晶圓在發(fā)貨到客戶之前可以進(jìn)行氧化
發(fā)布時間:2015/10/24 19:30:27 訪問次數(shù):844
晶圓在發(fā)貨到客戶之前可以進(jìn)行氧化。 MCCS142235FN氧化層用以保護(hù)晶圓表面,防止在運(yùn)輸過程中的劃傷和污染。許多公司從氧化開始晶圓制造工藝,購買有氧化層的晶圓就節(jié)省了一個生產(chǎn)步驟。氧化工藝將在第7章解釋。
盡管在生產(chǎn)高質(zhì)量和潔凈的晶圓方面付出了許多努力,但從包裝方法本身來說,在運(yùn)輸到客戶的過程中,這些品質(zhì)會喪失或變差。所以,對潔凈的和保護(hù)性的包裝有非常嚴(yán)格的要求。包裝材料是無靜電、不產(chǎn)生顆粒的材料,并且設(shè)備和操作丁要接地,放掉吸引小顆粒的靜電。晶圓包裝要在凈化間里進(jìn)行,、
晶圓的類型和用途
這砦過程是面向生產(chǎn)主晶圓( prime wafer)的,它們是晶圓制造工藝生產(chǎn)的芯片和電路的主角,此外,需要有不同類型的測試或監(jiān)控晶圓( test or monitor wafer)。這些都是用來代替昂貴的黃金晶片的監(jiān)測和評估的過程步驟的結(jié)果。這些是機(jī)械測試晶圓( mechanical test wafer)和一[藝試驗(yàn)晶圓( process test wafer)m。
機(jī)械測試晶圓被用于測試和驗(yàn)證設(shè)備的操作方面和處理系統(tǒng)。r藝試驗(yàn)片(也稱為監(jiān)控晶圓)與主晶圓和/或通過工藝模塊一起進(jìn)人工藝步驟。主晶圓不能用于測試和控制·個單一的工藝步驟的結(jié)果,,例如,在已經(jīng)有14層厚度的晶圓工藝中,測量第15層厚度是不可能的,因此,需要空白的r藝測試晶圓。
在工藝過程中有很多原因造成晶圓被廢棄,通常是因?yàn)椴环瞎に囈?guī)范、,假設(shè)它們沒有被物理地?fù)p壞,則可以被回收作為測試晶圓使用。使用化學(xué)與CMP相結(jié)合的方法,去除晶圓的頂層和頂部附加層。這將產(chǎn)生一個新的晶圓表面以適合于測試晶圓的使用。去層后,回收晶圓將通過與主晶網(wǎng)相同的晶圓清洗過程。
晶圓制造公司正要求晶圓加工商加大提供具有淀積頂層硅的晶圓,例如硅外延÷其他的晶圓產(chǎn)品包括在藍(lán)寶石或金剛石這樣的絕緣體上淀積硅(SOI和SOS)(見第12章)、
晶圓在發(fā)貨到客戶之前可以進(jìn)行氧化。 MCCS142235FN氧化層用以保護(hù)晶圓表面,防止在運(yùn)輸過程中的劃傷和污染。許多公司從氧化開始晶圓制造工藝,購買有氧化層的晶圓就節(jié)省了一個生產(chǎn)步驟。氧化工藝將在第7章解釋。
盡管在生產(chǎn)高質(zhì)量和潔凈的晶圓方面付出了許多努力,但從包裝方法本身來說,在運(yùn)輸到客戶的過程中,這些品質(zhì)會喪失或變差。所以,對潔凈的和保護(hù)性的包裝有非常嚴(yán)格的要求。包裝材料是無靜電、不產(chǎn)生顆粒的材料,并且設(shè)備和操作丁要接地,放掉吸引小顆粒的靜電。晶圓包裝要在凈化間里進(jìn)行,、
晶圓的類型和用途
這砦過程是面向生產(chǎn)主晶圓( prime wafer)的,它們是晶圓制造工藝生產(chǎn)的芯片和電路的主角,此外,需要有不同類型的測試或監(jiān)控晶圓( test or monitor wafer)。這些都是用來代替昂貴的黃金晶片的監(jiān)測和評估的過程步驟的結(jié)果。這些是機(jī)械測試晶圓( mechanical test wafer)和一[藝試驗(yàn)晶圓( process test wafer)m。
機(jī)械測試晶圓被用于測試和驗(yàn)證設(shè)備的操作方面和處理系統(tǒng)。r藝試驗(yàn)片(也稱為監(jiān)控晶圓)與主晶圓和/或通過工藝模塊一起進(jìn)人工藝步驟。主晶圓不能用于測試和控制·個單一的工藝步驟的結(jié)果,,例如,在已經(jīng)有14層厚度的晶圓工藝中,測量第15層厚度是不可能的,因此,需要空白的r藝測試晶圓。
在工藝過程中有很多原因造成晶圓被廢棄,通常是因?yàn)椴环瞎に囈?guī)范、,假設(shè)它們沒有被物理地?fù)p壞,則可以被回收作為測試晶圓使用。使用化學(xué)與CMP相結(jié)合的方法,去除晶圓的頂層和頂部附加層。這將產(chǎn)生一個新的晶圓表面以適合于測試晶圓的使用。去層后,回收晶圓將通過與主晶網(wǎng)相同的晶圓清洗過程。
晶圓制造公司正要求晶圓加工商加大提供具有淀積頂層硅的晶圓,例如硅外延÷其他的晶圓產(chǎn)品包括在藍(lán)寶石或金剛石這樣的絕緣體上淀積硅(SOI和SOS)(見第12章)、
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