采用CVD方法淀積的二氧化硅膜在結(jié)構(gòu)和化學(xué)計(jì)量上不同于熱生長的氧化膜、視淀積溫度的不同，HD6413004F16淀積的氧化物具有比較低的密度和不同的機(jī)械性能，如折射系數(shù)、對(duì)裂紋的抵抗、絕緣強(qiáng)度和刻蝕速率。薄膜摻雜對(duì)這些參數(shù)有較大的影響。在許多工藝中，對(duì)淀積的薄膜采取高溫?zé)崽幚恚Q為致密( densification)作用。在致密過程之后，淀積的二氧化硅膜在結(jié)構(gòu)和性能上接近熱氧化膜。

   由于鋁和硅的合金過程不允許在450℃以上進(jìn)行，所以需要在低溫下淀積Si07．、早期使用的淀積工藝是采用水平熱傳遞APCVD系統(tǒng)，通過硅烷和氧氣的反應(yīng)得到：

   S1H4 +02—+S107 +2H7

   這種‘[藝形成的薄膜，由于是在450℃淀積，薄膜的質(zhì)量較差，并不適用于高級(jí)的器件設(shè)計(jì)和較大的晶圓。

   I,PCVD系統(tǒng)的開發(fā)為獲取高質(zhì)量的薄膜提供了可能，特別是對(duì)臺(tái)階覆蓋和低應(yīng)力等因素i

   從質(zhì)量和生產(chǎn)效率的角度考慮，LPCVD工藝是首選的淀積技術(shù)。二氧化硅在高溫( 900℃)LPCVD中采用二氯硅烷與氧化氮反應(yīng)形成的：

   SiCl-,H7 +2N07—,Si0. +2N7 +2HC1

   正硅酸乙脂( TEOS)：到目前為止-二氧化硅的淀積主要來源于Si( OCzH，)，稱為TFOS(: rrEOS的歷史町追溯到20世紀(jì)60年代。早期的系統(tǒng)依賴于TEOS在750C左7i高溫時(shí)的分解。目前的淀積是基于20世紀(jì)70年代確丑的熱壁LPCVD系統(tǒng)，溫度在400qL：以}^

與等離子體配合（PECVD或PETEOS）使用的TEOS允許淀積溫度在亞400。C范圍Ⅳ■對(duì)0.5p4m的器件，這種t藝在高深寬比圖形的覆蓋一致性上受到限制  通過在反應(yīng)氣流巾加入臭氧(0)r玎以改進(jìn)臺(tái)階覆蓋的性能31。