MM5Z20VT1G的詳細(xì)參數(shù)
參數(shù)名稱
參數(shù)值
Source Content uid
MM5Z20VT1G
Brand Name
onsemi
是否無鉛
不含鉛
生命周期
Active
Objectid
2077783423
零件包裝代碼
SOD-523 2 LEAD
包裝說明
0.047 X 0.032 INCH, 0.028 INCH HEIGHT, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, CASE 502-01, 2 PIN
針數(shù)
2
制造商包裝代碼
502
Reach Compliance Code
compliant
Country Of Origin
Mainland China
ECCN代碼
EAR99
HTS代碼
8541.10.00.50
Factory Lead Time
6 weeks
風(fēng)險(xiǎn)等級(jí)
6.84
Samacsys Description
ON Semiconductor MM5Z20VT1G Zener Diode, 20V 5% 500 mW SMT 2-Pin SOD-523
Samacsys Manufacturer
onsemi
Samacsys Modified On
2024-09-19 14:45:22
YTEOL
6.65
配置
SINGLE
二極管元件材料
SILICON
二極管類型
ZENER DIODE
最大動(dòng)態(tài)阻抗
55 Ω
最大正向電壓 (VF)
0.9 V
JESD-30 代碼
R-PDSO-F2
JESD-609代碼
e3
膝阻抗最大值
100 Ω
濕度敏感等級(jí)
1
元件數(shù)量
1
端子數(shù)量
2
最高工作溫度
150 °C
最低工作溫度
-65 °C
封裝主體材料
PLASTIC/EPOXY
封裝形狀
RECTANGULAR
封裝形式
SMALL OUTLINE
峰值回流溫度（攝氏度）
260
極性
UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散
0.5 W
認(rèn)證狀態(tài)
Not Qualified
標(biāo)稱參考電壓
20 V
最大反向電流
0.05 µA
反向測(cè)試電壓
14 V
表面貼裝
YES
技術(shù)
ZENER
端子面層
MATTE TIN
端子形式
FLAT
端子位置
DUAL
處于峰值回流溫度下的最長(zhǎng)時(shí)間
30
最大電壓容差
6%
工作測(cè)試電流
5 mA
MM5Z20VT1G 穩(wěn)壓二極管的工作原理與應(yīng)用
引言
穩(wěn)壓二極管，亦稱齊納二極管，是一種特殊類型的二極管，能夠在反向偏置條件下穩(wěn)定并保持特定的電壓。這種特性使得穩(wěn)壓二極管在電子電路中扮演著至關(guān)重要的角色。MM5Z20VT1G 是一種常見的穩(wěn)壓二極管，其額定電壓為 20V，廣泛應(yīng)用于電源穩(wěn)壓、過壓保護(hù)等諸多領(lǐng)域。本文將深入探討該穩(wěn)壓二極管的工作原理、特性、結(jié)構(gòu)以及在實(shí)際應(yīng)用中的具體表現(xiàn)。
工作原理
穩(wěn)壓二極管的工作原理主要基于其特殊的電流-電壓特性曲線。正常情況下，當(dāng)二極管處于正向偏置時(shí)，其電壓會(huì)隨電流的增加而呈現(xiàn)線性增長(zhǎng)；然而在反向偏置情況下，穩(wěn)壓二極管能夠在一定電壓下“擊穿”，并在此電壓值保持穩(wěn)定。這個(gè)“擊穿”現(xiàn)象是由于二極管的半導(dǎo)體材料中的載流子在足夠的電場(chǎng)下獲得能量，從而導(dǎo)致大量的電流流通，但此時(shí)電流的增加則不會(huì)導(dǎo)致電壓的上升，這就是穩(wěn)壓二極管所需的特性。
MM5Z20VT1G 在其標(biāo)稱的 20V 擊穿電壓下，具有較低的動(dòng)態(tài)阻抗，這意味著在流經(jīng)二極管的電流發(fā)生變化時(shí)，其輸出電壓的變化非常小。因此，MM5Z20VT1G 多用于需要精確電壓的應(yīng)用中。此外，當(dāng)輸入電壓超過 20V 時(shí)，穩(wěn)壓二極管會(huì)保持恒定的輸出電壓，通過其極性的電流流通實(shí)現(xiàn)過壓保護(hù)，使得后端電路組件不受損害。
關(guān)鍵特性
