外延膜的質(zhì)量：工藝中首要關(guān)注的就是外延膜的質(zhì)量。除了通常考慮的污染之外，還有HCPL-0710一些是外延生長的瑕疵。被污染的系統(tǒng)可能引起稱為霧霾( haze)的問題拉引。霧霾是一種表面的疑難問題，可從微米級破損變化到可見的灰暗不光滑表面。霧霾來源于殘存在反應(yīng)氣體中的氧氣或系統(tǒng)泄漏。

   在開始淀積時(shí)，對淀積表面的污染將引起加速生長，稱為“尖刺”( spike)（見圖12. 30）。，尖刺的高度可能與薄膜的厚度相同，、它們會(huì)在光刻膠層或其他的淀積膜中產(chǎn)生}同和斷裂。

   生長期間可能發(fā)生一些結(jié)晶問題，其中之一是堆垛層錯(cuò)( stacking faults)。堆垛層錯(cuò)是由于原子面周圍產(chǎn)生“位錯(cuò)”( dislocation)的相關(guān)原子組成的多余原子面。堆垛層錯(cuò)在表面形成并“生長”到薄膜的表面。堆垛層錯(cuò)的形狀依賴于薄膜和晶圓定向。在<111>晶向，薄膜的堆垛層錯(cuò)具有錐形的形狀（見圖12. 31）；而<100)面的晶圓形成方形的堆垛層錯(cuò)。堆垛層錯(cuò)可以采用X射線或刻蝕技術(shù)進(jìn)行檢測。