失效模式
發(fā)布時(shí)間:2016/6/22 21:32:44 訪問次數(shù):527
失效模式。雙極性A387B淺結(jié)器件E―B結(jié)退化,硅一鋁反應(yīng)形成的滲透坑多發(fā)生在接觸孔四周,這是因?yàn)樵撎幦芙獾墓杩上蚺詡?cè)擴(kuò)散,降低了界面處硅的含量,允許硅進(jìn)一步溶解。另外邊緣處⒏o2與硅應(yīng)力增大了該處的溶解能力,所以在接觸窗口邊緣,能發(fā)生較深的滲透坑。這在雙極性小功率淺結(jié)器件(如微波器件、超高速ECL電路)中容易引起E―B結(jié)退化,反向漏電增加,擊穿特性由原來(lái)的硬擊穿變?yōu)檐洆舸?明顯地表現(xiàn)為一個(gè)電阻跨接在E―B結(jié)上,嚴(yán)重時(shí)造成如圖5.28所示的PN結(jié)短路。鋁的合金化過程中,或者在器件受到強(qiáng)電流沖擊的過電應(yīng)力時(shí),常發(fā)生這類失效。
失效模式。雙極性A387B淺結(jié)器件E―B結(jié)退化,硅一鋁反應(yīng)形成的滲透坑多發(fā)生在接觸孔四周,這是因?yàn)樵撎幦芙獾墓杩上蚺詡?cè)擴(kuò)散,降低了界面處硅的含量,允許硅進(jìn)一步溶解。另外邊緣處⒏o2與硅應(yīng)力增大了該處的溶解能力,所以在接觸窗口邊緣,能發(fā)生較深的滲透坑。這在雙極性小功率淺結(jié)器件(如微波器件、超高速ECL電路)中容易引起E―B結(jié)退化,反向漏電增加,擊穿特性由原來(lái)的硬擊穿變?yōu)檐洆舸?明顯地表現(xiàn)為一個(gè)電阻跨接在E―B結(jié)上,嚴(yán)重時(shí)造成如圖5.28所示的PN結(jié)短路。鋁的合金化過程中,或者在器件受到強(qiáng)電流沖擊的過電應(yīng)力時(shí),常發(fā)生這類失效。
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相關(guān)技術(shù)資料- 6-22失效模式
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