小島是指在氧化層刻蝕的光刻窗口內(nèi),還留有沒有刻蝕干凈的氧化層局部區(qū)域,其形狀不規(guī)則。

   光刻產(chǎn)生小島的原因有:掩模版HAT3004R-EL圖形上的針孔或損傷,在曝光時形成漏光點,使該處的光刻膠膜感光交聯(lián),保護了氧化層不被腐蝕,形成小島,對于這種情況,可在光刻腐蝕后,易版或移位再進行一次套刻,以減少或消除小島;曝光過度或光刻膠變質(zhì)失效,以及顯影不足,使局部區(qū)域光刻膠在顯影時溶解不凈;氧化層表面有局部耐腐蝕物質(zhì),如硼硅玻璃等。腐蝕液不干凈,存在阻礙腐蝕作用的臟物。因此必須定期更換新的腐蝕液。

   針孔是指在光刻圖形外面的氧化層上,經(jīng)光刻后會出現(xiàn)的微小孔洞。光刻時產(chǎn)生針孔的原因有:氧化硅薄膜表面有灰塵、石英屑、硅渣等外來顆粒,使得涂膠時膠膜與基片表面未充分沾潤,留有未覆蓋的小區(qū)域,腐蝕時產(chǎn)生針孔;光刻膠中含有固體顆粒,影響曝光效果,顯影時剝落,腐蝕時產(chǎn)生針孔;光刻膠膜本身抗蝕能力差,或者膠膜太薄,腐蝕液局部穿透膠膜,造成針孔;前烘不足,殘存溶劑阻礙抗蝕劑交聯(lián),或者前烘時驟熱,引起溶劑揮發(fā)過快而鼓泡,腐蝕時產(chǎn)生針孔。

   曝光不足或曝光時間太長,膠層發(fā)生皺皮,腐蝕液穿透膠膜而產(chǎn)生腐蝕斑點。腐蝕液配方不當(dāng),腐蝕能力太強。掩模版透光區(qū)存在灰塵或黑斑,曝光時局部膠膜未曝光,顯影時被溶解,腐蝕后產(chǎn)生針孔。 硅片表面質(zhì)量不好,有一定的位錯和層錯,而位錯和層錯處又積聚了快擴散雜質(zhì)(如銅、鐵等),這些地方不能很好地生長二氧化硅,于是形成氧化層針孔。其次,硅片清洗不干凈,有殘留的雜質(zhì),光刻腐蝕后在⒐o2層上產(chǎn)生針孔。