版圖結(jié)構(gòu)中電路節(jié)點收集電子的數(shù)量用收集效率來表示，是給定單元收集a粒子感生荷電載流子與a粒子所產(chǎn)生的比率，它與節(jié)點耗盡層大小、載流子在襯底中擴散長度以及a粒子入射位置和角度有關(guān)。

   引起電路產(chǎn)生誤差所需的最小電荷量定義為臨界電荷Qcr,：，對DRAM可表示Q。HD10145G是單元的正常電荷，Qm，。是能正確讀出時的最小電荷。因此存儲器的軟誤差率取決于Qcr,。和該單元的收集效率。DRAM最敏感的部位是位線和讀出放大器，而不是存儲單元， 這是因為單元的臨界電荷比位線的大，而位線和讀出放大器的收集效率比較高。16KBDRAM的Qcr,。約為106庫侖，d射線產(chǎn)生的電子一空穴對也在這一數(shù)量級。而64KB'CCD器件（電荷耦合器件）的Qcr,。約為105庫侖，所以CCD的軟誤差失效很嚴(yán)重。隨著集成度的提高，器件縮小，Qcr,。下降，軟誤差失效將會日趨嚴(yán)重。