P型半導(dǎo)體( P-type)：在本征DM9000AE半導(dǎo)體中摻入元素周期表中的第III族元素就形成P型半導(dǎo)體，任這種半導(dǎo)體中導(dǎo)電的多子（也稱多數(shù)載流子）是空穴。石英( quartz)：對(duì)于氧化硅的商業(yè)稱法，因?yàn)槭⒌牡蛯?dǎo)熱性，石英在半導(dǎo)體工業(yè)中被廣泛使用。隨機(jī)存儲(chǔ)器(RAM)：臨時(shí)存放數(shù)據(jù)的器件。

   快速熱氧化(RTO)：在快速熱反應(yīng)設(shè)備中進(jìn)行的氧化工藝。快速熱處理( RTP)：通過密集的燈光或者其他熱源，對(duì)于晶圓進(jìn)行毫r秒級(jí)的快速升溫和降溫處理的設(shè)備，這種設(shè)備一次只處理一片晶圓。

   RCA清洗(RCA clean)：在氧化工藝前進(jìn)行的一系列步驟的清洗程序，這種清洗過程以開發(fā)這種清洗過程的RCA公司命名。

   反應(yīng)離子刻蝕( RIE)：一種結(jié)合了等離子體刻蝕和離子束表面去除的刻蝕工藝�？涛g氣體通過管道進(jìn)入反應(yīng)室并被離子化，單獨(dú)的分子被加速打到晶圓的表面，晶圓表面被同時(shí)進(jìn)行的物理和化學(xué)反應(yīng)腐蝕。

   反應(yīng)室( reactor)：(1)在半導(dǎo)體LZ中進(jìn)行薄膜淀積過程中用到的反應(yīng)室，例如晶體外延層反應(yīng)竄、氣相反應(yīng)窒和氮他硅反應(yīng)室等；(2)參見塑封(plasma etcher)。

   難熔金屬( refractory metal)：具有耐熱、耐磨和耐腐蝕特性的一類金屬�！鼈儽挥米鐾ㄦ軱塞體系的導(dǎo)體，包括鉬、鉭和鎢。

電阻率( resistivity)：電流在材料中流過的阻抗的量度。是原子的質(zhì)子帶的正電荷對(duì)于原子的外部電子吸引力的函數(shù)，原子核對(duì)電子的束縛力越大，電阻率就越高分辨能力( resolution capability)：光刻T藝或其他設(shè)備可以提供的最小分辨率。放大掩模版( reticle)：只包含r整個(gè)晶圓一部分圖案的光刻掩模版。漂洗( rinse)：用來去除濕法刻蝕后產(chǎn)物或顯影后產(chǎn)物的工藝。通常這個(gè)【藝步驟會(huì)阻止刻蝕或硅影的化學(xué)品繼續(xù)進(jìn)行反應(yīng)，并去除表面卜^未反應(yīng)的化學(xué)品、．有很多種不同的漂洗，例如溢流漂洗、噴射漂洗、傾卸漂洗、旋轉(zhuǎn)一漂洗一甩干機(jī)等．只讀存儲(chǔ)器( ROM)：-種只可以讀取原來保存的數(shù)據(jù)，不可以改寫的存儲(chǔ)器。

自對(duì)準(zhǔn)金屬硅化物柵極( salicide MOS gate)：一種多晶硅化物MOS柵結(jié)構(gòu)在順序工藝中成自對(duì)準(zhǔn)的源或漏。參見多晶硅柵極( polycide MOS gate)。