熱預算問題推動r高壓氧化的發(fā)展。晶圓中位錯的生長和在晶圓表面層中開f】的邊緣二是由于氰產(chǎn)生的錯位高溫氧化的麗個問題。在第一種情況下，位錯OP113F造成r器件性能的各種問題；在第二種情況下，表面位錯引起表面漏電或雙極型電路硅生長層的退化．

   位錯的生長是反應溫度和在此溫度時反應時間的函數(shù)。針對這個問題，一種解決力’案是降低反應溫度，此方案本身使得氧化時問變長。一種町以解決兩個問題的方案是高壓氧化（見圖7. 25）。這些系統(tǒng)結(jié)構(gòu)很像傳統(tǒng)的水平式反應爐，但有一。妊顯著不同是：這種爐管是密封的并且氧化劑被用10~25信大氣壓的壓力泵入爐管。，高壓氧化的外圍要求用一個不銹鋼套包住石英管以防止爆裂。

   圖7. 25高壓氧化

   在這種壓力下，氧化速率比常壓下更快。一個簡單法則是壓力每增加…個大氣壓，溫度可以降低30℃，、在高壓系統(tǒng)里，由于壓力的增加使溫度降低300℃~ 750cc。，這種降低可以使晶圓里或表面的位錯生長最小。

   另…一種選擇是用高壓系統(tǒng)來維持正常的反應溫度，但減少了氧化時間。其他要擔心的是，高壓系統(tǒng)的安全操作問題以及由于要產(chǎn)生高壓而從附加的泵和管道里產(chǎn)生的污染、．