AD8510ARMZ-REEL 的詳細(xì)參數(shù)
參數(shù)名稱
參數(shù)值
Source Content uid
AD8510ARMZ-REEL
Brand Name
Analog Devices Inc
是否無(wú)鉛
含鉛
是否Rohs認(rèn)證
符合
生命周期
Active
Objectid
2033210325
零件包裝代碼
TSSOP
包裝說(shuō)明
MSOP-8
針數(shù)
8
制造商包裝代碼
RM-8
Reach Compliance Code
compliant
Country Of Origin
Mainland China
ECCN代碼
EAR99
HTS代碼
8542.33.00.01
風(fēng)險(xiǎn)等級(jí)
0.85
Samacsys Manufacturer
Analog Devices
Samacsys Modified On
2024-02-09 17:34:36
YTEOL
8.5
放大器類型
OPERATIONAL AMPLIFIER
架構(gòu)
VOLTAGE-FEEDBACK
最大平均偏置電流 (IIB)
0.0075 µA
25C 時(shí)的最大偏置電流 (IIB)
0.00008 µA
最小共模抑制比
86 dB
標(biāo)稱共模抑制比
100 dB
頻率補(bǔ)償
YES
最大輸入失調(diào)電壓
1800 µV
JESD-30 代碼
S-PDSO-G8
JESD-609代碼
e3
長(zhǎng)度
3 mm
低-偏置
YES
低-失調(diào)
NO
微功率
NO
濕度敏感等級(jí)
1
負(fù)供電電壓上限
-18 V
標(biāo)稱負(fù)供電電壓 (Vsup)
-5 V
功能數(shù)量
1
端子數(shù)量
8
最高工作溫度
125 °C
最低工作溫度
-40 °C
封裝主體材料
PLASTIC/EPOXY
封裝代碼
TSSOP
封裝等效代碼
TSSOP8,.19
封裝形狀
SQUARE
封裝形式
SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
包裝方法
TR
峰值回流溫度（攝氏度）
260
功率
NO
可編程功率
NO
認(rèn)證狀態(tài)
Not Qualified
座面最大高度
1.1 mm
標(biāo)稱壓擺率
20 V/us
最大壓擺率
2.5 mA
供電電壓上限
18 V
標(biāo)稱供電電壓 (Vsup)
5 V
表面貼裝
YES
技術(shù)
JFET
溫度等級(jí)
AUTOMOTIVE
端子面層
Matte Tin (Sn)
端子形式
GULL WING
端子節(jié)距
0.65 mm
端子位置
DUAL
處于峰值回流溫度下的最長(zhǎng)時(shí)間
30
標(biāo)稱均一增益帶寬
8000 kHz
最小電壓增益
65000
寬帶
NO
寬度
3 mm
AD8510ARMZ-REEL 運(yùn)算放大器的特性與應(yīng)用研究
引言
運(yùn)算放大器（Operational Amplifier, Op-Amp）是一類廣泛應(yīng)用于模擬信號(hào)處理的基本電子元件。它們以其出色的增益特性、高輸入阻抗和低輸出阻抗在各種電子電路中發(fā)揮著重要作用。AD8510ARMZ-REEL 是全球知名的模擬電路制造商Analog Devices生產(chǎn)的一款高性能運(yùn)算放大器。其在精準(zhǔn)度、穩(wěn)定性和寬頻帶特性上表現(xiàn)優(yōu)異，因而被廣泛應(yīng)用于自動(dòng)控制、信號(hào)處理、精密測(cè)量等領(lǐng)域。
AD8510ARMZ-REEL 的基本參數(shù)
AD8510ARMZ-REEL 是一款單通道、低功耗的高精度運(yùn)算放大器。其主要技術(shù)參數(shù)包括：較寬的工作電壓范圍（單電源2.7V~36V，雙電源±1.35V至±18V）、較高的增益帶寬積（Gain Bandwidth Product，GBW）約為1 MHz，以及高達(dá)130 V/mV的輸入失調(diào)電壓。該運(yùn)算放大器的輸入阻抗通常達(dá)到109 Ω，輸出阻抗則很低，通常在十幾歐姆范圍，能夠確保其在各種負(fù)載條件下具有良好的線性特性。
