1963午，塑封在IRFR9024NTR硅器件E的使用加速了價(jià)格的下跌，同一年，美國無線電( RCA)公司宣布開發(fā)出廠絕緣場效應(yīng)管( IFET)，這為MOS工業(yè)的發(fā)展鋪平了道路。RCA還制造出了第一個(gè)互補(bǔ)型MOS( CMOS)電路。

   在20世紀(jì)70年代初，半導(dǎo)體集成電路的制造主要在中規(guī)模集成電路( MSI)的水平，向有利潤并高產(chǎn)的大規(guī)模集成電路( LSJ)的發(fā)展在某種程度上受到了掩模版引起的缺陷和由接觸光刻機(jī)（Contact Aligner）造成的晶圓損傷的阻礙。Perkin and Elmer公司開發(fā)出了第一個(gè)實(shí)際應(yīng)用的投射光刻機(jī)，從而解決了掩模版和光刻機(jī)的缺陷問題。

   在這f‘年中，潔凈間的結(jié)構(gòu)和運(yùn)行得到r提高，并出現(xiàn)了離子注入機(jī)，用于高質(zhì)量掩模版的電子束( e-beam)機(jī)，以及用于晶圓光刻掩模步進(jìn)式光刻機(jī)(Stepper)開始出現(xiàn)。

   工藝過程的自動(dòng)化從旋轉(zhuǎn)涂膠／烘焙和顯影／烘焙開始，從操作員控制發(fā)展到工藝過程的自動(dòng)控制提高r產(chǎn)量和產(chǎn)品的一致性。

   20世紀(jì)80年代的焦點(diǎn)是如何從生產(chǎn)區(qū)域取消操作工和如何實(shí)現(xiàn)晶圓制造、封裝的全程自動(dòng)化，、自動(dòng)化提高了制造效率，使加工失誤減到最小，并保持晶圓制造區(qū)更少的沾污。300 mm的晶圓在20世紀(jì)90年伐被引入，進(jìn)一步促進(jìn)了對(duì)自動(dòng)化晶圓廠的需求（見第4章和第15章）、

   20世紀(jì)80年代的10年以美國和歐洲占統(tǒng)治地位開始，以半導(dǎo)體成為全球產(chǎn)業(yè)而結(jié)束j從20世紀(jì)70到80年代，1肌m特征圖形尺寸的障礙顯示了機(jī)遇和挑戰(zhàn)。機(jī)遇是指，這會(huì)是一個(gè)具有極高的速度和存儲(chǔ)能力自‘萬芯片的紀(jì)元。挑戰(zhàn)是指傳統(tǒng)光刻由于新增層、更大的晶圓表面臺(tái)階高度變化和晶圓直徑增大造成的局限。l¨m的障礙是在20世紀(jì)90年初期被突破的，50%的微芯片生產(chǎn)線在生產(chǎn)微米級(jí)和低于微米級(jí)的產(chǎn)品7。