為5至24伏，兼容多種控制信號(hào)來源，便于與不同的控制器和微處理器進(jìn)行配合。此外，其開關(guān)頻率高達(dá)200kHz，使其在智能電源、一體式電源管理系統(tǒng)中的應(yīng)用潛力巨大。不是僅限于這些，BTS428L2的封裝設(shè)計(jì)不僅優(yōu)化了熱管理特性，而且有效減少了電磁干擾，提升了系統(tǒng)的整體性能。
BTS428L2的應(yīng)用領(lǐng)域
BTS428L2在多個(gè)領(lǐng)域中展現(xiàn)出其卓越的性能，尤其是在汽車電子、工業(yè)控制和消費(fèi)電子等行業(yè)。首先，在汽車電子領(lǐng)域，BTS428L2可用于電動(dòng)窗、電動(dòng)座椅、車燈控制等設(shè)備。其高效的開關(guān)特性可大幅提高車載電源的能效。此外，內(nèi)置保護(hù)功能保持系統(tǒng)安全，延長汽車電子系統(tǒng)的使用壽命。
在工業(yè)控制方面，BTS428L2可廣泛應(yīng)用于直流電機(jī)驅(qū)動(dòng)、自動(dòng)化設(shè)備和電力分配等應(yīng)用。其高電流承載能力和快速的開關(guān)響應(yīng)使得其在負(fù)載變化頻繁的工業(yè)環(huán)境中依然能夠穩(wěn)定運(yùn)行，確保生產(chǎn)的連續(xù)性和高效性。
在消費(fèi)電子領(lǐng)域，BTS428L2也展現(xiàn)了強(qiáng)勁的市場(chǎng)需求。特別是在LED照明、智能家居和便攜式電子設(shè)備的電源管理中，BTS428L2能夠有效提高系統(tǒng)的集成度和能量轉(zhuǎn)化效率，為設(shè)備提供更為可靠的電源解決方案。
溫度管理與散熱設(shè)計(jì)
功率電子開關(guān)在高功率應(yīng)用中, 伴隨著電流的變化，會(huì)產(chǎn)生相應(yīng)的熱量。因此合理的熱管理和散熱設(shè)計(jì)至關(guān)重要。BTS428L2集成了多重保護(hù)功能，但在設(shè)計(jì)過程中，仍需仔細(xì)考慮其熱特性。
在實(shí)際應(yīng)用中，散熱器的選擇和布局會(huì)影響BTS428L2的工作溫度。良好的散熱設(shè)計(jì)可以顯著提升功率開關(guān)的性能，確保其在高負(fù)載條件下保持穩(wěn)定。通過采用熱傳導(dǎo)材料和優(yōu)化空氣流通路徑，可以有效降低功率開關(guān)的工作溫度，從而延長其使用壽命。
開關(guān)損耗分析
開關(guān)損耗是影響功率電子開關(guān)效率的重要因素之一。在開關(guān)操作過程中，由于存在導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗，這些損耗會(huì)在很大程度上影響整體能效。BTS428L2由于其高頻特性，使得在高頻開關(guān)操作時(shí)，開關(guān)損耗相比傳統(tǒng)器件有了顯著降低。因此，在高頻應(yīng)用場(chǎng)景下，BTS428L2能夠提供更加高效的電能轉(zhuǎn)換。
通過優(yōu)化控制策略，例如采用PWM（脈寬調(diào)制）技術(shù)，可以進(jìn)一步控制開關(guān)損耗，提升BTS428L2的整體效率。在實(shí)際應(yīng)用中，合理設(shè)計(jì)開關(guān)頻率和信號(hào)調(diào)制方式，能夠有效降低因開關(guān)操作帶來的能量損耗。
未來的發(fā)展方向
隨著功率電子技術(shù)的不斷演進(jìn)，BTS428L2及其同類產(chǎn)品在更高效、更智能化的方向上將迎來更大的發(fā)展機(jī)遇。智能化控制技術(shù)的引入，使得開關(guān)系統(tǒng)可以實(shí)現(xiàn)更為復(fù)雜的功能，例如自適應(yīng)電流調(diào)整、負(fù)載監(jiān)測(cè)與智能故障診斷等。這將不僅提升系統(tǒng)的可靠性，還能帶來更好的用戶體驗(yàn)。
同時(shí)，隨著新能源技術(shù)的持續(xù)發(fā)展，BTS428L2在電力電子領(lǐng)域中的角色也將不斷演化。在光伏發(fā)電、風(fēng)能轉(zhuǎn)換等新興領(lǐng)域中，功率電子開關(guān)的高效率和高度集成將推動(dòng)其更廣泛的應(yīng)用。
隨著市場(chǎng)需求的變化和技術(shù)的進(jìn)步，未來的功率電子開關(guān)將不僅僅局限于傳統(tǒng)應(yīng)用，而是將向更廣泛的領(lǐng)域滲透，滿足人們對(duì)高效能源管理和智能控制的迫切需求。
BTS428L2
Infineon(英飛凌)
M41T62LC6F
ST(意法)
L9942XP1TR
ST(意法)
XCF08PFS48C
XILINX(賽靈思)
AT45DB081E-SSHN-T
TI(德州儀器)
HTRC11001T/03EE
NXP(恩智浦)
SHT15
Sensirion(瑞士盛思銳)
MBR0540
YANGJIE(揚(yáng)杰)
U.FL-R-SMT-1(80)
Hirose(廣瀨電機(jī))
FT601Q-B-T
FTDI(飛特帝亞)
L78L08ABUTR
ST(意法)
LFCN-490+
Mini-Circuits
AD549JHZ
ADI(亞德諾)
AD549KHZ
ADI(亞德諾)
MC33035DWG
ON(安森美)
PIC16F716-I/P
Microchip(微芯)
STWD100YNYWY3F
ST(意法)
