在浪涌電流作用下,電路某處會(huì)出現(xiàn)結(jié)間短路現(xiàn)象,也是硅在鋁中溶解并在鋁中電遷移造成的。

   在NMOs集成電路中,為防止J2-Q01B-A靜電損傷和浪涌電流造成柵穿,一般在輸入端加有保護(hù)電路。但輸出是無法加這種保護(hù)網(wǎng)絡(luò)的,所以輸出端易受靜電損傷,表現(xiàn)為鋁在硅中的電熱遷移,鋁在si/s⒑2界面的硅層呈絲狀滲入,形成通道,導(dǎo)致鄰近兩個(gè)N+結(jié)短路,N+區(qū)到P襯底間形成約⒛00Ω的電阻,如圖5.29所示。

   圖5.⒛ 鋁在多晶中電熱遷移形成C中N+間短路的情況

   預(yù)防措施。采用硅含量為0.1%~0,3%的硅鋁合金代替純鋁作互連線材料。采用硅鋁合金的優(yōu)點(diǎn)是,因膜內(nèi)硅的含量己達(dá)飽和,可防止硅在鋁中進(jìn)一步溶解,避免了滲透坑的形成。此外它抗電遷移能力強(qiáng),硬度比純鋁高,可減少機(jī)械劃傷。

   采用多層金屬化系統(tǒng)或金屬硅化物代替純鋁,如用Al―Ⅱ―si、Al―(△10%,W90%)一PtSi―si多層系統(tǒng)等。在鋁―硅之間加NCr、MO、△等用以阻止因直接接觸而發(fā)生反的阻擋層,在微波及ECL電路中也有用多晶硅膜做阻擋層的。