在GaN基LED芯片制造過(guò)程中的蒸鍍工藝一般包含用于透明導(dǎo)電層的氧化銦錫(Indium-△n-Oxidc,ITo)、 JST6N80F電極焊盤(Electrode Pad)的金屬和提高出光分布的布拉格反射鏡(nstributcd Bragg rcacct。rs,DBR)等薄膜的沉積,是LED芯片制造所不可或缺的工藝步驟。

   一般蒸發(fā)工藝都需要較高的真空度(壓力(1σ5Pa)。在真空環(huán)下,給待蒸發(fā)物質(zhì)提供足夠的能量以獲得蒸發(fā)所必需的蒸氣壓,在適當(dāng)?shù)臏囟认?蒸發(fā)粒子在基片上沉積形成 薄膜。一般LED芯片制備工藝中,ITo薄膜的制備主要存在3種方式:電子束(E-bcam)蒸發(fā)、濺射(spu“cr)沉和和反應(yīng)等離子體沉積(RPD)。

   圖⒋l是電子束蒸發(fā)示意圖。待蒸發(fā)材料放在水冷坩堝內(nèi),電子束通過(guò)5~10kV的電場(chǎng)后被加速,然后經(jīng)過(guò)磁聚焦或磁彎曲發(fā)生偏轉(zhuǎn)(270°或者180°),將能量傳遞給待蒸發(fā)材 料使其蒸發(fā)。電子束蒸發(fā)方式適合難熔物質(zhì)的蒸發(fā),同時(shí)適合單質(zhì)和化合物的蒸發(fā),。電子束蒸發(fā)ITo以其熔化物雯″  維護(hù)簡(jiǎn)單、工藝成熟、簡(jiǎn)單可控、易批量生產(chǎn)、 設(shè)備成本低而被LED芯片制造廣泛采用。