LM324PWR
TI(德州儀器)
FS8205A
FM(復(fù)旦微)
IRLR2905TRPBF
Infineon(英飛凌)
MK22FN1M0AVLH12
NXP(恩智浦)
TPSM82823SILR
TI(德州儀器)
PIC16F1828-I/SS
Microchip(微芯)
TPS51285BRUKR
TI(德州儀器)
BZX84-C12
Philips(飛利浦)
PTH08T230WAD
TI(德州儀器)
93LC56B-I/SN
Microchip(微芯)
TPS54478RTER
TI(德州儀器)
CD4060BE
Harris Semiconductor
F280041PZS
TI(德州儀器)
PIC18F26K22-I/SP
Microchip(微芯)
CS1237-SO
CHIPSEA
MC7812BDTRKG
ON(安森美)
BQ25170DSGR
TI(德州儀器)
CY15B104Q-SXI
Cypress(賽普拉斯)
PIC10F222T-I/OT
Microchip(微芯)
RTL8211E-VL-CG
REALTEK(瑞昱)
88E1512PB2-NNP2I000
Marvell(美滿)
TLE4471G
Infineon(英飛凌)
TRS3232EIPWR
TI(德州儀器)
ST10F269Z2Q6
ST(意法)
ZXTN25100BFHTA
Diodes(美臺(tái))
ATMEGA164P-20AUR
Atmel(愛特梅爾)
TPT3232E-SO3R
3PEAK(思瑞浦)
CA-IS3092W
Chipanalog(川土微)
NUD3105DMT1G
ON(安森美)
FQPF4N90C
ON(安森美)
SPX3819M5-L/TR
SIPEX(西伯斯)
TP4054
CHIPLINK(芯聯(lián))
10M08DAF256C8G
ALTERA(阿爾特拉)
EPM570GT100C5N
ALTERA(阿爾特拉)
NCE6050KA
NCE Power(新潔能)
STD4NK80ZT4
ST(意法)
TLV320AIC23BIPWR
TI(德州儀器)
74HC4060D
Philips(飛利浦)
LMG1025QDEERQ1
TI(德州儀器)
AT89C51CC03CA-RDTUM
Atmel(愛特梅爾)
VL53L5CXV0GC/1
ST(意法)
AVR128DA64-I/PT
Microchip(微芯)
L7805ACD2T-TR
ST(意法)
MC33078DT
ST(意法)
SI9243AEY-T1-E3
Vishay(威世)
STM32L496VET6
ST(意法)
XL4001E1
XLSEMI(芯龍)
LM1117-3.3
TI(德州儀器)
MSP430FE427IPMR
TI(德州儀器)
VIPER267KDTR
ST(意法)
STM32F302VET6
ST(意法)
MCF52233CAF60
NXP(恩智浦)
TPS92613QNDRRQ1
TI(德州儀器)
GD32F470VGT6
GD(兆易創(chuàng)新)
AD9233BCPZ-125
ADI(亞德諾)
93LC66B-I/P
Microchip(微芯)
B50282C1KFBG
Broadcom(博通)
STM32G0B1VET6
ST(意法)
98DX3236A1-BTD4C000
Marvell(美滿)
BC57E687C-GITB-E4
CSR PLC
IR21531STRPBF
IR(國際整流器)
DAC8554IPWR
TI(德州儀器)
MIMXRT1062DVL6B
NXP(恩智浦)
STM32F303C8T6
ST(意法)
ULQ2003D1013TRY
ST(意法)
93LC46B-I/SN
MIC(昌福)
TLV9104IDR
TI(德州儀器)
MC9S12D64CPVE
Freescale(飛思卡爾)
MR25H10CDF
Everspin Technologies
S29GL512S10TFI010
Cypress(賽普拉斯)
SP3051-04HTG
Littelfuse(力特)
LM2903AVQDRQ1
TI(德州儀器)
LPC824M201JHI33
NXP(恩智浦)
SN74AVC20T245DGGR
TI(德州儀器)
FAN73832MX
Freescale(飛思卡爾)
LPC4078FBD144
NXP(恩智浦)
MKV58F1M0VLL24
NXP(恩智浦)
PC929
Sharp(夏普)
STM32F302VBT6
ST(意法)
TPH1R403NL
TOSHIBA(東芝)
ADA4661-2ARMZ
ADI(亞德諾)
BTS7008-2EPA
Infineon(英飛凌)
LM285DR-2-5
TI(德州儀器)
PTVS15VS1UR
NXP(恩智浦)
AD5781ARUZ
ADI(亞德諾)
ADXL1005BCPZ
ADI(亞德諾)
AD5764RCSUZ
ADI(亞德諾)
NSS1C201LT1G
ON(安森美)
PS2801-1
NEC
FDD390N15ALZ
ON(安森美)
RK3399K
RockChip(瑞芯微)
TD62083AP
TOSHIBA(東芝)
BCM3390ZRKFSBG
Broadcom(博通)
DAC7513N
TI(德州儀器)
HMC553ALC3B
ADI(亞德諾)
LV8549MC-AH
SANYO(三洋半導(dǎo)體)
N25Q128A13ESF40F
ST(意法)
P89LPC938FDH
NXP(恩智浦)
STM32F103RCY6TR
ST(意法)
TPS22908YZTR
TI(德州儀器)
FCH040N65S3-F155
ON(安森美)
SN74ACT245DW
TI(德州儀器)
