方塊電阻的測(cè)量
發(fā)布時(shí)間:2016/6/12 21:38:31 訪問(wèn)次數(shù):1018
方塊電阻的測(cè)量。擴(kuò)散后A3242LUA要測(cè)量方塊電阻,檢驗(yàn)雜質(zhì)濃度的控制情況。測(cè)量方塊電阻通常采用四探針?lè)?如圖2.10所示。
其中,/為內(nèi)側(cè)探針的電位差,即電位差計(jì)的讀數(shù)(mV);J為外側(cè)探針的電流值(mA)。由于被測(cè)樣品的形狀、大小、探針間距等都不同,所以要對(duì)結(jié)果進(jìn)行修正,Κ為修正因子。修正因子可以從表2.7中查得,表中給出了圓形、正方形、長(zhǎng)方形樣品的修正因子。其中,s是探針間距,D是圓形樣品的直徑,歹為垂直探針列的一邊長(zhǎng),L為平行探針列的一邊長(zhǎng)。
在相鄰兩端加電流,測(cè)另外兩端的電壓,一共可測(cè)出四組值,然后再用電壓除以電流即可得到薄層的電阻值,即Rf(/12/f34+殤3/J。1+‰o/J1廣‰1%3)抑,用微電子測(cè)試圖形測(cè)量薄層的方塊電阻時(shí),為了方便起見(jiàn),都采用對(duì)稱的圖形結(jié)構(gòu)和電極
方塊電阻的測(cè)量。擴(kuò)散后A3242LUA要測(cè)量方塊電阻,檢驗(yàn)雜質(zhì)濃度的控制情況。測(cè)量方塊電阻通常采用四探針?lè)?如圖2.10所示。
其中,/為內(nèi)側(cè)探針的電位差,即電位差計(jì)的讀數(shù)(mV);J為外側(cè)探針的電流值(mA)。由于被測(cè)樣品的形狀、大小、探針間距等都不同,所以要對(duì)結(jié)果進(jìn)行修正,Κ為修正因子。修正因子可以從表2.7中查得,表中給出了圓形、正方形、長(zhǎng)方形樣品的修正因子。其中,s是探針間距,D是圓形樣品的直徑,歹為垂直探針列的一邊長(zhǎng),L為平行探針列的一邊長(zhǎng)。
在相鄰兩端加電流,測(cè)另外兩端的電壓,一共可測(cè)出四組值,然后再用電壓除以電流即可得到薄層的電阻值,即Rf(/12/f34+殤3/J。1+‰o/J1廣‰1%3)抑,用微電子測(cè)試圖形測(cè)量薄層的方塊電阻時(shí),為了方便起見(jiàn),都采用對(duì)稱的圖形結(jié)構(gòu)和電極
上一篇：方塊電阻的測(cè)量
上一篇：離子注入技術(shù)概述
相關(guān)技術(shù)資料- 6-12方塊電阻的測(cè)量
- 相關(guān)IC型號(hào)
- A3242LUA
- A3240ELHLT
熱門點(diǎn)擊
- 預(yù)成型焊料
- 通常用做阻擋層的金屬是具有高熔點(diǎn)的難熔金屬
- 氮?dú)饣亓鳡t
- MSID標(biāo)志通常貼在條形碼標(biāo)簽附近
- 壓接工裝
- 合金工藝
- 方塊電阻的測(cè)量
- 添加斷點(diǎn)
- 溫度曲線的作用及構(gòu)成
- 清潔是指持續(xù)不斷地堅(jiān)持常整理
推薦技術(shù)資料
- 頻譜儀的解調(diào)功能
- 現(xiàn)代頻譜儀在跟蹤源模式下也可以使用Maker和△Mak... [詳細(xì)]
- 全新高端射頻儀器
- 集成32位RISC-V處理器&
- 第三代半導(dǎo)體和圖像傳感器 參數(shù)封裝應(yīng)用
- 汽車半導(dǎo)體
- 人形機(jī)器人技術(shù)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)及發(fā)展分
- 紫光芯片云3.0整體解決方案
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動(dòng)IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機(jī)遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計(jì)
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究
公網(wǎng)安備44030402000607
