間隙式擴散
發(fā)布時間:2016/6/11 17:53:21 訪問次數(shù):1887
雜質(zhì)原子從一個原子間隙運動到相鄰的另一個原子間隙,依靠間隙運動方式而逐步跳躍前進的擴散機理, AD7892BR-3稱為間隙式擴散,如圖2.5所示。O、Au、Ag、Cu、Zn、Mg、Fc和№等半徑較小的重金屬雜質(zhì)原子,不易與硅原子鍵合,―般按間隙式進行擴散。
這種雜質(zhì)原子大小與Si原子大小差別較大,雜質(zhì)原子進入硅晶體后,不占據(jù)晶格格點的正常位置,而是從一個硅原子間隙到另一個硅原子間隙逐次跳躍前進。鎳、鐵等重金屬元素等是此種方式。
間隙雜質(zhì)在間隙位置上的勢能相對極小,相鄰的兩個間隙之間,對間隙雜質(zhì)來說是勢能極大位置,也就是說間隙雜質(zhì)要從一個間隙位置運動到相鄰的間隙位置上,必須要越過一個勢壘,勢壘高度叱一般為0.6~1。⒛V。
間隙雜質(zhì)一般情況下只能在勢能極小位置附近作熱振動,振動頻率=1013/s~1014/s,平均振動能≈kΓ,在室溫下只有0.朧6eV,就是在1⒛0℃的高溫下也只有0.13cV。因此,間隙雜質(zhì)只能依靠熱漲落才能獲得大于勢壘高度的能量,越過勢壘跳到近鄰的間隙位置上。
雜質(zhì)原子從一個原子間隙運動到相鄰的另一個原子間隙,依靠間隙運動方式而逐步跳躍前進的擴散機理, AD7892BR-3稱為間隙式擴散,如圖2.5所示。O、Au、Ag、Cu、Zn、Mg、Fc和№等半徑較小的重金屬雜質(zhì)原子,不易與硅原子鍵合,―般按間隙式進行擴散。
這種雜質(zhì)原子大小與Si原子大小差別較大,雜質(zhì)原子進入硅晶體后,不占據(jù)晶格格點的正常位置,而是從一個硅原子間隙到另一個硅原子間隙逐次跳躍前進。鎳、鐵等重金屬元素等是此種方式。
間隙雜質(zhì)在間隙位置上的勢能相對極小,相鄰的兩個間隙之間,對間隙雜質(zhì)來說是勢能極大位置,也就是說間隙雜質(zhì)要從一個間隙位置運動到相鄰的間隙位置上,必須要越過一個勢壘,勢壘高度叱一般為0.6~1。⒛V。
間隙雜質(zhì)一般情況下只能在勢能極小位置附近作熱振動,振動頻率=1013/s~1014/s,平均振動能≈kΓ,在室溫下只有0.朧6eV,就是在1⒛0℃的高溫下也只有0.13cV。因此,間隙雜質(zhì)只能依靠熱漲落才能獲得大于勢壘高度的能量,越過勢壘跳到近鄰的間隙位置上。
上一篇：摻雜的目的是形成特定導(dǎo)電能力的材料區(qū)域
上一篇：替位式擴散
相關(guān)技術(shù)資料- 6-11間隙式擴散
熱門點擊
- 光刻工藝產(chǎn)生的微缺陷
- 光刻膠的去除
- 二次擊穿
- 間隙式擴散
- 緊固件安裝基本要求
- 焊接后清潔度要求
- 影響氧化物生長的因素
- ARES PCB Layout提供了生成OD
- 溫度敏感元器件的配送要求
- 小島是指在氧化層刻蝕的光刻窗口內(nèi)
推薦技術(shù)資料
- 泰克新發(fā)布的DSA830
- 泰克新發(fā)布的DSA8300在一臺儀器中同時實現(xiàn)時域和頻域分析，DS... [詳細]
- 高度集成 USB PD 控制器
- 移動存儲控制芯片
- 新型二極管技術(shù)在電子元器件應(yīng)用結(jié)構(gòu)̴
- 反射傳感器簡化光電開關(guān)設(shè)計應(yīng)用
- 業(yè)內(nèi)先進二極管整流器 Powe
- 集成半橋高功率密度 Power
- 多媒體協(xié)處理器SM501在嵌入式系統(tǒng)中的應(yīng)用
- 基于IEEE802.11b的EPA溫度變送器
- QUICCEngine新引擎推動IP網(wǎng)絡(luò)革新
- SoC面世八年后的產(chǎn)業(yè)機遇
- MPC8xx系列處理器的嵌入式系統(tǒng)電源設(shè)計
- dsPIC及其在交流變頻調(diào)速中的應(yīng)用研究
公網(wǎng)安備44030402000607