這些基本參數(shù)使AD8510ARMZ-REEL適合用于高精度應(yīng)用，如傳感器信號(hào)處理、數(shù)據(jù)采集系統(tǒng)以及各種需要高增益的應(yīng)用電路。它的低噪聲特性（噪聲電壓密度通常在15 nV/√Hz左右）也讓其在音頻信號(hào)處理和其他低信號(hào)電平條件下表現(xiàn)出色。
特性分析
AD8510ARMZ-REEL具有多個(gè)顯著的技術(shù)特性，使其在業(yè)內(nèi)備受青睞。首先，其低輸入失調(diào)電壓和低漂移特性使其在長(zhǎng)時(shí)間運(yùn)行及溫度變化下仍能保持高準(zhǔn)確性。這使得它在要求高精度和可靠性的測(cè)量系統(tǒng)中尤為重要。
其次，AD8510ARMZ-REEL在極低的噪聲水平下工作，使其在音頻和傳感器應(yīng)用中表現(xiàn)優(yōu)異。很多用戶在進(jìn)行音頻信號(hào)處理時(shí)，往往需要對(duì)非常微弱的信號(hào)進(jìn)行放大，而此時(shí)運(yùn)算放大器的噪聲特性則成為了關(guān)鍵因素。AD8510ARMZ-REEL憑借其優(yōu)良的低頻噪聲特性成為了優(yōu)先選擇。
此外，該器件的輸出驅(qū)動(dòng)能力也非常出色，可以直接驅(qū)動(dòng)相對(duì)低的負(fù)載，而無(wú)需使用額外的緩沖放大器。這一特性不僅簡(jiǎn)化了電路設(shè)計(jì)，還降低了整個(gè)系統(tǒng)的功耗，使其在便攜式電子設(shè)備中的應(yīng)用十分廣泛。
應(yīng)用領(lǐng)域
AD8510ARMZ-REEL廣泛應(yīng)用于工業(yè)、醫(yī)療、消費(fèi)電子以及通信等多個(gè)領(lǐng)域。在工業(yè)控制方面，許多傳感器、變送器和其他類型的傳感器所得到的微弱信號(hào)都需要經(jīng)過(guò)運(yùn)算放大器進(jìn)行處理，以便進(jìn)行測(cè)量、顯示和控制。AD8510ARMZ-REEL 的高輸入阻抗和低失調(diào)電壓的特性使其在這類應(yīng)用中表現(xiàn)尤為出色。
在醫(yī)療電子領(lǐng)域，諸如生物信號(hào)獲取設(shè)備、醫(yī)療監(jiān)測(cè)設(shè)備等都需要高精度的運(yùn)算放大器。AD8510ARMZ-REEL可以用于ECG（心電圖）信號(hào)處理、EEG（腦電圖）信號(hào)采集等應(yīng)用，確保在信號(hào)處理過(guò)程中不會(huì)增加多余的噪聲或失真，從而獲得準(zhǔn)確的診斷信息。
在消費(fèi)電子產(chǎn)品中，AD8510ARMZ-REEL也被廣泛應(yīng)用于音頻放大器和數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器中。由于該器件的低噪聲特性和高線性度，能夠有效提升音頻信號(hào)的質(zhì)量，配合高保真音頻設(shè)備提高整體性能。此外，它還可用于數(shù)字-模擬轉(zhuǎn)換器（DAC）中，以提高輸出信號(hào)的線性度和動(dòng)態(tài)范圍。
在通信領(lǐng)域，AD8510ARMZ-REEL 的高增益帶寬積和良好的帶寬特性使其適合用于高頻信號(hào)處理和信號(hào)調(diào)制解調(diào)等應(yīng)用。其能夠在大范圍的頻率范圍內(nèi)保持增益穩(wěn)定，使得在各種數(shù)據(jù)傳輸和信號(hào)處理任務(wù)中都能維持良好的性能。
熱管理和PCB設(shè)計(jì)
在實(shí)際應(yīng)用中，AD8510ARMZ-REEL的性能不僅與其內(nèi)部電路設(shè)計(jì)有關(guān)，其熱管理與PCB設(shè)計(jì)也顯得至關(guān)重要。為了最大程度地發(fā)揮該器件的性能，設(shè)計(jì)人員需要考慮到功耗發(fā)熱的問題。在高功率應(yīng)用下，運(yùn)算放大器可能會(huì)由于過(guò)熱而導(dǎo)致性能下降，甚至損壞。因此，在設(shè)計(jì)PCB時(shí)，合理的布局和散熱設(shè)計(jì)是必不可少的。
