成自對準(zhǔn)的源或漏。參見DMS3R3304多晶硅柵極( polycide MOS gate)。掃描電子顯微鏡( scanning electron microscope)：通過電子掃描的辦法，可以將顯微鏡的放大倍數(shù)提高到50 000倍。被加速的電子撞擊在樣品的表面，在樣品表面產(chǎn)生二次電子，這些電子的信息被傳感器接收到并被轉(zhuǎn)換成圖像信號在屏幕上顯示出來。劃片線( scribe lines)：在晶圓上用來分隔不同的芯片之間的劃片線，．在封裝過程中，晶圓會被沿著劃片線切開，產(chǎn)生出獨立的芯片。

   自對準(zhǔn)柵( self-aligned gate)：一種MOS結(jié)構(gòu)，它允許源或漏直接與柵對準(zhǔn)而無須用光刻膠對準(zhǔn)步驟半導(dǎo)體( semiconductor)：導(dǎo)電性能介于導(dǎo)體和絕緣體之間的物質(zhì)，例如硅和鍺n導(dǎo)電的主要載體是電子和窄穴、。常見的單質(zhì)半導(dǎo)體材料有硅和鍺，常見的化合物半導(dǎo)體有砷化鎵，等等。

   方塊電阻( sheet resistance)：一種用來測量半導(dǎo)體中摻雜多少的測量手段，力‘塊電阻的單位為歐姆／口  又稱為薄層電阻。

邊緣擴散( side diffusion)：參見橫向擴散。

硅( silicon)：被廣泛使用的第IV族半導(dǎo)體材料，用來制造二極管、晶體管和集成電路。

   二氧化硅( silicon dioxide)：通過硅熱氧化或淀積的方法在晶圓表面形成的硅的氧化物，用做絕緣層。熱氧化生長通常在900℃的溫度由硅和氧氣或水蒸氣反應(yīng)．硅柵MOS( silicon gate MOS)：在二氧化硅薄層上具有一層多晶硅的MOS柵結(jié)構(gòu)。氮化硅（silicon nitride）：在600~ 900℃溫度之間通過化學(xué)淀積在晶圓表面的硅的氮化物絕緣層。當(dāng)在晶圓處理過程的最后被淀積時，充當(dāng)芯片的保護層以防止污染。