MM5Z20VT1G 的一大特性是其較寬的工作溫度范圍，通常為 -55℃ 到 +125℃。這個(gè)特性使得 MM5Z20VT1G 可以在各種工作環(huán)境中保持其性能穩(wěn)定。此外，該穩(wěn)壓二極管的功率耗散能力也很強(qiáng)，具體參數(shù)為 500mW，使其在多個(gè)應(yīng)用場(chǎng)景中表現(xiàn)優(yōu)異。
另一個(gè)關(guān)鍵參數(shù)是其反向漏電流，通常在特定溫度下，反向漏電流應(yīng)該維持在一個(gè)相對(duì)較低的水平，以保障穩(wěn)壓二極管的穩(wěn)定性。根據(jù) MM5Z20VT1G 的規(guī)格，反向漏電流在 20V 時(shí)應(yīng)小于 1mA，這進(jìn)一步提高了其適用于敏感電路的可能性。
此外，MM5Z20VT1G 的封裝設(shè)計(jì)為 SOT-23，體積小巧，便于集成進(jìn)各類電路板中。小型化的設(shè)計(jì)不僅節(jié)省了電路板空間，也降低了在大批量生產(chǎn)時(shí)的成本。
結(jié)構(gòu)特點(diǎn)
MM5Z20VT1G 的內(nèi)部結(jié)構(gòu)采用了標(biāo)準(zhǔn)的 PN 結(jié)設(shè)計(jì)，其半導(dǎo)體材料通常為摻雜的硅。在形成穩(wěn)壓功能的過程中，PN 結(jié)的摻銻、磷等雜質(zhì)使得 PN 結(jié)的擊穿電壓保持在較為精確的控制范圍內(nèi)。在實(shí)際制造過程中，通過調(diào)節(jié)摻雜濃度和分布，制造商可以對(duì)穩(wěn)壓電壓的精度進(jìn)行嚴(yán)格控制。
為了增強(qiáng)其耐壓特性，MM5Z20VT1G 的外部通常會(huì)涂覆一層耐壓涂層或進(jìn)行特殊的封裝設(shè)計(jì)，這可以有效提升其在短時(shí)間內(nèi)承受高電壓沖擊的能力。在穩(wěn)壓二極管的應(yīng)用中，這種抗過壓能力是非常關(guān)鍵的，能夠避免因電壓驟升造成的永久性損壞。
應(yīng)用領(lǐng)域
MM5Z20VT1G 在電子設(shè)備中有著廣泛的應(yīng)用。首先是電源線上的電壓保護(hù)。在電源工作時(shí)，如果輸入電壓波動(dòng)，穩(wěn)壓二極管能夠通過其穩(wěn)定的伏安特性，及時(shí)將過高的電壓引流至接地，從而保護(hù)集成電路、傳感器等后級(jí)設(shè)備。
其次，MM5Z20VT1G 常被用于信號(hào)調(diào)理電路中。它可以為傳感器輸出提供穩(wěn)定的參考電壓，確保數(shù)模轉(zhuǎn)換或信號(hào)放大階段不會(huì)因電壓波動(dòng)而影響最終結(jié)果。此外，穩(wěn)壓二極管的使用可以提高系統(tǒng)的工作可靠性，在數(shù)據(jù)采集、環(huán)境監(jiān)測(cè)和自動(dòng)化控制等領(lǐng)域具有重要價(jià)值。
再者，在便攜式設(shè)備和消費(fèi)電子中，MM5Z20VT1G 由于其小巧的體積和高效的穩(wěn)壓能力，成為手機(jī)充電器、平板電腦以及便攜式音響等設(shè)備中不可或缺的元件。
此外，在汽車電子中，穩(wěn)壓二極管也發(fā)揮著增穩(wěn)電流、保護(hù)電路等作用，如在汽車導(dǎo)航、車載音響等系統(tǒng)中均可見其應(yīng)用。由于汽車電子環(huán)境復(fù)雜多變，穩(wěn)壓二極管的耐壓和穩(wěn)定性顯得尤為重要。
未來發(fā)展
隨著科技的不斷進(jìn)步，穩(wěn)壓二極管的應(yīng)用領(lǐng)域也在不斷擴(kuò)展。未來，將更加注重其在新能源、智能制造和物聯(lián)網(wǎng)等新興領(lǐng)域的應(yīng)用。MM5Z20VT1G 作為一款性能優(yōu)越的穩(wěn)壓二極管，勢(shì)必將在更加廣泛的應(yīng)用中展現(xiàn)其價(jià)值。
MM5Z15VT1G
ON(安森美)
TPS92515QDGQRQ1
TI(德州儀器)
SN65LVDS93ADGG
TI(德州儀器)
ADS131A04IPBSR
TI(德州儀器)
DS25BR100TSD/NOPB
NS(國(guó)半)
MSP430FR5729IDAR
TI(德州儀器)
AS5048A-HTSP
AMS(艾邁斯)
BQ2057WSNTR
TI(德州儀器)
10CL006YU256C8G
ALTERA(阿爾特拉)
TPD2S017DBVR
TI(德州儀器)
74HC573PW
Nexperia(安世)
10M16DAF256I7G
INTEL(英特爾)
PVX012A0X3-SRZ
GE Critical Power
STM32F407IET6
ST(意法)
TCA9548ARGER
