濺射是一種物理氣相沉積技術(shù)。在充有JST7805CV惰性高壓電場的作用,自由電子被電場加速且持續(xù)不斷地從電場中獲取能量,被加速的電子與中性氬原子發(fā)生碰撞后,氬原子的軌道電子會(huì)從原子核的束縛中脫離出來而成為自由電子,即發(fā)生離子化碰撞。離子化碰撞使得氬氣電離,產(chǎn)生氬離子流,使得蒸發(fā)源靶材中的原子或分子被高能量離子撞擊而離開靶材。當(dāng)原子或分子離開靶材表面后,有些靶材原子會(huì)到達(dá)待鍍晶片表面形成附著原子。附著原子在晶片表面遷移直至遇到成核點(diǎn)或可以粘附的位置,大量的附著原子凝聚形成晶粒。當(dāng)晶粒與其他晶粒相遇時(shí),便會(huì)在晶片表面形成連續(xù)性的多晶態(tài)薄膜"。磁控濺射則是在濺射的基礎(chǔ)上,在蒸發(fā)源靶材附近添加磁場,使得二次電子電離出更多的氬離子,增加等離子體密度,從而增加濺射效率。通過調(diào)整磁場的位置,可以將沉積的薄膜均勻性調(diào)到最佳。如圖⒋2所示,磁控濺射法鍍ITO在業(yè)內(nèi)越來越受到重視,它可以克服蒸發(fā)方式臺(tái)階覆蓋能力不好的缺點(diǎn),并且磁控濺射可以實(shí)現(xiàn)低溫鍍膜,一方面節(jié)省能量,另一方面為LED芯片制造提供了很多便利與可能。磁控濺射的ITo膜與電子束蒸發(fā)的ITo膜在粗糙度、致密度、晶粒大小上都有明顯的差異。如圖⒋3、圖4叫所示分別為電子束蒸發(fā)的ITo膜與磁控濺射的ITo膜。從圖中可明顯看出,濺射的

ITo薄膜粗糙度更小,致密度更高,晶粒更大。晶粒的大小主要取決于表面遷移率,表面遷移率和很多因素有關(guān)系,如晶片溫度、晶片的表面狀態(tài)以及后續(xù)的退火溫度等。一般情況下,高溫將引起高的表面遷移率與較大的晶粒。晶粒的尺寸對薄膜的光電性能有影響。