MOs電容的設計
發(fā)布時間:2016/6/30 21:26:41 訪問次數(shù):1433
MOS電容的結(jié)構(gòu)與MOs晶體管一樣,是一個感應的溝道電容。當柵上加電壓形成導電溝道時電容形成,M0280RJ200一極是柵,另一極是溝道,溝道這一極由襯底或源(漏)端引出,如圖8.37所示。電容的大小取決于面積、氧化層的厚度及氧化層的介電常數(shù),
由于N阱存在電阻,因此N阱電容器的下極板明顯存在著串聯(lián)電阻�？赏ㄟ^在上極板的兩邊或四邊都放置接觸孔的方法來降低串聯(lián)電阻。
MOS電容的結(jié)構(gòu)與MOs晶體管一樣,是一個感應的溝道電容。當柵上加電壓形成導電溝道時電容形成,M0280RJ200一極是柵,另一極是溝道,溝道這一極由襯底或源(漏)端引出,如圖8.37所示。電容的大小取決于面積、氧化層的厚度及氧化層的介電常數(shù),
由于N阱存在電阻,因此N阱電容器的下極板明顯存在著串聯(lián)電阻�？赏ㄟ^在上極板的兩邊或四邊都放置接觸孔的方法來降低串聯(lián)電阻。
相關(guān)技術(shù)資料- 6-30MOs電容的設計
- 相關(guān)IC型號
- M0280RJ200
- 暫無最新型號
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