二次擊穿(SB)現(xiàn)象不僅在雙極功率管中存在，而且在點(diǎn)接觸二極管、CMOS集成電路中也存在。 LC78816MC-TE-L當(dāng)器件被偏置在某一特殊工作點(diǎn)(平面上USB、ISB處)時(shí)，電壓突然降落，電流突然上升，出現(xiàn)負(fù)阻的物理現(xiàn)象叫丘二次擊穿。這時(shí)若無(wú)限流或其他保護(hù)措施，器件將燒毀。雙極功率晶體管的二次擊穿情況如圖4. 19所示。

   二次擊穿與雪崩擊穿（一次擊穿）不同，雪崩擊穿是電擊穿，一旦反偏壓下降，器件（若擊穿是在限流控制下）又可恢復(fù)正常，它是可逆非破壞性的。二次擊穿是破壞性的熱擊穿，并且為不可逆過(guò)程，有過(guò)量電流流過(guò)PN結(jié)，溫度很高，使PN結(jié)燒毀。    

   電壓開始跌落的點(diǎn)稱二次擊穿觸發(fā)點(diǎn)， 其功率記為PSB，在二次擊穿觸發(fā)點(diǎn)停留的 (IB<O)和基極開路O(IB=o)時(shí)時(shí)間Cd稱二次擊穿“延遲時(shí)間”，則二次擊穿  由于PSBR<PSBO<PSBF，發(fā)射結(jié)反偏時(shí)最容易引起二次擊穿，這是由于反偏時(shí)電流在基區(qū)電阻上產(chǎn)生橫向壓降使電流聚集在發(fā)射區(qū)中間，電流密度更大所造成的。二次擊穿與電壓、電流脈沖作用時(shí)間和基區(qū)電阻率有關(guān)。