TI(德州儀器)
UCC21530QDWKRQ1
TI(德州儀器)
ACS758ECB-200B-PFF-T
ALLEGRO(美國(guó)埃戈羅)
AD7616BSTZ-RL
ADI(亞德諾)
PIC32MX575F256L-80I/PT
Microchip(微芯)
AD9826KRSZRL
ADI(亞德諾)
STM32F429NIH7
ST(意法)
ATMEGA644A-AU
Atmel(愛特梅爾)
INA240A2QDRQ1
TI(德州儀器)
MC33074ADR2G
ON(安森美)
LM224DT
ST(意法)
TQ2-5V
Panasonic(松下)
ZEN056V130A24LS
TE(泰科)
FDC6327C
Freescale(飛思卡爾)
TPS62143RGTR
TI(德州儀器)
24LC64T-I/OT
MIC(昌福)
MC-10105F1-821-FNA-M1-A
Renesas(瑞薩)
MCIMX257CJM4A
NXP(恩智浦)
SN74AUP1G07DCKR
TI(德州儀器)
MBRS1540T3G
ON(安森美)
ATMEGA32M1-AU
Atmel(愛特梅爾)
ISO6720FQDWVRQ1
TI(德州儀器)
CA3140AMZ96
Intersil(英特矽爾)
HCNR200-000E
Avago(安華高)
ADN4604ASVZ-RL
ADI(亞德諾)
RT6363GSP
RICHTEK(臺(tái)灣立锜)
2N7002P
Nexperia(安世)
TPL0102-100PWR
TI(德州儀器)
XC7A50T-2FGG484C
XILINX(賽靈思)
74HC165PW
Philips(飛利浦)
PIC10F322T-I/OT
MIC(昌福)
TMS320F28035PAGS
TI(德州儀器)
LPC2132FBD64
NXP(恩智浦)
AT89C4051-24PU
Atmel(愛特梅爾)
MC34072ADR2G
ON(安森美)
KLM8G1GEME-B041
SAMSUNG(三星)
TNY264PN
Power Integrations(帕沃英蒂格盛)
XC3S400-4PQG208C
XILINX(賽靈思)
PEF22554HTV3.1
Infineon(英飛凌)
TS3A27518ERTWR
TI(德州儀器)
P6KE200A
Vishay(威世)
MC33039DR2G
ON(安森美)
S34ML01G200TFI000
SPANSION(飛索)
XCKU035-1FFVA1156C
XILINX(賽靈思)
XCKU115-2FLVF1924I
XILINX(賽靈思)
CD4511BE
XINBOLE(芯伯樂)
IP175GHI
IC PLUS(九陽電子)
TPS61194PWPR
TI(德州儀器)
16TQC100MYF
Panasonic(松下)
TIP3055
Mospec Semiconductor Corp
CAT25160VI-GT3
ON(安森美)
GD32F305RCT6
GD(兆易創(chuàng)新)
NSI45090JDT4G
ON(安森美)
SIT3232EEUE
SIT(芯力特)
TDC-GP22
AMS(艾邁斯)
AD590MF
ADI(亞德諾)
LCMXO256C-3TN100C
Lattice(萊迪斯)
STPM10BTR
ST(意法)
MT46H32M16LFBF-5IT:C
micron(鎂光)
MT48LC32M16A2P-75IT
micron(鎂光)
PEX8724-CA80BCG
Broadcom(博通)
CKS32F103C8T6
MT2492
西安航天民芯
SN65LBC174A16DW
TI(德州儀器)
TPS7A1601DRBR
TI(德州儀器)
FS32K116LFT0MFMT
NXP(恩智浦)
V9203
EC25EFA-512-STD
移遠(yuǎn) Quectel
MCIMX6S6AVM08AD
Freescale(飛思卡爾)
OPA2333AIDGKR
TI(德州儀器)
EPM7128SQI100-10
ALTERA(阿爾特拉)
74HCT08D
NXP(恩智浦)
CM1402-03CP
ON(安森美)
MSP430F5438AIZQWR
TI(德州儀器)
TPD4E1B06DCKR
TI(德州儀器)
ADUM5404ARWZ
ADI(亞德諾)
RT7207KBGQW
RICHTEK(臺(tái)灣立锜)
TPS40322RHBR
TI(德州儀器)
MAX17048G+T10
Maxim(美信)
PE4259
Peregrine Semiconductor
STM32L073VBT6
ST(意法)
AD5602BKSZ-2REEL7
ADI(亞德諾)
ADG1411YRUZ
ADI(亞德諾)
