光子晶體LED
發(fā)布時間:2016/8/10 21:11:37 訪問次數(shù):825
所謂光子晶體(PhotcllliC C1ysd)是指具有光子帶隙特性的人造周期性電介質結構,或者說是由不同折射率的介質周期性排列而成的人工微結構。JST5N65F光子晶體的出現(xiàn),使人們操縱和控制光子的夢想成為可能。
文獻⒓3]報追了利用光子晶體的光子帶隙效應和光柵衍射原理,將光子晶體結構引入AlGaInP LED。工維光子晶體LED的輸出光強比常規(guī)LED平均提高了16%,使用導電膠將AlGaInP LED粘合在硅初底⊥^,形成ll-面出光的高性能倒裝結構LED,在⒛lnA電流下,導電膠粘合的AlGaInP-Si裸芯LED,飽和電流為125111A,對應的軸向光強為1007,4mcd,而常規(guī)LED分別為105mA和266,2mcd。
⒛O9年sun~K刈ng Kim等人以Ag作為反光鏡,通過金屬共晶鍵合、光子晶體粗化的方式制作轉移到Si襯底上的1mm×1mm AlC1aInP LED卩q,如圖6-23(a)所示,其光子晶體用ICP亥刂蝕ll川GaInP,光子晶體的周期為1200nm,空氣洞半徑為4⒛nm,以AFM壩出腐蝕的深度為500nm。350m`時,光輸出比無光子晶體的器件增加80%,圖⒍23(b)上圖為光子晶體的制作工藝,下圖為有無光子晶體的兩種LED的sEM圖。
所謂光子晶體(PhotcllliC C1ysd)是指具有光子帶隙特性的人造周期性電介質結構,或者說是由不同折射率的介質周期性排列而成的人工微結構。JST5N65F光子晶體的出現(xiàn),使人們操縱和控制光子的夢想成為可能。
文獻⒓3]報追了利用光子晶體的光子帶隙效應和光柵衍射原理,將光子晶體結構引入AlGaInP LED。工維光子晶體LED的輸出光強比常規(guī)LED平均提高了16%,使用導電膠將AlGaInP LED粘合在硅初底⊥^,形成ll-面出光的高性能倒裝結構LED,在⒛lnA電流下,導電膠粘合的AlGaInP-Si裸芯LED,飽和電流為125111A,對應的軸向光強為1007,4mcd,而常規(guī)LED分別為105mA和266,2mcd。
⒛O9年sun~K刈ng Kim等人以Ag作為反光鏡,通過金屬共晶鍵合、光子晶體粗化的方式制作轉移到Si襯底上的1mm×1mm AlC1aInP LED卩q,如圖6-23(a)所示,其光子晶體用ICP亥刂蝕ll川GaInP,光子晶體的周期為1200nm,空氣洞半徑為4⒛nm,以AFM壩出腐蝕的深度為500nm。350m`時,光輸出比無光子晶體的器件增加80%,圖⒍23(b)上圖為光子晶體的制作工藝,下圖為有無光子晶體的兩種LED的sEM圖。
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