CMOs電路的閂鎖效應(yīng)(Lgch―up)
發(fā)布時(shí)間:2016/6/22 21:09:32 訪(fǎng)問(wèn)次數(shù):1809
CMOs反相器電路圖及其工藝結(jié)構(gòu)如圖5.⒛所示。從圖中可見(jiàn),襯底與P阱中分別存在著寄生三極管VT1/VT3與VT2/VT4。當(dāng)CMOs電路處于正常工作狀態(tài)時(shí), D1FK60如果沒(méi)有外來(lái)噪聲的干擾,所有寄生晶間管處于截止?fàn)顟B(tài),不會(huì)出現(xiàn)閂鎖效應(yīng)。只有當(dāng)外來(lái)噪聲使某個(gè)寄生晶體管被觸發(fā)導(dǎo)通時(shí),才可能誘發(fā)閂鎖。這種外來(lái)噪聲常常是隨機(jī)的,如電源的浪涌脈沖、靜電放電、輻射等。這些外來(lái)噪聲可以通
過(guò)各種不同的渠道,如輸入端、輸出端、電源端或地端等進(jìn)入電路內(nèi)部的寄生晶閘管結(jié)構(gòu)。電流結(jié)構(gòu)不同,易產(chǎn)生閂鎖的通道也不同。
閂鎖效應(yīng)形成的物理過(guò)程
VT1/VT3與VT2/VT4結(jié)構(gòu)一旦觸發(fā),電源到地之間便會(huì)流過(guò)較大的電流,并在NPNP寄生晶閘管結(jié)構(gòu)中同時(shí)形成正反饋過(guò)程,此時(shí)寄生晶閘管結(jié)構(gòu)處于導(dǎo)通狀態(tài)。只要電源不切斷,即使觸發(fā)信號(hào)已經(jīng)消失,業(yè)已形成的導(dǎo)通電流也不會(huì)隨之消失。
外來(lái)噪聲消失后,只有當(dāng)電源提供的電流大于寄生晶閘管的維持電流或電路工作電壓大于維持電壓時(shí),導(dǎo)通狀態(tài)才能繼續(xù)維持;否則,電路將退出導(dǎo)通狀態(tài)。
CMOs反相器電路圖及其工藝結(jié)構(gòu)如圖5.⒛所示。從圖中可見(jiàn),襯底與P阱中分別存在著寄生三極管VT1/VT3與VT2/VT4。當(dāng)CMOs電路處于正常工作狀態(tài)時(shí), D1FK60如果沒(méi)有外來(lái)噪聲的干擾,所有寄生晶間管處于截止?fàn)顟B(tài),不會(huì)出現(xiàn)閂鎖效應(yīng)。只有當(dāng)外來(lái)噪聲使某個(gè)寄生晶體管被觸發(fā)導(dǎo)通時(shí),才可能誘發(fā)閂鎖。這種外來(lái)噪聲常常是隨機(jī)的,如電源的浪涌脈沖、靜電放電、輻射等。這些外來(lái)噪聲可以通
過(guò)各種不同的渠道,如輸入端、輸出端、電源端或地端等進(jìn)入電路內(nèi)部的寄生晶閘管結(jié)構(gòu)。電流結(jié)構(gòu)不同,易產(chǎn)生閂鎖的通道也不同。
閂鎖效應(yīng)形成的物理過(guò)程
VT1/VT3與VT2/VT4結(jié)構(gòu)一旦觸發(fā),電源到地之間便會(huì)流過(guò)較大的電流,并在NPNP寄生晶閘管結(jié)構(gòu)中同時(shí)形成正反饋過(guò)程,此時(shí)寄生晶閘管結(jié)構(gòu)處于導(dǎo)通狀態(tài)。只要電源不切斷,即使觸發(fā)信號(hào)已經(jīng)消失,業(yè)已形成的導(dǎo)通電流也不會(huì)隨之消失。
外來(lái)噪聲消失后,只有當(dāng)電源提供的電流大于寄生晶閘管的維持電流或電路工作電壓大于維持電壓時(shí),導(dǎo)通狀態(tài)才能繼續(xù)維持;否則,電路將退出導(dǎo)通狀態(tài)。
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