推薦使用寬銅箔以及加大接地面以幫助散熱，并在電路中盡量減少噪聲和干擾源的影響。提高射頻隔離度也是設(shè)計(jì)時(shí)的重要考慮因素，這可以減少對(duì)信號(hào)完整性的影響，保留運(yùn)算放大器所需的特性。
對(duì)于多層PCB設(shè)計(jì)，可以利用底層作為電源和地層，以減少信號(hào)層的電流環(huán)路，從而降低EMI（電磁干擾）和地回路干擾。此外，有助于提供良好電源 decoupling 的電容器應(yīng)盡可能靠近運(yùn)算放大器的 VCC 和 GND 引腳，以保證其穩(wěn)定性。
運(yùn)算放大器的設(shè)計(jì)和使用過(guò)程并非單一的組件問題，而是需要系統(tǒng)性的考量。AD8510ARMZ-REEL 的多種應(yīng)用場(chǎng)景為電路設(shè)計(jì)帶來(lái)了豐富的靈活性，提高了整體電路性能的可能性。
綜上所述，AD8510ARMZ-REEL作為一款高精度、低噪聲的運(yùn)算放大器，在諸多領(lǐng)域中具有廣泛的適用性。其獨(dú)特的特性和強(qiáng)大的性能能夠滿足各種應(yīng)用需求，推動(dòng)相關(guān)技術(shù)進(jìn)步，不斷提升電子設(shè)備的性能與可靠性，成為現(xiàn)代電子設(shè)計(jì)中不可或缺的重要組成部分。
AD8510ARMZ-REEL
ADI(亞德諾)
BMI323
Bosch(博世)
BQ24773RUYR
TI(德州儀器)
BSS138TA
Diodes(美臺(tái))
BYQ28E-200
NXP(恩智浦)
FDMC7678
Freescale(飛思卡爾)
FGH80N60FD2TU
Fairchild(飛兆/仙童)
FS32K144HAT0MMHT
Freescale(飛思卡爾)
FZT751TA
Zetex Semiconductors
LM334Z/LFT1
TI(德州儀器)
LP3783A
芯茂微
LTC1867ACGN#PBF
LINEAR(凌特)
MT48LC8M16A2P-75IT:G
micron(鎂光)
NLAS3158MNR2G
ON(安森美)
NLVVHC1GT126DF2G
ON(安森美)
PIC16F685T-I/SS
Microchip(微芯)
STB80NF10T4
ST(意法)
SZMM5Z4V7T1G
ON(安森美)
TD62083APG
TOSHIBA(東芝)
TPS78228DRVR
TI(德州儀器)
VIPER17LDTR
ST(意法)
10M04SAU169I7G
ALTERA(阿爾特拉)
1SMB5953BT3G
ON(安森美)
24LC04BT-I/OT
Microchip(微芯)
2SK1058-E
Renesas(瑞薩)
ACS722LLCTR-40AU-T
ALLEGRO(美國(guó)埃戈羅)
AD7512DITQ/883B
ADI(亞德諾)
ADC12D1600RFIUT/NOPB
NS(國(guó)半)
ADM3222ARUZ-REEL7
ADI(亞德諾)
ADM706RARZ-REEL
ADI(亞德諾)
ALDP112W
Panasonic(松下)
AT89C51CC01UA-SLSUM
Microchip(微芯)
AZ1084CD-3.3TRG1
Diodes(美臺(tái))
DP83848VV
NS(國(guó)半)
EEV-FK1H102M
Panasonic(松下)
HFCN-1320+
Mini-Circuits
IRF9317TRPBF
Infineon(英飛凌)
LDK320AM-R
ST(意法)
LM2596-ADJ
NS(國(guó)半)
LM385M3-2.5/NOPB
TI(德州儀器)
MMBF5484
Freescale(飛思卡爾)
PC357N4J000F
Sharp(夏普)
RPI-0352E
Rohm(羅姆)
SDSDQAB-008G
Sandisk
STTH2R02UY
ST(意法)
THS4552IPWR
TI(德州儀器)
VS-MUR2020CT-M3
Vishay(威世)
WS2812B-V5
