漏雪崩熱載流子(DAHC,Drain Avalanchc Hot Ca△icr)        -

由漏端強電場導(dǎo)致的雪崩倍增效應(yīng)引起的電子從溝道獲得足夠高的能量, ESD5Z7.0T1G經(jīng)碰撞電離后產(chǎn)生電子一空穴對,電子一空穴對又會產(chǎn)生更多的電子一空穴對,形成雪崩過程。

   襯底熱電子(SHE,Substrate HOt Πcc“on)

   它是在位于表面附近的襯底區(qū)中由于熱產(chǎn)生或注入電子到so2中形成的。當/Ds=0且吒s)0并施加較大的背柵壓吒s時,自舉電路中的上升過程就可以發(fā)生sHE注入現(xiàn)象。

   耗盡層中產(chǎn)生的電子或從襯底中性區(qū)擴散過來的電子在向si/S⒑2界面漂移的過程中從表面耗盡區(qū)的高電場中獲得能量,其中部分電子將獲得足夠高的能量并越過勢壘。由于熱產(chǎn)生的電子一空穴對較少,sHE注入實際上并不重要。

   二次產(chǎn)生的熱電子

   二次產(chǎn)生的熱電子是由襯底電流的二次碰撞離化產(chǎn)生的二次少子。漏端附近的雪崩過程形成了襯底空穴電流,該空穴電流通過碰撞離化形成二次電子一空穴對,這些二次電子如同sHE一樣會被注入柵氧化層中。

   在柵氧化層較薄((lOnm)和背柵偏壓較大的情況下,二次電子注入效應(yīng)特別嚴重。實際上界面處產(chǎn)生的熱電子和熱空穴會使0.25um PMOs器件的跨導(dǎo)和漏極電流隨著時間的增加而下降。