污染物和缺陷檢測
發(fā)布時(shí)間:2015/11/10 20:08:57 訪問次數(shù):515
污染物和直觀缺陷檢測對于獲得高的良品率和工藝控制是非常重要的。IRF530顆粒污染物主要通過光學(xué)技術(shù)檢測,比如高強(qiáng)度光、顯微鏡、掃描電鏡和其他自動(dòng)裝置;瘜W(xué)污染物通過俄歇( Auger)技術(shù)和電子分光鏡的化學(xué)分析(ESCA)技術(shù)來檢測和定義。由于器件尺寸已經(jīng)變得更小,像每一種微芯片工藝一樣,致命的缺陷和污染的檢測也已經(jīng)要求增加技術(shù).
首先要在放大率為1(或者在顯微鏡術(shù)語里稱為l×Power)的情況下觀察晶圓。或品圓批的外觀即使有很小的變化都能被識別以便進(jìn)一步檢查(見圖14. 20),肉眼的分辨能力(lx)可通過使用高強(qiáng)度白光來得到補(bǔ)償,比如幻燈投影儀光束(見圖14. 21)。當(dāng)以一定角度觀察晶圓時(shí),顆粒污染物會在光束下顯現(xiàn)出來,這種效應(yīng)類似于光束經(jīng)過窗口時(shí)窄氣中塵埃的顯現(xiàn)。14. 8.3 1×紫外線
肉眼.
實(shí)際±二,肉眼不能看見紫外線光束,但來自汞燈的紫外線會發(fā)射藍(lán)、綠以及一些紅光。由于紫外線對視網(wǎng)膜有害, 圖14.21準(zhǔn)直光檢測所以有,一種過濾器常常被放到光源處以封閉紫外線。用于制造區(qū)域的紫外線的主要優(yōu)點(diǎn)是它非常亮,也就是說,分散光的亮度很大,因此會提高對表面污染物的檢測能力。
污染物和直觀缺陷檢測對于獲得高的良品率和工藝控制是非常重要的。IRF530顆粒污染物主要通過光學(xué)技術(shù)檢測,比如高強(qiáng)度光、顯微鏡、掃描電鏡和其他自動(dòng)裝置。化學(xué)污染物通過俄歇( Auger)技術(shù)和電子分光鏡的化學(xué)分析(ESCA)技術(shù)來檢測和定義。由于器件尺寸已經(jīng)變得更小,像每一種微芯片工藝一樣,致命的缺陷和污染的檢測也已經(jīng)要求增加技術(shù).
首先要在放大率為1(或者在顯微鏡術(shù)語里稱為l×Power)的情況下觀察晶圓。或品圓批的外觀即使有很小的變化都能被識別以便進(jìn)一步檢查(見圖14. 20),肉眼的分辨能力(lx)可通過使用高強(qiáng)度白光來得到補(bǔ)償,比如幻燈投影儀光束(見圖14. 21)。當(dāng)以一定角度觀察晶圓時(shí),顆粒污染物會在光束下顯現(xiàn)出來,這種效應(yīng)類似于光束經(jīng)過窗口時(shí)窄氣中塵埃的顯現(xiàn)。14. 8.3 1×紫外線
肉眼.
實(shí)際±二,肉眼不能看見紫外線光束,但來自汞燈的紫外線會發(fā)射藍(lán)、綠以及一些紅光。由于紫外線對視網(wǎng)膜有害, 圖14.21準(zhǔn)直光檢測所以有,一種過濾器常常被放到光源處以封閉紫外線。用于制造區(qū)域的紫外線的主要優(yōu)點(diǎn)是它非常亮,也就是說,分散光的亮度很大,因此會提高對表面污染物的檢測能力。
上一篇:光學(xué)圖像剪切尺寸測量
上一篇:顯微鏡技術(shù)
熱門點(diǎn)擊
- 刻蝕的目的和問題
- 異丙醇( IPA)蒸氣蒸干法
- 二進(jìn)制符號
- 晶圓術(shù)語
- 摻雜多晶硅
- 垂直式反應(yīng)爐
- 防反射涂層
- 摻雜的二氧化硅
- 基本CVD系統(tǒng)構(gòu)成
- 負(fù)光刻膠顯影
推薦技術(shù)資料
- Nuclei lntellig
- RISC-V子系統(tǒng)模式技術(shù)結(jié)構(gòu)
- 物理量子比特量子芯片Willo
- MPS電源管理一站式解決方案詳情
- 薄緩沖層AlGaN/GaN外延
- 2024年全球第三代半導(dǎo)體行業(yè)十大事件
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動(dòng)IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究