光刻工藝的質(zhì)量不僅影響器件的特性,而且對器件的成品率和可靠性也有很大影響,對光刻質(zhì)量的要求是刻蝕的圖形完整、尺寸準(zhǔn)確、 HAT2189WP-EL-E邊緣整齊;圖形外氧化層上沒有針孔,同時(shí)要求套合準(zhǔn)確、無污點(diǎn)等。對氧化工藝過程的要求則是氧化層的厚度均勻,結(jié)構(gòu)致密,與光刻膠的黏附良好,不易產(chǎn)生浮膠現(xiàn)象。對金屬化工藝過程的要求則是與絕緣介質(zhì)膜有良好的黏附性、層間接觸電阻要小、無污點(diǎn)等。光刻過程中,常會(huì)出現(xiàn)浮膠、毛刺、鉆蝕、針孔和小島等缺陷,影響柵氧和金屬化的可靠性。

   浮膠是指顯影或腐蝕過程中,由于化學(xué)試劑不斷浸入光刻膠膜與S⒑2或其他薄膜間的界面,引起抗蝕劑膠膜皺起或剝落的現(xiàn)象。產(chǎn)生浮膠的原因有涂膠前硅片表面不清潔,沾有油污或水汽,使膠膜與硅片表面間沾潤不良;光刻膠配制有誤或膠液陳舊變質(zhì),膠的光化學(xué)反應(yīng)性能不好,與硅片表面黏附能力差。前烘時(shí)間不足或過度;曝光不足,光化學(xué)反應(yīng)不徹底,部分膠膜溶于顯影液中,引起浮膠;顯影時(shí)間過長;腐蝕時(shí)產(chǎn)生浮膠的原因有堅(jiān)膜不足,膠膜沒有烘透,黏附性差,在腐蝕液作用下引起浮膠;腐蝕液配比不當(dāng),如腐蝕sio的氫氟酸緩沖腐蝕液中氟化銨太少,腐蝕液活潑性太強(qiáng);腐蝕溫度太低或太

高,溫度太低,腐蝕時(shí)間太長,腐蝕液穿透或從膠膜底部滲入,引起浮膠,溫度太高,則腐蝕液活潑性強(qiáng),也可能產(chǎn)生浮膠。