對于LED來說,制作反光鏡后,外延層轉移到一個新的載體(GaAs,Si,Cu,藍寶石等)上,JST6N80F然后把外延生長襯底去掉,這種類型的LED稱為轉移襯底LED,也稱作薄膜發(fā)光二極管D7^3刨,ェ藝如圖6-γ所示。

   轉移襯底LED中,除了前述的GaP透明襯底和si襯底,目前轉移襯底還有用絕緣透明的藍寶石(~Al203)和AlN做襯底的結構。透明襯底必須要考慮的是襯底的反射鏡,也就是說高反射率的反光鏡是確保高性能的一個關鍵要素。LED中,一般有DBR、金屬反光鏡、ODR(omni-山rccticlnal Rcncct。r,全方位反射鏡),如圖⒍z所示卩5]。

   薄膜LED能極大提高光提取效率,其性能與透明襯底的AlGaInP LED相當,并可以大規(guī)模高效率生產。對于薄膜LED最重要的部分就是反光鏡的制作、鍵合工藝和表面粗化等。