器件的封裝材料（陶瓷管殼，作為樹脂填充劑的石英粉等）中含有微量元素鈾、HD10136釷等放射性物質(zhì)，它們衰變時會放出高能a射線。當這些a射線或宇宙射線照射到半導(dǎo)體存儲器上時，引起存儲數(shù)據(jù)位的丟失或變化，在下次寫入時存儲器又能正常工作，它完全是隨機地發(fā)生，所以把這種數(shù)據(jù)位丟失叫軟誤差。引起軟誤差的原因是d射線的電離效應(yīng)。能量為5MeV的a射線，穿入硅襯底的深度約在251um，沿其運動路徑隨著能量損失約產(chǎn)生2.5×106個電子一空穴對，電子可被收集到帶正電的N+擴散區(qū)域，空穴被排斥流入襯底。根據(jù)N+擴散區(qū)位置的不同可分為以下兩種情況。

   1．存儲單元模式    ．

   DRAM的存儲單元多由MOS管與MOS電容構(gòu)成，利用電容上存儲

的電荷或電位來表示信息。當存儲單元襯底側(cè)的勢阱有電子（信息為O）時，不會引起信息丟失。若勢阱為空（信息為1），a射線產(chǎn)生的電子流入，流入的電子達到一定的量，信息就丟失，即由1到0，這即產(chǎn)生軟誤差，如圖4. 24所示。

   2．位線模式

   存儲器中的數(shù)據(jù)經(jīng)讀出放大器讀出時位線浮空，存儲的信息由位線傳遞，把位線電位與基準位線上電位相比，如果a射線產(chǎn)生的電子流人存儲位線，使位線電位降低，信息就會由原來存儲的1變?yōu)镺。若a射線使基準位線電位降低，信息就會從原來存儲的0變?yōu)?/span> 1。因此，位線電位的變化會造成分不清存儲信息究竟是1還是O，實際觀察到的軟誤差是上述兩種矢效機理造成的。