若只是簡單地將金屬和半導體連接在一起,接觸區(qū)就會出現(xiàn)整流效應,這種附加的單向導電性, HCF4053使得晶體管或集成電路不能正常工作。要使接觸區(qū)不存在整流效應,就要形成歐姆接觸。良好的歐姆接觸應滿足以下條件:電壓與電流之間具有線性的對稱關系;接觸 電阻盡可能低,不產(chǎn)生明顯的附加阻抗;有一定的機械強度,能承受沖擊、震動等外力的作用。

   形成歐姆接觸的方法有3種,分別是半導體高摻雜的歐姆接觸、低勢壘高度的歐姆接觸和高復合中心歐姆接觸。

   半導體高摻雜的歐姆接觸。在器件制造中常使用半導體高摻雜接觸方法。由于隧穿幾率與勢壘高度密切相關,而勢壘高度又取決于半導體表面層的摻雜濃度,勢壘越窄,隧穿效應越明顯,而勢壘的寬度取決于半導體的摻雜濃度,摻雜濃度越高,勢壘越窄。因此,只要控制好半導體的摻雜濃度,就可以得到良好的歐姆接觸。當摻雜濃度較高,通常大于1019個/cm3時,半導體表面的勢壘高度很小,載流子可以隧穿過勢壘,從而形成歐姆接觸。該方式的接觸電阻隨摻雜濃度的變化而變化。