單晶( single crystal)：通常用DNA1002D來表示物質(zhì)的單個(gè)晶體結(jié)構(gòu)和整體結(jié)構(gòu)的有序排列，與之對應(yīng)的是整體無序的多晶結(jié)構(gòu)，斜度刻蝕( slope etching)：受控的鉆蝕，在進(jìn)行孔結(jié)構(gòu)的刻蝕過程中，為r減小側(cè)壁的陰影效應(yīng)而有意增加的過刻蝕。

   軟烘焙( soft baking)：用來去除光刻膠中溶劑的加熱過程。經(jīng)過這步L2J處理之后，光刻膠仍然還是軟的，將溶劑蒸發(fā)的目的有兩個(gè)：(1)去除光刻膠申的溶劑成分；(2)加強(qiáng)光刻膠涂層和晶圓表面的黏合度，又稱為前烘。

   固體電子學(xué)( solid-state electronics)：用來表示由固體材料，例如半導(dǎo)體材料、鐵電體或薄膜組成的電子器件，，區(qū)別于早期由電子管構(gòu)成的電子器件或線路。

   源極( source)：場效應(yīng)管中的一個(gè)極，其余兩個(gè)極為柵極和漏極。分光光度計(jì)( spectrophotometer)：-種收集光波干涉信息的儀器，通過這些信息可以計(jì)算得到薄膜的厚度。

   旋轉(zhuǎn)( spinning)：當(dāng)光刻膠被涂布到晶圓E，晶圓需要旋轉(zhuǎn)，從而使光刻膠分布均勻。通常這樣町以使光刻膠在晶圓上的厚度分布在0.5ym左右，同時(shí)保證整個(gè)晶圓表面的厚度偏差在10%以內(nèi)。

   旋轉(zhuǎn)清洗甩干機(jī)( spin rinse dryer)：能通過旋轉(zhuǎn)自動清洗和甩干放在片匣盒里的晶圓的一 種機(jī)器。

   噴霧顯影( spray development)：晶圓在真空吸盤上旋轉(zhuǎn)期間，在其光刻膠層對圖形顯影的系統(tǒng)。

   擴(kuò)展電阻( spreading resistance)：-種用來測量晶圓摻雜濃度的技術(shù)。濺射( sputtering)：一種在晶圓表面淀積薄膜的方法。被射頻電場加速的離子撞擊靶材，使靶材，七的原子被撞由下來并到達(dá)晶圓的表面沉積成薄膜。小規(guī)模集成電路(SSI)：表示2—50個(gè)器件的集成度。標(biāo)準(zhǔn)機(jī)械接口( SMIF)：允許便攜式潔凈晶圓的盒（被稱為墊）與工藝設(shè)備的潔凈微環(huán)境裝載臺匹配的一個(gè)系統(tǒng)。

駐波效應(yīng)( standing wave effect)：一種垂直的光刻膠曝光圖形，由于曝光的光線在晶圓表面反射的結(jié)構(gòu)干涉，在光刻膠層中建立的駐波。靜態(tài)存儲器( static RAM)：由晶體管構(gòu)成的快速可讀寫存儲器。濕氧( steam oxide)：用氣體鼓泡（通常是氧氣或氮?dú)猓┩ㄟ^98℃~100℃水，在水蒸氣環(huán)境F進(jìn)行的熱氧化生長工藝。