耐高溫能力也有較大的差別,通常熒光粉在120℃以上開(kāi)始有衰減,導(dǎo)致LED器件出現(xiàn)光衰。 J-L0013因此,如何降低LED芯片表面的溫度成為提高LED可靠性的關(guān)鍵。不論是LED芯片的結(jié)溫,還是LED芯片的表面溫度都是受LED器件整體散熱系統(tǒng)的影響。有效地解決LED芯片的散熱問(wèn)題,對(duì)提高LED器件的可靠性和壽命具有重要作用。要做到這一點(diǎn),最直接的方法莫過(guò)于提供一條良好的導(dǎo)熱通道,讓熱量從pll結(jié)往外散出。在芯片的級(jí)別上,與傳統(tǒng)正裝結(jié)構(gòu)以藍(lán)寶石襯底與金線作為散熱通道相比,倒裝焊芯片結(jié)構(gòu)有著較佳的散熱能力。  

    倒裝技術(shù)通過(guò)共晶焊將LED芯片倒裝到具有金屬熱沉的支架上,倒裝芯片的大面積金屬焊盤(pán),與支架上的金屬塊構(gòu)成導(dǎo)熱系統(tǒng),導(dǎo)熱性能良好,明顯提高了LED芯片的散熱能力,保障LED的熱量能夠快速?gòu)男酒袑?dǎo)出。

   另外,抗靜電釋放(ESD)能力是影響LED芯片可靠性的另一因素。藍(lán)寶石襯底的藍(lán)綠芯片其正負(fù)電極均位于芯片上面,間距很小;對(duì)于InGaN/AlGaN/GaN雙異質(zhì)結(jié),InC1aN活性區(qū)厚度僅幾十納米,對(duì)靜電的承受能力有限,很容易被靜電擊穿,使器件失效。為了

防止靜電對(duì)LED芯片的損害,倒裝芯片封裝過(guò)程中可以加入齊納保護(hù)電路。即在封裝過(guò)程中通過(guò)并聯(lián)一顆齊納芯片來(lái)提高ESD防護(hù)能力。如果倒裝芯片是倒裝在硅襯底上,那么通過(guò)在硅襯底內(nèi)部集成齊納保護(hù)電路的方法,也可以大大提高LED芯片的抗靜電釋放能力,

同時(shí)節(jié)約封裝成本,簡(jiǎn)化封裝工藝,并提高產(chǎn)品可靠性。