刻蝕輪廓控制
發(fā)布時間:2015/11/4 22:19:24 訪問次數(shù):483
在第9章中,ADS7870EA各向異性刻蝕的概念用來說明形成豎直(或接近豎直)刻蝕側(cè)墻的一種方法。當(dāng)刻蝕層實際上是多層不同材料疊在一起時,該問題變得更復(fù)雜[見圖10. 40(a)]。使用選擇性比較差的刻蝕劑會形成寬度不同的層面[見圖10. 40(b)]。多層刻蝕輪廓控制必須綜合考慮刻蝕劑化學(xué)成分、功率水平、系統(tǒng)壓力和設(shè)計。
學(xué)習(xí)完本章后,你應(yīng)該能夠:
1.描述4種與曝光有關(guān)的效應(yīng),這4種效應(yīng)都會引起光刻圖形畸變。
2.描繪雙層光刻膠工藝的截面流程圖。
3.描繪雙大馬士革制程工藝的截面流程圖。
4.列舉兩種平坦化技術(shù)。
5.說出圖形反轉(zhuǎn)工藝的優(yōu)點。
6.描述抗反射涂層、反差增強涂層和光刻膠染色劑是怎樣改進分辨率的。
7.識別光刻掩模版的薄膜部分并講出它對光刻工藝的貢獻。
在第9章中,ADS7870EA各向異性刻蝕的概念用來說明形成豎直(或接近豎直)刻蝕側(cè)墻的一種方法。當(dāng)刻蝕層實際上是多層不同材料疊在一起時,該問題變得更復(fù)雜[見圖10. 40(a)]。使用選擇性比較差的刻蝕劑會形成寬度不同的層面[見圖10. 40(b)]。多層刻蝕輪廓控制必須綜合考慮刻蝕劑化學(xué)成分、功率水平、系統(tǒng)壓力和設(shè)計。
學(xué)習(xí)完本章后,你應(yīng)該能夠:
1.描述4種與曝光有關(guān)的效應(yīng),這4種效應(yīng)都會引起光刻圖形畸變。
2.描繪雙層光刻膠工藝的截面流程圖。
3.描繪雙大馬士革制程工藝的截面流程圖。
4.列舉兩種平坦化技術(shù)。
5.說出圖形反轉(zhuǎn)工藝的優(yōu)點。
6.描述抗反射涂層、反差增強涂層和光刻膠染色劑是怎樣改進分辨率的。
7.識別光刻掩模版的薄膜部分并講出它對光刻工藝的貢獻。
上一篇:刻蝕輪廓控制
熱門點擊
- 硅和水蒸氣反應(yīng)形成二氧化硅和氫氣
- CVD的工藝步驟
- 路燈桿內(nèi)裝有斷路器或熔斷器
- 離子注入掩膜
- 建筑細節(jié)處理
- 低k介質(zhì)材料
- 邊緣倒角和拋光
- 剝離工藝
- 指出CVD反應(yīng)室的組成
- 擴散的概念
推薦技術(shù)資料
- 自制智能型ICL7135
- 表頭使ff11CL7135作為ADC,ICL7135是... [詳細]
- 全集成直接飛行時間(dToF)傳感器
- 2025年半導(dǎo)體市場發(fā)展趨勢未
- GW2A系列FPGA芯片應(yīng)用參數(shù)
- DDR類儲存器接口解決方案
- 2.5G bps MIPI D
- 新一代 Arora-V系列FPGA產(chǎn)品詳情
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究