防止二次擊穿，改善器LC78820M件可靠性的措施包括以下幾方面。

   ·設(shè)計(jì)方面

   在發(fā)射極和集電極條上串接鎮(zhèn)流電阻，提高功率管二次擊穿耐量。對(duì)微波功率管也可利用鍵合引線的電感和氧化物電容組成的網(wǎng)絡(luò)，選擇適當(dāng)?shù)钠ヅ鋮?shù)實(shí)現(xiàn)功率的自動(dòng)調(diào)整。

   ·工藝方面

   發(fā)生二次擊穿的部位常是存在工藝缺陷的地方，如管芯與底座間燒結(jié)層的空洞，發(fā)射極鍵合點(diǎn)壓偏使鎮(zhèn)流電阻短路，硅鋁合金常使基區(qū)厚度不均勻等。這些缺陷使電流集中，熱阻增大，局部發(fā)熱過甚，導(dǎo)致PN結(jié)燒毀，所以要有針對(duì)性地加強(qiáng)工藝控制，確保工藝質(zhì)量。

   ·使用方面

   使用時(shí)根據(jù)手冊(cè)使其工作在安全工作區(qū)內(nèi)，在此區(qū)域內(nèi)不會(huì)引起二次擊穿或特性的緩慢退化。

   二次擊穿是器件內(nèi)部的現(xiàn)象，其擊穿機(jī)理及有關(guān)安全工作區(qū)等情況可參見有關(guān)教科書。

   閂鎖效應(yīng)是指CMOS電路中寄生的固有可控硅結(jié)構(gòu)被外界因素觸發(fā)尋通，在電源和地之間形成低阻通路現(xiàn)象，一旦電流流通，電源電壓不降至臨界值以下，導(dǎo)通就無法終止，引起器件的燒毀，構(gòu)成CMOS電路一個(gè)主要的可靠性問題。隨著集成度的提高，尺縮 小，摻雜濃度提高，寄生管的hFE變大，更易引起閂鎖效應(yīng)。