鈾或釷等放射性元素是D1FL/L2集成電路封裝材料中天然存在的雜質(zhì),這些材料發(fā)射的α粒子可使集成電路發(fā)生軟誤差。

    產(chǎn)生機理

   當(dāng)α粒子進(jìn)入硅中時,在粒子經(jīng)過的路徑上產(chǎn)生電子―空穴對,這些電子空穴對在電場的作用下,被電路結(jié)點收集,引起電路誤動作,使動態(tài)存儲器存儲電荷丟失、靜態(tài)隨機存儲器(RAM)存儲單元翻轉(zhuǎn)、動態(tài)邏輯電路信息丟失或其他邏輯單元電路漏極耗盡區(qū)中存儲的信息丟失。

   吸收一個4MeV的α粒子能產(chǎn)生106個電子一空穴對,電荷數(shù)量等于或大于動態(tài)存儲單元中存儲的電荷。在一個包含10OO個16KB存儲器件的存儲系統(tǒng)中,典型的錯誤率可能是每1O00小時發(fā)生一次軟誤差的數(shù)量級,相當(dāng)于器件失效率為1000FIT。

   用放射性沾污密度非常低的材料來包封或涂敷集成電路芯片,可使引入的軟誤差減少。例如,能量高至8McV的α粒子能被50um厚的硅酮橡膠完全吸收,而硅酮橡膠材料所發(fā)射的α粒子是微不足道的。