worldsemi
74VHC14MTCX
ON(安森美)
AD7684BRMZRL7
ADI(亞德諾)
AD8648ARUZ-REEL
ADI(亞德諾)
ADA4930-1YCPZ-R7
ADI(亞德諾)
ADS7886SBDCKR
TI(德州儀器)
ADS7950SBRGET
TI(德州儀器)
BLM18KG101TN1D
MURATA(村田)
BLM18PG300SN1D
MURATA(村田)
BQ24123RHLR
TI(德州儀器)
BSC360N15NS3G
Infineon(英飛凌)
CJ3400
CJ(江蘇長(zhǎng)電/長(zhǎng)晶)
CL05A106MP5NUNC
SAMSUNG(三星)
CS48L10-CNZR
CirrusLogic(凌云邏輯)
EP3C120F780C8N
ALTERA(阿爾特拉)
IPTG007N06NM5ATMA1
Infineon(英飛凌)
IRFR2405TRPBF
IR(國(guó)際整流器)
LTC2600IGN#PBF
ADI(亞德諾)
LTC4413EDD-1#TRPBF
LINEAR(凌特)
MAX809LTRG
ON(安森美)
MM3Z18VT1G
ON(安森美)
MPQ8632GLE-8-Z
MPS(美國(guó)芯源)
MT48LC4M16A2P-6A:J
micron(鎂光)
NCE0102
NCE Power(新潔能)
PIC18F4680-I/ML
Microchip(微芯)
SDR0805-221KL
Bourns(伯恩斯)
SIM-153MH+
Mini-Circuits
SN74HC273PWR
TI(德州儀器)
STB75NF75LT4
ST(意法)
STF24N60DM2
ST(意法)
STTH102AY
ST(意法)
TLE5009E2010
Infineon(英飛凌)
TPS7A0533PDBVR
TI(德州儀器)
TUSB7340RKMR
TI(德州儀器)
XF2M-3015-1A
OMRON(歐姆龍)
5M2210ZF324I5N
INTEL(英特爾)
74AHC1G04GV
Philips(飛利浦)
AD976AARZ
ADI(亞德諾)
ADUM121N0BRZ-RL7
ADI(亞德諾)
ATMEGA168-20MU
Microchip(微芯)
B240-13-F
Diodes(美臺(tái))
CH552T
WCH(南京沁恒)
DG408DY+T
Maxim(美信)
EP1K30QC208-3N
ALTERA(阿爾特拉)
ESD9X12ST5G
ON(安森美)
GRM31CR61A476ME15L
MURATA(村田)
HCPL0601R2
Avago(安華高)
JS28F064M29EWHA
INTEL(英特爾)
MIC2025-2YMM
MIC(昌福)
MP24833-AGN-Z
MPS(美國(guó)芯源)
N32G435CBL7
TI(德州儀器)
NC7SB3257P6X
ON(安森美)
NVT2008BQ
NXP(恩智浦)
PCA9535RGER
TI(德州儀器)
SGM61430XPS8G/TR
SGMICRO(圣邦微)
SN74LVC126ARGYR
TI(德州儀器)
TCC8601-00X-ECR-UG
Telechips
TL16C554APN
TI(德州儀器)
TM4C1231H6PZIR
TI(德州儀器)
TPS72118DBVR
TI(德州儀器)
TPS73250DBVR
TI(德州儀器)
TSMF1000
Vishay(威世)
V275LA20AP
Littelfuse(力特)
WSL1206R0100FEA
Vishay(威世)
XL2596S-12E1
XLSEMI(芯龍)
1775838-2
TE(泰科)
A20
Allwinner(全志)
ACPL-061L-500E
Avago(安華高)
AFGHL75T65SQDT
ON(安森美)
ATTINY3217-MNR
Microchip(微芯)
BD2242G-GTR
Rohm(羅姆)
CL05A106MQ5NUNC
SAMSUNG(三星)
HI-8382J
Harris Semiconductor
KID65004AF-EL/P
KEC
LM2576-ADJ
TI(德州儀器)
MAX1480BEPI+
Maxim(美信)
